董小兵　張少云　徐傳驤

摘要：采用激光探針表面電荷測量系統(tǒng)，實現(xiàn)了有機(jī)／無機(jī)介質(zhì)膜保護(hù)下的高壓硅器件表面耗盡區(qū)展寬的測量，分析了光感生電流(OBIC)曲線與硅表面少子擴(kuò)散長度、表面復(fù)合速率以及波長相關(guān)吸收系數(shù)的關(guān)系．實驗和計算結(jié)果表明，He—Ne激光束由于具有較大的吸收系數(shù)(>3 200cm

)和適當(dāng)?shù)耐干渖疃?≈3．1μm)，對曲線上下沿變化影響很小，測量結(jié)果可以直接反映硅表面本身的響應(yīng)．小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下，表面耗盡區(qū)在穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)下的擴(kuò)展幾乎都是在低摻雜的n區(qū)進(jìn)行，p區(qū)的擴(kuò)展被“釘扎”．表面保護(hù)不良時，OBIC曲線可直接反映出局部的電場倍增狀態(tài)．對不同腐蝕時間處理的磨角造型硅表面，OBIC測量結(jié)果表明，當(dāng)腐蝕時間短時，表面少子壽命較低；反之，則壽命會有所提高．關(guān)鍵詞：硅器件；表面耗盡區(qū)；光感生電流中圖分類號：TN304文獻(xiàn)標(biāo)識石馬：A文章編號：0253—987X(2004)06—0623—04