摘要：鉛鹵鈣鈦礦納米晶體在光伏和發(fā)光器件領(lǐng)域擁有巨大潛力，然而熱猝滅效應(yīng)阻礙了材料從實驗室到實際應(yīng)用的轉(zhuǎn)換。提出了一種在室溫條件下使用有機氟化物原位鈍化合成CsPbBr3納米晶體的方法，有效鈍化了表面缺陷，增強了發(fā)光的熱穩(wěn)定性。光致發(fā)光測試表明，與未鈍化的樣品相比，原位鈍化CsPbBr3納米晶體的室溫?zé)晒獍l(fā)射強度增強了約一倍；當(dāng)環(huán)境溫度升至100℃時，鈍化樣品仍然能保持70%以上的熒光強度；且在恢復(fù)常溫后，鈍化樣品在較長時間里仍保持穩(wěn)定的熒光峰值波長和發(fā)光強度。測試結(jié)果表明，提出的制備方法能有效抑制CsPbBr3納米晶體發(fā)光的熱猝滅，有利于其在電致發(fā)光和下轉(zhuǎn)換LED等領(lǐng)域的應(yīng)用。

關(guān)鍵詞：CsPbBr3；DDAF；熱猝滅；穩(wěn)定性

中圖分類號：O 433文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A

Fluoride ions in situ passivation for thermally stable CsPbBr3 nanocrystals

CHEN Mingtong，LIU Canyu，YOU Guanjun

（School of Optical-Electrical and Computer Engineering，University of Shanghai for Science andTechnology，Shanghai 200093，China）

Abstract：Lead halide perovskite nanocrystals have been gradually applied in the field of photovoltaic and light-emitting devices.However，the thermal quenching effect hinders the conversion process of materials to light-emitting devices such as LEDs.In this paper，a method for synthesizing CsPbBr3 nanocrystals using in-situ passivation of organic fluoride at room temperature is proposed，which effectively passivates surface defects and enhances the thermal stability of luminescence.Photoluminescence tests showed that the room temperature fluorescence emission intensity of in situ passivated CsPbBr3 nanocrystals was approximately doubled compared to pristine samples;When the ambient temperature rises to 100°C，the passivated sample can still maintain more than 70%of the photoluminescence intensity.After restoring normal temperature，the passivated sample still maintains a stable photoluminescence peak wavelength and intensity for a long time.The test results show that the preparation method proposed in this paper can effectively suppress the thermal quenching of CsPbBr3 nanocrystals，which is conducive to its application in electroluminescence and down conversion LEDs.

Keywords：CsPbBr3;DDAF;thermal quenching;stability

引言

鹵化物鈣鈦礦納米晶體（PNCs），作為一種新興的光電半導(dǎo)體材料，近十幾年在光伏和發(fā)光器件領(lǐng)域[1-4]被廣泛研究。由于具有高量子產(chǎn)率[5]、可調(diào)諧的窄帶發(fā)射、缺陷容忍[6-7]和合成可擴(kuò)展[8]等優(yōu)點，逐漸被應(yīng)用于太陽能電池[9-10]、LED[11-12]、激光[13-14]、顯示器[15]等領(lǐng)域。然而，目前鹵化物鈣鈦礦轉(zhuǎn)換器件也存在一些制約因素，如“發(fā)射熱猝滅”[16-17]，即由于熱激活載流子捕獲[18]和聲子輔助的非輻射復(fù)合衰減[19]等因素的影響，發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光效率隨著溫度上升而下降。如MAPbBr3在加熱至400 K時，會損失室溫?zé)晒饬孔赢a(chǎn)率（ΦPL）的70%[20]，CsPbBr3 PNCs的ΦPL在373 K時下降80%[21]。為此，一些團(tuán)隊提出用封端配體處理表面、無機物保護(hù)等方式來抑制熱猝滅[22-24]。2016年，Kovalenko團(tuán)隊利用介孔SiO2作為模板輔助生成穩(wěn)定性好的PNCs[22]。2020年，李良等[23]提出六氟硅酸銨表面處理PNCs減弱了熱猝滅的影響，但引入聚合物基質(zhì)或二氧化硅殼的同時會抑制載流子的注入，和LED的電致發(fā)光模式不兼容。2021年，李良團(tuán)隊利用有機氟離子后處理CsPbBr3 PNCs，實現(xiàn)了LED器件在70℃環(huán)境溫度范圍內(nèi)仍保持高于初始80%的外量子效率[24]。

