史冬梅 王 晶 史 玥

1.科學(xué)技術(shù)部高技術(shù)研究發(fā)展中心，北京，100044；2.中電科第三代半導(dǎo)體科技有限公司，天津，300220

2022 年全球半導(dǎo)體銷售額為5 740 億美元，創(chuàng)歷史新高，與2021 年5 559 億美元的銷售額相比增長了3.3%，預(yù)計(jì)到2030 年可能達(dá)到1 萬億美元。[1]高速發(fā)展的半導(dǎo)體芯片技術(shù)在當(dāng)今科技發(fā)展中占據(jù)重要地位，并將催生變革性產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)作為資本、技術(shù)、人才密集型產(chǎn)業(yè)，也是全球一體化程度最高的行業(yè)之一，產(chǎn)業(yè)鏈橫跨數(shù)十個(gè)國家，擁有數(shù)千家供應(yīng)商，其對全球經(jīng)濟(jì)的重要性持續(xù)增長，是目前各國競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域。

近年來，美國、日本、韓國、歐盟等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)紛紛制定半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略和相關(guān)法律，加大政府在半導(dǎo)體研發(fā)和制造方面的投資，吸引全球半導(dǎo)體的生產(chǎn)和創(chuàng)新成果到本國，建立半導(dǎo)體芯片雙邊和多邊合作，加強(qiáng)供應(yīng)鏈安全，重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境。全球半導(dǎo)體芯片技術(shù)和產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈，并將呈現(xiàn)新的發(fā)展格局。本文對發(fā)達(dá)國家和地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在近三年的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)、國家戰(zhàn)略規(guī)劃及相關(guān)法規(guī)政策，以及實(shí)施情況進(jìn)行追蹤和梳理，為我國應(yīng)對全球市場半導(dǎo)體競爭提供借鑒。

一、美國半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略和措施

（一）美國半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀

根據(jù)美國半導(dǎo)體協(xié)會最新數(shù)據(jù)，2022 年美國半導(dǎo)體銷售額2 755.2 億美元，占全球48%，位居第一；半導(dǎo)體研發(fā)投入588 億美元，全球領(lǐng)先；半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出507 億美元；半導(dǎo)體出口611億美元，出口額位居電子類行業(yè)第一。美國半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)人員達(dá)34.5 萬人，包括9 000 名EDA 工作人員，10萬名芯片設(shè)計(jì)人員，3 萬名芯片設(shè)備行業(yè)人員，20.6 萬名半導(dǎo)體制造業(yè)人員。每個(gè)半導(dǎo)體崗位額外創(chuàng)造5.7 個(gè)工作崗位，增加近200 萬個(gè)直接和間接就業(yè)崗位。[2]

美國芯片設(shè)計(jì)處于領(lǐng)先地位，無晶圓廠銷售額約占全球64%，設(shè)計(jì)人才占比全球最大。[3]但美國制造工藝封測能力不足，無10nm 以下先進(jìn)邏輯能力，28nm 以上遠(yuǎn)落后于亞洲。在全球存儲芯片市場，美國動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）和立體閃存設(shè)備（3D-Not-AND，3D-NAND）逐漸恢復(fù)競爭力。材料方面，美國半導(dǎo)體制造所需的氣體、硅晶圓、光刻膠等高度依賴海外供應(yīng)商，例如烏克蘭供應(yīng)美國用于半導(dǎo)體制造的氖氣的90%。在設(shè)備方面，美國的關(guān)鍵光刻設(shè)備依賴荷蘭和日本，而在晶圓處理以及半導(dǎo)體封裝和測試設(shè)備方面依賴中國和日本。[3]

2021年以來，為了促進(jìn)美國半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展、增強(qiáng)本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全，美國政府及半導(dǎo)體行業(yè)密集開展行動(dòng)，提出一系列扶持政策舉措。在美國政府于2022 年通過《2022 年芯片與科學(xué)法案》后，美國商務(wù)部及相關(guān)部門積極落實(shí)法案條款，出臺相應(yīng)戰(zhàn)略和舉措。

（二）《2022 年芯片與科學(xué)法案》

2022 年8 月，美國總統(tǒng)簽署《2022 年芯片與科學(xué)法案》（以下簡稱“《法案》”），以執(zhí)行《2021 財(cái)年國防授權(quán)法案》中制定的關(guān)于美國芯片的條款?！斗ò浮吠ㄟ^對半導(dǎo)體制造撥款、研究投資、勞動(dòng)力培訓(xùn)和教育和芯片制造投資稅收抵免等方面進(jìn)行規(guī)定，提供巨額補(bǔ)貼以增強(qiáng)美國芯片領(lǐng)域競爭優(yōu)勢和供應(yīng)鏈安全，恢復(fù)美國在半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，促進(jìn)美國經(jīng)濟(jì)發(fā)展，保障美國的國家安全。

