等離子體刻蝕中工藝參數(shù)對刻蝕速率影響的研究
2004-04-29 17:25:01陳曉南楊培林龐宣明袁叢清
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2004年5期
陳曉南 楊培林 龐宣明 袁叢清
1實(shí)驗(yàn)
利用等離子體(IPC)可對硅進(jìn)行快速的刻蝕，但是其工藝參數(shù)對刻蝕結(jié)果的影響很大．本文在國產(chǎn)ICP—2B型刻蝕機(jī)上以SF6作為刻蝕氣體進(jìn)行了單晶硅的刻蝕實(shí)驗(yàn)．刻蝕機(jī)的主要性能參數(shù)：極限真空度為6Pa，電極尺寸為∮50，刻蝕速率為0．1～1．0／lm／min，刻蝕均勻性為片內(nèi)、片間均小于等于土5％．
猜你喜歡
空間科學(xué)學(xué)報(bào)(2021年6期)2021-03-09 06:19:58
現(xiàn)代塑料加工應(yīng)用(2021年5期)2021-02-28 08:18:04
中學(xué)生數(shù)理化·高一版(2020年6期)2020-07-25 01:47:24
傳感器與微系統(tǒng)(2018年7期)2018-08-29 00:44:30
中學(xué)生數(shù)理化·八年級物理人教版(2017年3期)2017-11-09 03:05:33
新農(nóng)業(yè)(2017年2期)2017-11-06 01:02:23
學(xué)生天地(2016年22期)2016-03-25 13:12:09
現(xiàn)代家庭·生活版(2016年2期)2016-02-17 13:38:54
上海金屬(2014年5期)2014-12-20 07:58:39
電測與儀表(2014年21期)2014-04-04 12:32:04