本文針對CsPbBr3 PNCs提出了一種利用雙十二烷基二甲基氟化銨（DDAF）原位鈍化的合成方法，在常溫下即可合成熱穩(wěn)定性好、熒光量子產(chǎn)率高的納米晶體。在100℃環(huán)境溫度下，經(jīng)有機氟離子原位鈍化的納米晶體仍保持高于初始70%的熒光強度。

1樣品制備

參考此前文獻(xiàn)報道的合成方法[24]，本文對CsPbBr3 PNCs的合成方法進(jìn)行了改進(jìn)。在常溫條件下，采用配體輔助再沉淀方法（LARP），通過向PbBr2前驅(qū)體溶液中加入DDAF配體，實現(xiàn)了對CsPbBr3 PNCs的原位鈍化處理。研究中使用的化學(xué)試劑和樣品制備步驟如下。

1）化學(xué)試劑

溴化鉛（PbBr2，99.999%，阿拉丁），碳酸銫（Cs2CO3，99.99%，阿拉?。?，甲苯（TOL，99.97%，F(xiàn)isher chemical），正己烷（n-hexane，98%，麥克林），正辛酸（OTAc，99%，麥克林），三正辛基氧膦（TOPO，98%，，麥克林），雙十二烷基二甲基溴化銨（DDAB，98%，麥克林），氟化鈉（NaF，99+%，damas-beta）。

2）制備前驅(qū)體溶液

PbBr2-TOPO前驅(qū)體溶液：首先將0.5 mmol的PbBr2的粉末溶解在1 mL加熱呈液態(tài)的TOPO中，90℃低速攪拌至全部溶解之后，加入10 mL的TOL連續(xù)攪拌直至均勻溶解，冷卻至室溫待用。

Cs-OTAc前驅(qū)體溶液：將1 mmol的Cs2CO3加入到10 mL的OTAc中，在80℃的油浴鍋中連續(xù)攪拌至完全溶解，冷卻待用。

3）制備配體溶液

NaF水溶液：將1 mmol的NaF粉末溶解至10 mL的純凈水中，攪拌直至完全溶解。

DDAB配體溶液：將1 mmol的DDAB加入到10 mL的TOL中，攪拌直至完全溶解，該配體溶液配置兩份，一份作為制備DDAF配體的反應(yīng)物，一份用作DDAB配體鈍化樣品進(jìn)行實驗對照。

DDAF配體溶液：將NaF溶液和DDAB溶液混合，超聲30 min使F?和Br?進(jìn)行充分的交換?；旌先芤河? 000r/min離心8 min，得到分層固液混合物，取甲苯層即上清液得到DDAF配體溶液。

4）制備CsPbBr3 PNCs

合成環(huán)境：室溫（20℃），濕度35%～65%。

CsPbBr3 PNCs合成方法：首先取2 mL PbBr2-TOPO溶液，在常溫攪拌狀態(tài)下，加入200μL DDAF/DDAB溶液，攪拌2 min，得到混合溶液。取200μL Cs-OTAc加入到上述溶液中，室溫下繼續(xù)攪拌5 min。然后將混合溶液以4 000r/min的轉(zhuǎn)速離心3 min，倒出上清液，向沉淀中加入4 mL的正己烷或甲苯，振蕩均勻，使量子點均勻地分散在溶液中。隨后以9 000 r/min離心8 min，取上清液獲得最終樣品。

2表征方法

本文分別采用高分辨洛倫茲透射電子顯微鏡（JEOL JEM-2100F）和X射線衍射儀（XRD）（D8 Advance，Bruker）對樣品進(jìn)行形貌、能譜和晶體結(jié)構(gòu)的測試。使用紫外?可見分光光度計（UV-2600，島津儀器）測試納米晶體分散液的吸收光譜。樣品的熒光光譜測試采用汞燈光源，經(jīng)帶通濾光片獲得365 nm的激發(fā)光，使用光學(xué)顯微鏡（AXIO Scope A1，ZEISS）、CCD相機和光纖光譜儀（PG2000Pro，復(fù)享光學(xué)）組成熒光檢測系統(tǒng)進(jìn)行測試。