根據(jù)《法案》規(guī)定，在2022—2027 財(cái)年，美國政府將通過向4 項(xiàng)激勵(lì)基金撥款527 億美元，支持美國本土芯片的研發(fā)與制造。[4]在2022—2026 年，向美國商務(wù)部發(fā)放美國芯片基金撥款500 億美元，其中390 億美元用于“半導(dǎo)體激勵(lì)計(jì)劃”，支持在美國本土進(jìn)行半導(dǎo)體制造、供應(yīng)鏈及研發(fā)；其余110 億美元用于“商業(yè)研發(fā)和勞動(dòng)力發(fā)展計(jì)劃”，具體包括國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（National Semiconductor Technology Center，NSTC）的先進(jìn)半導(dǎo)體制造研發(fā)和樣機(jī)制造、NSTC 及“美國制造”項(xiàng)目合作的聯(lián)邦先進(jìn)封裝制造計(jì)劃、美國商務(wù)部國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所（National Institute of Standards and Technology，NIST）的微電子計(jì)量研究、美國芯片勞動(dòng)力和教育基金等。此外，在2023—2027 年，向美國芯片國防基金撥款20 億美元，用于美國國防部實(shí)施微電子共享項(xiàng)目；向美國芯片國際技術(shù)安全和創(chuàng)新基金撥款5 億美元，用于美國國務(wù)院支持國際信息和通信技術(shù)安全和半導(dǎo)體供應(yīng)鏈活動(dòng)；向美國芯片勞動(dòng)力和教育基金撥款2億美元，用于美國國家科學(xué)基金會支持美國本土半導(dǎo)體勞動(dòng)力發(fā)展，解決勞動(dòng)力短缺問題。[4]

除資金支持外，《法案》還為先進(jìn)制程半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的投資提供25%的投資稅收減免，激勵(lì)半導(dǎo)體制造以及半導(dǎo)體制造過程中所需的專業(yè)設(shè)備的制造?！斗ò浮访鞔_要求上述稅收減免不適用于受關(guān)注的外國公司。如果此后10 年內(nèi)，享受稅收減免的公司在受關(guān)注國家開展相關(guān)實(shí)質(zhì)性重大交易，需退還所有減免稅收。

《法案》表明，美國政府計(jì)劃大力扶持美國本土半導(dǎo)體研究和創(chuàng)新合作網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，確保美國長期技術(shù)領(lǐng)先；通過支持美國國內(nèi)制造設(shè)施建設(shè)和勞動(dòng)力培養(yǎng)，促進(jìn)半導(dǎo)體制造和創(chuàng)新集群的發(fā)展，增強(qiáng)本土供應(yīng)鏈的韌性；通過財(cái)政激勵(lì)措施吸引私人資本，促進(jìn)半導(dǎo)體投資。以上舉措將減少美國在尖端和成熟微電子方面對脆弱或過度集中的海外制造的依賴，在美國本土發(fā)展可持續(xù)的、有競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，從而提升美國的生產(chǎn)力和競爭力，有效應(yīng)對經(jīng)濟(jì)和國家安全兩方面的風(fēng)險(xiǎn)。

（三）《2022 年芯片與科學(xué)法案》對美國半導(dǎo)體制造與創(chuàng)新進(jìn)展的推動(dòng)

在過去的一年，美國通過一系列舉措推進(jìn)了《法案》條款的有效實(shí)施，推動(dòng)了美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

1. 進(jìn)一步明確發(fā)展戰(zhàn)略

為推動(dòng)“美國芯片基金”條款的實(shí)施，2022 年9 月，美國商務(wù)部發(fā)布了《美國資助芯片戰(zhàn)略》（以下簡稱“《實(shí)施戰(zhàn)略》”）。[5]《實(shí)施戰(zhàn)略》明確了“美國芯片基金”的四個(gè)戰(zhàn)略目標(biāo)：投資美國制造具有重要戰(zhàn)略意義的半導(dǎo)體芯片，尤其是尖端技術(shù)芯片；確保為國家安全和關(guān)鍵制造業(yè)提供充足、可持續(xù)和安全的芯片；加強(qiáng)美國半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)地位，促進(jìn)下一代關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及應(yīng)用；培養(yǎng)多元化的半導(dǎo)體勞動(dòng)力?！秾?shí)施戰(zhàn)略》將支持三個(gè)項(xiàng)目，包括：對前沿邏輯和存儲器制造集群的大規(guī)模投資；擴(kuò)大成熟和當(dāng)前一代芯片、新技術(shù)以及行業(yè)供應(yīng)商的制造能力；加強(qiáng)和提升美國研發(fā)領(lǐng)導(dǎo)地位的舉措。2022 年9 月，為響應(yīng)《法案》，NIST 發(fā)布《美國半導(dǎo)體制造的戰(zhàn)略機(jī)遇》報(bào)告，圍繞美國半導(dǎo)體行業(yè)中微電子設(shè)計(jì)、制造和封裝的標(biāo)準(zhǔn)化、計(jì)量、建模與仿真等方面展開分析，總結(jié)了行業(yè)面臨的七大戰(zhàn)略機(jī)遇：開發(fā)材料純度、特性和來源的計(jì)量學(xué)；面向未來微電子制造的先進(jìn)技術(shù)；先進(jìn)封裝技術(shù)及可集成單獨(dú)制造的組件；增強(qiáng)微電子組件和產(chǎn)品的安全性和來源的計(jì)量；對半導(dǎo)體材料、設(shè)計(jì)和組件進(jìn)行建模和仿真；對半導(dǎo)體制造過程進(jìn)行建模和仿真；對微電子學(xué)的新材料、新工藝和新設(shè)備進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化。[6]

