向　鋒　李心平

摘要：利用簡(jiǎn)便的粉末反射光譜法，測(cè)量了不同燒結(jié)溫度下ZnO壓敏陶瓷的反射光譜，并對(duì)其影響機(jī)理進(jìn)行了探討．研究結(jié)果表明，同純ZnO相比，壓敏陶瓷反射光譜吸收邊發(fā)生紅移，紅移量隨燒結(jié)溫度的提高而增大；吸收邊斜率隨著燒結(jié)溫度升高而變?。者叺淖兓菬Y(jié)過(guò)程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互擴(kuò)散隨溫度變化的結(jié)果．高溫?zé)Y(jié)的試樣在波長(zhǎng)為566nm、610nm、650nm處存在光反射谷，反射強(qiáng)度隨燒結(jié)溫度升高而降低．燒結(jié)過(guò)程中形成的界面層缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷類(lèi)型與溫度變化無(wú)關(guān)，濃度隨燒結(jié)溫度的升高而增大．關(guān)鍵詞：ZnO壓敏陶瓷；燒結(jié)溫度；反射光譜中圖分類(lèi)號(hào)：TM283文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：0253—987X(2004)06—0641—04