采用時間相關(guān)的單光子計數(shù)（TCSPC）系統(tǒng)測量樣品的熒光壽命。系統(tǒng)采用的泵浦激光為440～2 400 nm超連續(xù)激光器（FemtoYLTM，安揚激光），經(jīng)窄帶帶通濾波片過濾選擇450 nm波長的激發(fā)光。樣品受激發(fā)產(chǎn)生熒光，經(jīng)透鏡收集，利用單色儀（Omni-λ300i，Zolix）選擇測試波長，使用單光子探測器（ID 100，IDQ）和TCSPC（quTAG，quTools）進(jìn)行光子計數(shù)。

3結(jié)果與討論

3.1CsPbBr3 PNCs 的表征

為了研究有機氟離子原位鈍化后的 CsPbBr3 PNCs 性能提升情況，設(shè)置了未經(jīng) DDAF 鈍化的 納米立方體（即對照樣品）進(jìn)行對照。圖 1（a）為對照樣品的TEM形貌圖，圖中大部分納米晶體形狀不規(guī)則，尺寸較小且成核不均；圖中還可以看到許多黑點，為電子束轟擊樣品產(chǎn)生的大量解離的鉛離子所形成的納米顆粒[25]。圖1（b）為用DDAF原位鈍化處理合成的CsPbBr3 TEM形貌圖，從圖中可以清晰地看到，納米晶體呈方形結(jié)構(gòu)，平均尺寸約為10 nm，晶格間距約為0.37 nm；此外，氟離子原位鈍化圖中黑點較少，表明其受高能電子束影響較小，這說明樣品的穩(wěn)定性得到了提升。此外，對照樣品選區(qū)電子束晶格點位較不清晰，而氟離子原位鈍化樣品的選區(qū)電子束衍射展現(xiàn)出與立方晶格一致的衍射圖像。為了進(jìn)一步確定晶相，將氟離子鈍化的CsPbBr3 PNCs旋涂在石英玻璃上，進(jìn)行XRD測試，如圖1（c）所示，衍射峰主要位于16°和31°。由于表面配體的調(diào)制，樣品的XRD衍射峰較參考譜會發(fā)生小幅偏移，總體上與大塊正交晶相CsPbBr3參考圖譜基本一致，這表明本文制備的CsPbBr3 PNCs為立方相。

通過DDAF原位鈍化合成的CsPbBr3納米晶體會形成富氟的表面，一部分F?會填補Br?空位缺陷，另一部分會取代少量的Br?，形成更大的能隙結(jié)構(gòu)[24]。為了進(jìn)一步研究表面摻氟情況，分別對參照樣品和氟離子原位鈍化CsPbBr3 PNCs進(jìn)行EDS能譜元素分析，對多個選區(qū)進(jìn)行多次測試，結(jié)果如表1所示，經(jīng)過氟化處理表面含有質(zhì)量分?jǐn)?shù)15%的F元素，這說明DDAF有效地鈍化了表面，且Br元素與對照樣品含量相當(dāng)，證明DDAF的鈍化取代的是部分Br?。

圖2（a）為參照樣品和氟離子原位鈍化樣品的吸收度和熒光強度光譜（PL）對比。由于納米晶體的尺寸較大，使得量子限制效應(yīng)變?nèi)?，故激子吸收峰并不明顯。參照樣品的PL半高全寬（FWHM）約為21 nm，峰值波長約為504 nm，和吸收邊相比產(chǎn)生一個10 nm左右的斯托克斯位移（Stokes shift）。而前驅(qū)體經(jīng)氟摻雜之后生成的CsPbBr3納米晶體PL峰位于510 nm，F(xiàn)WHM為20 nm，PL峰相對吸收邊產(chǎn)生的斯托克斯位移為8 nm。鈍化帶來的PL峰的紅移，是由于氟離子原位鈍化的CsPbBr3 PNCs具有更加完整的三維立方體結(jié)構(gòu)，尺寸變大，量子限制效應(yīng)的影響更小，帶隙大小更接近體相的CsPbBr3。

為了比較氟離子原位鈍化后熒光強度的變化，首先需排除濃度的影響。由于產(chǎn)物獲取為反應(yīng)物離心操作，使得每次樣品產(chǎn)物的量不同，需結(jié)合吸收譜來排除濃度影響。由于吸光度A正比于濃度c，在稀溶液情況下，熒光強度I也與c成正比，一般將實際測得的熒光強度除以PL峰值處的吸光度，結(jié)果如圖2（b）所示。和參照樣品相比，DDAF原位鈍化使樣品的熒光強度增強了約一倍，這是由于前驅(qū)液中摻入的DDAF提供了F?離子，使CsPbBr3表面的Br?空缺被F?填補，有效抑制了表面缺陷引起的非輻射復(fù)合，使得納米晶體的熒光強度大幅增加。