2.建立相關(guān)組織保障和實(shí)施機(jī)構(gòu)

美國商務(wù)部通過下屬機(jī)構(gòu)NIST 新設(shè)立兩個(gè)組織機(jī)構(gòu)，一是CHIPS 計(jì)劃辦公室：負(fù)責(zé)將芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)行高度集中化管理，并參與白宮領(lǐng)導(dǎo)的協(xié)調(diào)工作，包括芯片實(shí)施指導(dǎo)委員會，以確保《法案》實(shí)施過程中美國政府各機(jī)構(gòu)緊密聯(lián)系，包括國防部、能源部和國土安全部、情報(bào)總監(jiān)辦、國家科學(xué)基金會和貿(mào)易代表辦公室。二是CHIPS 研發(fā)辦公室：負(fù)責(zé)法案的研發(fā)計(jì)劃，以確保公共資金使用的問責(zé)制和管理得到落實(shí)。授權(quán)NIST 設(shè)立最多三個(gè)美國制造業(yè)研究所，推進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的研究和商業(yè)化，并實(shí)施研發(fā)計(jì)劃，推進(jìn)測量科學(xué)、標(biāo)準(zhǔn)、材料表征、儀器、測試和制造能力的發(fā)展。

3.建立國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）

美國商務(wù)部與國防部、能源部和國家科學(xué)基金會合作，建立了NSTC。作為一個(gè)獨(dú)立的公私聯(lián)盟，NSTC 將提供一個(gè)平臺，促進(jìn)美國政府、國家實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的供應(yīng)商、教育機(jī)構(gòu)、企業(yè)家、勞動(dòng)力和投資者的合作，減少新技術(shù)商業(yè)化的時(shí)間和成本。美國商務(wù)部在2023 年4 月發(fā)布的《NSTC 愿景和戰(zhàn)略》中，關(guān)注了未來5 年至15 年使半導(dǎo)體行業(yè)受益的發(fā)展技術(shù)：尖端、先進(jìn)和成熟CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）制造；新材料高質(zhì)量加工；電力電子材料和制造；射頻、模擬和混合信號制造；光子學(xué)材料和制造；微機(jī)電系統(tǒng)；生物電子學(xué)；設(shè)計(jì)工具開發(fā)等。[7]NSTC 總部將履行其行政領(lǐng)導(dǎo)、財(cái)務(wù)和法律運(yùn)營、人力資源、項(xiàng)目管理、政府關(guān)系、成員服務(wù)等職能，其所支持的技術(shù)中心網(wǎng)絡(luò)將確保各中心之間資源和信息的有效集成以及所有成員的可訪問性。

4.發(fā)布美國芯片基金資助公告

在2023 年2 月和6 月，美國商務(wù)部分兩次發(fā)布了美國芯片基金資助公告[8]，公告內(nèi)容涉及的前沿芯片設(shè)施方面包括當(dāng)前一代、成熟節(jié)點(diǎn)和后端生產(chǎn)設(shè)施、晶圓制造設(shè)施、半導(dǎo)體材料和制造設(shè)備設(shè)施、半導(dǎo)體制造設(shè)備等。至2023 年8 月，美國商務(wù)部已經(jīng)收到了來自42 個(gè)州的400 多份項(xiàng)目意向書，這反映出美國本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈對《法案》激勵(lì)計(jì)劃的廣泛興趣。