3.2熱猝滅抑制

表面鈍化除了提高CsPbBr3的熒光發(fā)射效率，對其發(fā)光的熱穩(wěn)定性也有很大影響。在環(huán)境溫度升高時，表面鈍化能顯著抑制溫度產(chǎn)生的熒光熱猝滅。為了定量測量氟離子原位鈍化對PL熱猝滅的抑制，使用油浴鍋對樣品加熱，設(shè)置溫度范圍為293～373 K，升溫速度為5 K/min，并持續(xù)地監(jiān)測密封狀態(tài)下未鈍化和原位鈍化的CsPbBr3 PNCs甲苯分散液。圖3（a）為未鈍化樣品隨溫度上升的PL變化，在373 K時，其PL猝滅達(dá)到95%，熒光效率大幅下降，并且峰值波長紅移了10 nm。如圖3（b）所示，對于原位鈍化的CsPbBr3 PNCs，溫度上升也導(dǎo)致熒光強度的下降，但和未鈍化樣品相比，發(fā)光強度的下降速率減慢，在373 K時，仍保持了約70%的熒光強度，并且熒光中心波長穩(wěn)定不變，說明熱猝滅被有效地抑制。此前的研究認(rèn)為，氟離子處理一方面填補了納米晶體表面的Br?離子空位，降低了缺陷密度，提高了熒光量子產(chǎn)率；另一方面，富氟的表面較內(nèi)部具有更大的能隙，極大提高了熱激活缺陷的活化能，抑制了熱活化缺陷對載流子的捕獲，因此改善了CsPbBr3 PNCs熒光抗熱猝滅的性能[24]。此外還觀察到，經(jīng)過氟離子原位鈍化的CsPbBr3具有更好的自愈合能力，在樣品恢復(fù)常溫后，PL恢復(fù)到了加熱之前的室溫?zé)晒鈴姸龋谶B續(xù)觀測7天后熒光波長和強度依舊穩(wěn)定（見圖4），且樣品溶液未出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象；而未鈍化處理的溶液經(jīng)過加熱破壞之后，7天內(nèi)出現(xiàn)了納米晶體的團(tuán)聚現(xiàn)象。

為了進(jìn)一步研究氟離子原位鈍化和能帶偏移的關(guān)系，確定摻氟表面能隙的變化情況用阿倫尼烏斯公式擬合了PL強度和溫度的關(guān)系，通過擬合實驗數(shù)據(jù)，可計算出ΔE trap，從而估計載流子捕獲的激活能為

式中：kB為玻爾茲曼常數(shù)；A為常數(shù)指前因子；I0為常溫低溫下的PL強度，這里為293 K下的強度；I（t）為對應(yīng)溫度下的PL強度。根據(jù)測得的不同溫度下PL值擬合公式得出，未摻氟樣品ΔEtrap=224 meV，該數(shù)值與相關(guān)文獻(xiàn)提出的溴空位淺態(tài)位置相匹配[26]。然后分別計算摻氟量為3μmol和6μmol樣品的激活能，ΔEtrap各自為425 meV為550 meV。ΔEtrap的值隨摻氟量增加，表明溴空位被有效鈍化，能隙增大使得穩(wěn)定性增強。值得注意的是，實驗中DDAF配體的量需控制在合適的范圍內(nèi)，否則會導(dǎo)致納米晶體的離解，降低合成的整體質(zhì)量。

3.3熒光壽命

為從時間分辨的角度研究氟離子原位鈍化對CsPbBr3納米晶體發(fā)光性能的提升，采用時間相關(guān)單光子計數(shù)方法（TCSPC）測試了CsPbBr3 PNCs樣品的熒光壽命。此外，還制備了DDAB處理的CsPbBr3 PNCs進(jìn)行對照。DDAB陰離子為Br?，和DDAF一樣皆為長鏈DDA系配體。三組樣品在相同條件下進(jìn)行測試。為了避免多激子復(fù)合對熒光壽命的影響，采用低泵浦功率激發(fā)樣品，激發(fā)功率均為26μw，所得結(jié)果如圖5所示。

采用三指數(shù)衰減函數(shù)對實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，擬合公式[25]為