5.加大技術(shù)限制及出口管制

2022 年10 月，美國商務(wù)部產(chǎn)業(yè)和安全局（Bureau of Industry and Security，BIS）修訂“出口管理?xiàng)l例”，針對出口先進(jìn)計(jì)算芯片、開發(fā)和維護(hù)超級計(jì)算機(jī)以及制造先進(jìn)半導(dǎo)體的能力等方面提出新措施。[9]2023年8月，美國總統(tǒng)拜登簽署第14105 號行政令，直接禁止或限制美國半導(dǎo)體和微電子、量子信息和人工智能系統(tǒng)三個(gè)領(lǐng)域?qū)κ荜P(guān)注實(shí)體進(jìn)行投資[10]，具體技術(shù)包括：開發(fā)或生產(chǎn)專用于集成電路設(shè)計(jì)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件、批量生產(chǎn)的前端半導(dǎo)體制造設(shè)備；高級集成電路設(shè)計(jì)、先進(jìn)集成電路制造、集成電路封裝；先進(jìn)集成電路驅(qū)動(dòng)的超級計(jì)算機(jī)。2023 年9 月，美國商務(wù)部明確《法案》中“國家安全護(hù)欄”的最終規(guī)則：禁止芯片基金受資助者十年內(nèi)擴(kuò)大在受關(guān)注國家的材料半導(dǎo)體制造能力；限制受資助者與受關(guān)注實(shí)體進(jìn)行某些聯(lián)合研究或技術(shù)許可。[11]

6.加強(qiáng)半導(dǎo)體行業(yè)人才和勞動(dòng)力培養(yǎng)

2023 年7 月，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會SIA 發(fā)布《評估和解決美國半導(dǎo)體行業(yè)面臨的勞動(dòng)力市場缺口》報(bào)告，指出預(yù)計(jì)到2030 年，美國半導(dǎo)體行業(yè)勞動(dòng)力將增加近11.5 萬個(gè)工作崗位，勞動(dòng)力缺口將超過6.7 萬人（包括技術(shù)人員、工程師和計(jì)算機(jī)科學(xué)家等）。其建議加強(qiáng)對區(qū)域伙伴關(guān)系和旨在擴(kuò)大半導(dǎo)體熟練技術(shù)人員渠道計(jì)劃的支持；擴(kuò)大美國國內(nèi)STEM 人才梯隊(duì)，培養(yǎng)對半導(dǎo)體行業(yè)和其他行業(yè)至關(guān)重要的工程師和計(jì)算機(jī)科學(xué)家；留住并吸引更多國際工程學(xué)生。目前，超過50 所社區(qū)大學(xué)宣布了針對半導(dǎo)體勞動(dòng)力的擴(kuò)招計(jì)劃；美國國家科學(xué)基金會正在通過專注于制造業(yè)勞動(dòng)力、支持研究人員和課程開發(fā)的新舉措，對美國半導(dǎo)體勞動(dòng)力進(jìn)行投資。[12]

二、韓國半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略和舉措

（一）韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

2022 年，韓國占據(jù)了17%的全球半導(dǎo)體市場份額，連續(xù)十年位居世界第二。韓國在半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域全球領(lǐng)先，占據(jù)全球存儲器半導(dǎo)體市場的60.5%，其中DRAM市場份額為70.5%，NAND 市場份額為52.6%；但在全球非存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場份額僅為3.3%。[13]韓國半導(dǎo)體出口總額為1292 億美元，占全國出口總額的18.9%；其產(chǎn)業(yè)總值占其國內(nèi)生產(chǎn)總值（GDP）的近20%，引領(lǐng)韓國經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)。韓國現(xiàn)有半導(dǎo)體從業(yè)人數(shù)約17.7 萬人。

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢主要集中在NAND 和DRAM 領(lǐng)域，三星和SK 海力士在制造環(huán)節(jié)遙遙領(lǐng)先，但在其他領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)能力相對較弱。在半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和設(shè)備及設(shè)計(jì)等方面，高度依賴進(jìn)口或外包，導(dǎo)致韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有局限性。2020 年以來，貿(mào)易沖突和芯片短缺引發(fā)的全球半導(dǎo)體行業(yè)競爭凸顯了韓國半導(dǎo)體行業(yè)的缺陷，韓國政府、企業(yè)及教育界也采取了一系列舉措，包括發(fā)布半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、規(guī)劃發(fā)展藍(lán)圖、建立相關(guān)法案，確保韓國本土產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定發(fā)展。

（二）韓國政府發(fā)布系列半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策

自2021 年以來，韓國政府發(fā)布了一系列半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，如表1 所示，包括加大技術(shù)創(chuàng)新投入、稅負(fù)減免、完善供應(yīng)鏈、人才培養(yǎng)、吸引外資和基礎(chǔ)設(shè)施等，旨在扶持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

表1 2021 年以來韓國政府發(fā)布半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策

（三）韓國半導(dǎo)體戰(zhàn)略和主要舉措

1.提出半導(dǎo)體強(qiáng)國戰(zhàn)略目標(biāo)，健全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈

《K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略》旨在實(shí)現(xiàn)綜合半導(dǎo)體強(qiáng)國目標(biāo)，提出未來十年，韓國政府將攜手三星、SK 海力士等企業(yè)投資510 萬億韓元，在韓國本土建立全球最大規(guī)模半導(dǎo)體供應(yīng)鏈[13]，涵蓋半導(dǎo)體制造、原材料、零部件和設(shè)備、設(shè)計(jì)等各個(gè)環(huán)節(jié)。

《半導(dǎo)體超級強(qiáng)國戰(zhàn)略》強(qiáng)調(diào)了打造本土穩(wěn)健半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的重要性，旨在培養(yǎng)卓越的半導(dǎo)體企業(yè)和半導(dǎo)體人才，成為半導(dǎo)體超級強(qiáng)國，從而鞏固韓國作為全球供應(yīng)鏈關(guān)鍵生產(chǎn)基地的地位，并成為全球半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者的目標(biāo)。[14]其提出通過向以市場主導(dǎo)的研發(fā)轉(zhuǎn)變、為材料、零部件和設(shè)備公司建立成長基地及加強(qiáng)對有前景技術(shù)商業(yè)化的支持，為材料、零部件及設(shè)備建立健全的生態(tài)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)到2030 年材料、零部件及設(shè)備生產(chǎn)商自給率由30%提升至50%。

2.加大稅收減免支持和政府服務(wù)力度

《K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略》提出對半導(dǎo)體研發(fā)、設(shè)備投資的稅額抵扣率最高將提升至40%—50%、10%—20%；《K-Chips 法案》提出通過稅收減免措施，保障國家戰(zhàn)略技術(shù)投資與發(fā)展，包括提高國家戰(zhàn)略技術(shù)設(shè)施投資的稅收減免率；為投資引入臨時(shí)稅收減免制度，以臨時(shí)增加2023 年的稅收減免，并為與前三年平均水平相比增加的投資額提供10%的額外減稅；稅收減免優(yōu)惠平等適用于韓國本土公司和外商投資公司。[15]此外，2023 年4 月，韓國貿(mào)易、工業(yè)和企業(yè)部宣布了工業(yè)轉(zhuǎn)型超級項(xiàng)目的計(jì)劃，提出將把70%的研發(fā)預(yù)算（約47 億美元）分配給半導(dǎo)體等核心工業(yè)部門。[16]該計(jì)劃將提高投資半導(dǎo)體等國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)企業(yè)的稅收減免率，大中型企業(yè)稅收減免率將從8%提高到15%，中小企業(yè)稅收減免率從16%提高到25%。此外如果企業(yè)投資超過前三年平均投資額，大企業(yè)稅收減免最高可達(dá)25%，中小企業(yè)最高達(dá)35%。2024年韓國半導(dǎo)體企業(yè)預(yù)計(jì)減稅額達(dá)3.6萬億韓元。

《國家尖端戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)法》提出對半導(dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)、運(yùn)營的迅速審批處理時(shí)間從30 天縮短至15 天；《半導(dǎo)體超級強(qiáng)國戰(zhàn)略》計(jì)劃通過基礎(chǔ)設(shè)施支持和快速審批、稅收支持及放寬勞動(dòng)和安全規(guī)定等策略引導(dǎo)半導(dǎo)體企業(yè)在2022—2026 年間投資340 萬億韓元。[17]

3.明確未來半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向

《K-Chips 法案》提出國家半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略技術(shù)涵蓋非常廣泛，包括先進(jìn)存儲芯片的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；下一代存儲器芯片（STT-MRAM、PRAM、ReRAM、PIM）的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；用于高性能計(jì)算的SoC（System on Chip，系統(tǒng)級芯片）（7nm 或更?。┰O(shè)計(jì)和制造技術(shù)；下一代數(shù)字設(shè)備的SoC 設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；高性能微型傳感器的設(shè)計(jì)、制造和封裝技術(shù)；汽車半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；具有更高能效的半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；用于下一代數(shù)字設(shè)備和車輛的半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；用于開發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)SoC 半導(dǎo)體的代工領(lǐng)域中的7nm 或更小SoC 的制造和工藝設(shè)計(jì)技術(shù)；先進(jìn)存儲芯片、下一代存儲芯片和SoC 半導(dǎo)體鑄造廠的材料、設(shè)備、設(shè)備零件設(shè)計(jì)和制造技術(shù)；鑄造IP 的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證技術(shù)；高性能和高效率系統(tǒng)半導(dǎo)體的測試技術(shù)，以及測試相關(guān)設(shè)備和部件的設(shè)計(jì)和制造技術(shù)等。