其中，τi（i=1，2，3）為第i個衰減過程的時間常數(shù)，Ai為第i個過程的幅度，I0為擬合時的附加初始值。平均強度熒光壽命τavg可基于Ai和τi計算得出

τavg用于描述納米晶體處于激發(fā)態(tài)的平均時間，而平均振幅熒光壽命τamp則表示具有相同穩(wěn)態(tài)熒光的激子平均壽命[27]，計算如下

擬合之后的各項參數(shù)結(jié)果如表2所示。

從圖5中可以看出，未氟化處理的CsPbBr3 PNCs的熒光強度在初始衰減階段快速下降，這是由于表面缺陷引起的非輻射復(fù)合對激子復(fù)合發(fā)光的影響較大；而CsPbBr3-DDAF的熒光強度在初始衰減階段下降最慢，表明氟離子的原位鈍化有效填補了Br?空位，減少了表面缺陷的密度，因此非輻射復(fù)合的影響顯著減弱。在激發(fā)十幾納秒后的慢速衰減階段，未氟化處理的CsPbBr3樣品具有較長的平均強度熒光壽命，這對應(yīng)于鹵化物鈣鈦礦中的延遲發(fā)光的現(xiàn)象[28]，缺陷態(tài)通過捕獲載流子?釋放載流子這一可逆的過程，延長了發(fā)光的過程，但也伴隨著激發(fā)能量的損失，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。對于經(jīng)原位鈍化處理的樣品，氟離子和溴離子對CsPbBr3 PNCs表面缺陷的修復(fù)減少了缺陷態(tài)的延遲發(fā)光效應(yīng)，因此在慢速衰減階段具有相對較短的平均壽命。

4結(jié)論

本文提出了一種通過DDAF原位鈍化合成CsPbBr3 PNCs的方法，在常溫下即可合成熒光效率高、穩(wěn)定性好的CsPbBr3 PNCs。通過吸收光譜、熒光發(fā)射光譜、熒光壽命等測試，定性和定量比較了該合成方法對納米晶體發(fā)光性能的改善。其中，熒光效率提升了一倍，在100℃的環(huán)境溫度下能有效抑制熱猝滅，仍然保持70%的熒光強度，且發(fā)光波長穩(wěn)定。后續(xù)工作可基于本文報道的方法合成CsPbBr3 PNCs，制備LED器件，測試研究氟離子原位鈍化對器件性能的改善。

參考文獻(xiàn)：

[1]KOVALENKO M V，PROTESESCU L，BODNARCHUK M I.Properties and potential optoelectronic applications of lead halide perovskite nanocrystals[J].Science，2017，358（6364）：745–750.

[2]TALAPIN D V，LEE J S，KOVALENKO M V，et al.Prospects of colloidal nanocrystals for electronic and optoelectronic applications[J].Chemical Reviews，2010，110（1）：389–458.

[3]KOJIMA A，TESHIMA K，SHIRAI Y，et al.Organometal halide perovskites as visible-light sensitizers for photovoltaic cells[J].Journal of the american chemical society，2009，131（17）：6050–6051.

[4]YANG W S，PARK B W，JUNG E H，et al.Iodide management in formamidinium-lead-halide–based perovskite layers for efficient solar cells[J].Science，2017，356（6345）：1376–1379.

[5]AKKERMAN Q A，D’INNOCENZO V，ACCORNERO S，et al.Tuning the optical properties of cesium lead halide perovskite nanocrystals by anion exchange reactions[J].Journal of the American Chemical Society，2015，137（32）：10276–10281.

[6]KANG J，WANG L W.High defect tolerance in lead halide perovskite CsPbBr3[J].The Journal of Physical Chemistry Letters，2017，8（2）：489–493.

[7]XIE Z R，LI X J，LI R F，et al.In situ confined growth of ultrasmall perovskite quantum dots in metal–organic frameworks and their quantum confinement effect[J].Nanoscale，2020，12（32）：17113–17120.

[8]SHAMSI J，URBAN A S，IMRAN M，et al.Metal halide perovskite nanocrystals：synthesis，post-synthesis modifications，and their optical properties[J].Chemical Reviews，2019，119（5）：3296–3348.

[9]ZHENG X P，TROUGHTON J，GASPARINI N，et al.Quantum dots supply bulk-and surface-passivation agents for efficient and stable perovskite solar cells[J].Joule，2019，3（8）：1963–1976.

[10]BURSCHKA J，PELLET N，MOON S J，et al.Sequential deposition as a route to high-performance perovskite-sensitized solar cells[J].Nature，2013，499（7458）：316–319.

[11]TAN Z K，MOGHADDAM R S，LAI M L，et al.Brightlight-emitting diodes based on organometal halide perovskite[J].Nature Nanotechnology，2014，9（9）：687–692.

[12]YANTARA N，BHAUMIK S，YAN F，et al.Inorganic halide perovskites for efficient light-emitting diodes[J].The Journal of Physical Chemistry Letters，2015，6（21）：4360–4364.

[13]YAN D D，SHI T C，ZANG Z G，et al.Ultrastable CsPbBr3 perovskite quantum dot and their enhanced amplified spontaneous emission by surface ligand modification[J].Small，2019，15（23）：1901173.

[14]ZHANG Y P，LIU J Y，WANG Z Y，et al.Synthesis，properties，and optical applications of low-dimensional perovskites[J].Chemical Communications，2016，52（94）：13637–13655.

[15]SINGH R K，CHEN L H，SINGH A，et al.Progress of backlight devices：emergence of halide perovskite quantum dots/nanomaterials[J].Frontiers in Nanotechnology，2022，4：863312，

[16]PALAZON F，DI STASIO F，LAUCIELLO S，et al.Evolution of CsPbBr3 nanocrystals upon post-synthesis annealing under an inert atmosphere[J].Journal of Materials Chemistry C，2016，4（39）：9179–9182.

[17]CONINGS B，DRIJKONINGEN J，GAUQUELIN N，et al.Intrinsic thermal instability of methylammonium lead trihalide perovskite[J].Advanced Energy Materials，2015，5（15）：1500477.

[18]CAI M H，ZHANG D D，XU J Y，et al.Unveiling the role of langevin and trap-assisted recombination in long lifespan OLEDs employing thermally activated delayed fluorophores[J].ACS Applied Materials&Interfaces，2019，11（1）：1096–1108.

[19]LUO H，GUO S H，ZHANG Y B，et al.Regulatingexciton-phonon coupling to achieve a near-unity photoluminescence quantum yield in one-dimensional hybrid metal halides[J].Advanced Science，2021，8（14）：2100786.

[20]ZHANG F，ZHONG H Z，CHEN C，et al.Brightly luminescent and color-tunable colloidal CH3NH3PbX3（X=Br，I，Cl）quantum dots：potential alternatives for display technology[J].ACS Nano，2015，9（4）：4533–4542.

[21]LI X M，WU Y，ZHANG S L，et al.CsPbX3 quantum dots for lighting and4s4Q6zNJHLJ3VmnxWOeIY7L8fbFtU/HFm5dhigFzRdU= displays：room-temperature synthesis，photoluminescence superiorities，underlying origins and white light-emitting diodes[J].Advanced Functional Materials，2016，26（15）：2435–2445.

[22]DIRIN D N，PROTESESCU L，TRUMMER D，et al.Harnessing defect-tolerance at the nanoscale：highly luminescent lead halide perovskite nanocrystals in mesoporous silica matrixes[J].Nano Letters，2016，16（9）：5866–5874.

[23]ZHANG Q，LI Z C，LIU M M，et al.Bifunctional passivation strategy to achieve stable CsPbBr3 nanocrystals with drastically reduced thermal-quenching[J].The Journal of Physical ChemistryLetters，2020，11（3）：993–999.

[24]LIU M M，WAN Q，WANG H M，et al.Suppression of temperature quenching in perovskite nanocrystals for efficient and thermally stable light-emitting diodes[J].Nature Photonics，2021，15（5）：379–385.

[25]SHAMSI J，KUBICKI D，ANAYA M，et al.Stable hexylphosphonate-capped blue-emitting quantum-confined CsPbBr3 nanoplatelets[J].ACS Energy Letters，2020，5（6）：1900–1907.

[26]WANG N，CHENG L，GE R，et al.Perovskite light-emitting diodes based on solution-processed self-organized multiple quantum wells[J].Nature Photonics，2016，10（11）：699–704.

[27]SILLEN A，ENGELBORGHS Y.The correct use of“average”fluorescence parameters[J].Photochemistry and Photobiology，1998，67（5）：475–486.

[28]CHIRVONY V S，GONZA?LEZ-CARRERO S，SUáREZ I，et al.Delayed luminescence in lead halide perovskite nanocrystals[J].The Journal of Physical Chemistry C，2017，121（24）：13381–13390.

（編輯：張磊）