《半導(dǎo)體未來技術(shù)路線圖》聚焦新型存儲器和新一代元器件，人工智能、6G 移動(dòng)通信技術(shù)、電力、車載半導(dǎo)體等設(shè)計(jì)核心技術(shù)，以及超微化和尖端封裝工藝核心技術(shù)等三個(gè)領(lǐng)域，通過發(fā)展三個(gè)領(lǐng)域的45 項(xiàng)技術(shù)以確保韓國在未來10 年內(nèi)掌握半導(dǎo)體核心技術(shù)并在優(yōu)勢技術(shù)領(lǐng)域保持領(lǐng)先。其中新元器件方面將重點(diǎn)培養(yǎng)強(qiáng)電介質(zhì)器件、磁性器件、憶阻器三大新興技術(shù)，進(jìn)而開發(fā)下一代存儲器器件；設(shè)計(jì)方面將優(yōu)先支持人工智能和6G 等新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)。政府將從2025 年以后集中扶持車載半導(dǎo)體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)未來出行目標(biāo)；工藝方面，為提升晶圓代工的競爭力，決定開發(fā)原子層沉積、異質(zhì)集成、3D 封裝等技術(shù)。[18]路線圖還提出在系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域拉開新差距的目標(biāo)，支持半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)更快、更節(jié)能、更大容量的芯片，以保持其在已經(jīng)領(lǐng)先領(lǐng)域（如存儲芯片）的全球主導(dǎo)地位，并在先進(jìn)邏輯芯片方面獲得競爭優(yōu)勢。

4.加強(qiáng)半導(dǎo)體專業(yè)人才培養(yǎng)

《K-半導(dǎo)體戰(zhàn)略》提出，韓國政府的目標(biāo)是在2022—2031 年培訓(xùn)3.6 萬名半導(dǎo)體專家，就業(yè)崗位增至27 萬個(gè)?！栋雽?dǎo)體超級強(qiáng)國戰(zhàn)略》提出通過公私伙伴關(guān)系進(jìn)行勞動(dòng)力培訓(xùn)，預(yù)計(jì)到2031 年培養(yǎng)15 萬名半導(dǎo)體專業(yè)人才。

此外，韓國科技信息通信部準(zhǔn)備通過新設(shè)立半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)、校企合作、人才交流等方式，到2027 年培養(yǎng)超3 000 名半導(dǎo)體專業(yè)人才。[19]在韓國科學(xué)技術(shù)院等四大頂尖研究機(jī)構(gòu)中新設(shè)立半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，每年培養(yǎng)超200 名半導(dǎo)體人才，加大碩士博士項(xiàng)目的校企合作等培養(yǎng)人才方式的力度。2022年6月，為培育半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才，掌握半導(dǎo)體領(lǐng)域各種人才需求狀況，韓國教育部舉行了官民聯(lián)合的“半導(dǎo)體等尖端產(chǎn)業(yè)人才培育特別組”首次會議。2023年2月，韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部、三星電子、SK 海力士及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會已簽署諒解備忘錄，同意在2023—2032 年，向多個(gè)研發(fā)項(xiàng)目投入2 229 億韓元，用于培養(yǎng)頂尖半導(dǎo)體人才。[20]人才項(xiàng)目將由芯片制造商和大學(xué)共同領(lǐng)導(dǎo)，希望未來10 年培養(yǎng)至少2 365 名碩博士半導(dǎo)體人才。

三、日本半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略和舉措

（一）日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

20 世紀(jì)80—90 年代，美國與歐亞各國聯(lián)手對日本半導(dǎo)體行業(yè)的“圍剿”，使得日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展受到了嚴(yán)重限制，并逐漸被美國、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)超越。2022年日本在全球半導(dǎo)體市場份額僅占9%，但日本在生產(chǎn)半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備方面都具有絕對優(yōu)勢，在最為關(guān)鍵的19 種半導(dǎo)體材料中，日本有14 種材料產(chǎn)量占據(jù)世界50%以上，半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備也占全球的55%以上。2022 年，日本在全球半導(dǎo)體設(shè)備和原材料市場份額為35%和52%。

近年來日本提出重振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，試圖迎頭趕上，恢復(fù)其過去的領(lǐng)先地位。日本政府主導(dǎo)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化的策略，制定半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，設(shè)立開發(fā)下一代綠色功率半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)中心計(jì)劃，成立先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)中心和聯(lián)合企業(yè)，并通過立法和加強(qiáng)國際合作，支持日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

（二）將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升為國家戰(zhàn)略

2021 年日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。ㄒ韵潞喎Q“經(jīng)產(chǎn)省”）頒布的《半導(dǎo)體和數(shù)字產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略》提出了產(chǎn)學(xué)官的跨部門合作[21]，以國家作為后盾支持半導(dǎo)體技術(shù)從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的研究工作，力圖實(shí)現(xiàn)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重振。措施包括保障日本尖端半導(dǎo)體的研發(fā)和生產(chǎn)能力，利用設(shè)備和元器件的技術(shù)優(yōu)勢，與國際先進(jìn)制造商共同研發(fā)尖端半導(dǎo)體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在日本本土的產(chǎn)業(yè)化。增加面向數(shù)字產(chǎn)業(yè)和尖端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，加大財(cái)稅支持。深化與美國、歐洲、中國臺灣等國家和地區(qū)的合作，開展國際交流和聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)，開發(fā)半導(dǎo)體、下一代計(jì)算機(jī)等技術(shù)。促進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)綠色創(chuàng)新，研發(fā)SiC、GaN、Ga2O3 等新材料，提高半導(dǎo)體性能，降低能耗，鞏固功率半導(dǎo)體的競爭力。在日本本土建立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，提高半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的層級和韌性水平，提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，確保發(fā)展自主性等。

（三）加大技術(shù)研發(fā)投入，建立創(chuàng)新平臺

1.提出“開發(fā)下一代綠色功率半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)中心”計(jì)劃

2022 年經(jīng)產(chǎn)省提出了“開發(fā)下一代綠色功率半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)中心”計(jì)劃。[22]其中，下一代功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)開發(fā)方向設(shè)立了4 個(gè)課題，目標(biāo)是開發(fā)可應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)設(shè)備、可再生能源發(fā)電等用功率半導(dǎo)體，到2030 年將下一代功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器功率損耗降低50%以上，并在量產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)與硅功率半導(dǎo)體相同的成本。4 個(gè)課題的研發(fā)目標(biāo)分別是：下一代8 英寸碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；下一代高功率轉(zhuǎn)換器用碳化硅模塊；下一代電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體制造技術(shù)；下一代高功率密度工業(yè)電源氮化鎵功率器件。下一代功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)開發(fā)方向設(shè)立了3 個(gè)課題，目標(biāo)是開發(fā)大尺寸高質(zhì)量碳化硅晶圓低成本量產(chǎn)技術(shù)，2030 年將8 英寸碳化硅晶圓缺陷密度降低一個(gè)數(shù)量級以上并降低生產(chǎn)成本。3 個(gè)課題分別關(guān)于：高質(zhì)量低成本8 英寸碳化硅晶圓；高質(zhì)量8 英寸碳化硅單晶/晶圓制造技術(shù)；下一代綠色功率半導(dǎo)體碳化硅晶圓技術(shù)。

2.組建“技術(shù)研究組合最先端半導(dǎo)體技術(shù)中心”和聯(lián)合企業(yè)

2022 年11 月，經(jīng)產(chǎn)省牽頭成立“技術(shù)研究組合最先端半導(dǎo)體技術(shù)中心（Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）”，由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、理化研究所、東京大學(xué)等機(jī)構(gòu)共同參與。LSTC 將與IBM在內(nèi)的美國企業(yè)，共同研發(fā)最新的半導(dǎo)體技術(shù)，共享芯片尖端設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料，財(cái)政預(yù)算3 500 億日元。

2022 年8 月，政府支持日本八大巨頭科技型企業(yè)聯(lián)合出資成立“Rapidus 株式會社”。作為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“國家隊(duì)”，其目標(biāo)是在2025—2030 年實(shí)現(xiàn)2nm 高端芯片的研發(fā)，并加強(qiáng)半導(dǎo)體行業(yè)人才的培養(yǎng)。八家企業(yè)分別是索尼集團(tuán)、豐田汽車、電信電話、電氣、電裝、軟銀、鎧俠、三菱UFJ。[23]政府提供初始支持5 億美元資金，2023 年4 月又額外撥款約23 億美元。該機(jī)構(gòu)與美國IBM 合作建立2nm 試驗(yàn)線，與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）簽署了技術(shù)合作備忘錄。

LSTC 和Rapidus 株式會社兩個(gè)機(jī)構(gòu)是日本下一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略的支柱，而實(shí)現(xiàn)其目標(biāo)量產(chǎn)2nm 的技術(shù)，則來自IBM 的技術(shù)移轉(zhuǎn)。在IBM 的基礎(chǔ)上，LSTC 將統(tǒng)合日本東京大學(xué)等頂尖學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)進(jìn)行研究，之后再由Rapidus進(jìn)行生產(chǎn)線上測試。[23]日本政府預(yù)計(jì)對Rapidus 提供700 億日元的補(bǔ)貼。

3.加大財(cái)政資金支持

根據(jù)2022 年11 月公布的日本政府2022 年度補(bǔ)充預(yù)算案，半導(dǎo)體計(jì)劃投入1.3 萬億日元：其中研究中心建設(shè)約3 500 億日元，尖端產(chǎn)品生產(chǎn)基地約4 500 億日元，硅晶圓和碳化硅等材料約3 700 億日元。2023 年2 月，日本政府批準(zhǔn)增加28 億美元年度預(yù)算，用于補(bǔ)貼芯片制造設(shè)備、原材料、功率芯片和微控制器幾個(gè)領(lǐng)域內(nèi)的私人投資。

（四）立法支持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，吸引企業(yè)在日本投資

1.修訂半導(dǎo)體相關(guān)法案

2021 年12 月，經(jīng)產(chǎn)省頒布了《促進(jìn)特定信息通信技術(shù)研發(fā)供給和應(yīng)用法（修改案）》和《新能源與產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)法（修正案）》，以法律推動(dòng)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。前者提出新設(shè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施計(jì)劃，對于5G 通信系統(tǒng)不可或缺的、因供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)必須在國內(nèi)生產(chǎn)的特定半導(dǎo)體企業(yè)，在穩(wěn)定生產(chǎn)、穩(wěn)定供給前提下，可向政府申請資助[24]；后者新設(shè)半導(dǎo)體支援基金，通過直接撥款和貸款利息補(bǔ)貼，資助生產(chǎn)特定半導(dǎo)體的企業(yè)擴(kuò)建生產(chǎn)規(guī)模和進(jìn)行設(shè)施維護(hù)。[25]

2023 年5 月，經(jīng)產(chǎn)省公布《外匯法》法令修正案，將先進(jìn)芯片制造所需的23 個(gè)品類的半導(dǎo)體設(shè)備納入出口管制[26]，這些半導(dǎo)體制造設(shè)備涵蓋光刻或曝光、刻蝕、薄膜、熱處理、清洗和測試等六大環(huán)節(jié)，涉及東京電子、愛德萬測試、SCREEN、尼康公司等近10 家企業(yè)。除美國、韓國等42 個(gè)友好國家及地區(qū)之外，每次向他國出口時(shí)都需要獲得經(jīng)產(chǎn)省許可。

2.吸引企業(yè)在日本投資

日本政府提供財(cái)政援助，鼓勵(lì)外國芯片制造商在日建立工廠和研發(fā)機(jī)構(gòu)。2022年5月，日本國會通過《經(jīng)濟(jì)安全保障推進(jìn)法》，設(shè)立政府援助制度：通過政府補(bǔ)貼吸引重要廠商到日本建廠，增強(qiáng)半導(dǎo)體等“特定重要物資”的國內(nèi)生產(chǎn)能力，強(qiáng)化供應(yīng)鏈韌性。自2022 年以來，日本政府已對臺積電、索尼和電裝合資在熊本縣新建的晶圓廠補(bǔ)貼4 760 億日元，約占總資金需求的一半，預(yù)計(jì)在2024 年底量產(chǎn)10—28nm 制程的成熟工藝芯片，月產(chǎn)能可高達(dá)5.5 萬片。[27]為吸引臺積電在日本筑波市建立研發(fā)中心，日本政府補(bǔ)貼190 億日元，支持臺積電與日本國內(nèi)旭化成、IBIDEN、JSP 約20 家機(jī)構(gòu)共同研發(fā)下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)，希望借此重建日本半導(dǎo)體的競爭力。

四、歐盟半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略和舉措

（一）歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

根據(jù)歐盟數(shù)據(jù)，2022 年歐洲半導(dǎo)體銷售占全球半導(dǎo)體市場總體份額的9%，而半導(dǎo)體元件消費(fèi)值約是其生產(chǎn)的元件價(jià)值的兩倍，該年歐盟半導(dǎo)體貿(mào)易逆差近200 億歐元。[28]歐洲在半導(dǎo)體價(jià)值鏈上有很多優(yōu)勢，比如世界領(lǐng)先的研究和技術(shù)組織，優(yōu)秀的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)遍布?xì)W盟各地，讓其在研發(fā)方面具有核心優(yōu)勢；它在大型芯片制造廠所需的材料和設(shè)備方面也處于有利地位。歐洲有50 多家半導(dǎo)體晶圓廠，大多數(shù)生產(chǎn)能力集中在180 納米及以上的節(jié)點(diǎn)；歐洲無晶圓廠企業(yè)在全球收入中的份額很小，僅占2%。[28]其設(shè)計(jì)能力主要體現(xiàn)在模擬、電源、微控制器和MEMS 幾方面。盡管優(yōu)勢較多，歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍然具有結(jié)構(gòu)性缺陷。從設(shè)計(jì)和IP 到前端、后端制造的一些關(guān)鍵環(huán)節(jié)，歐洲嚴(yán)重依賴第三國供應(yīng)商。歐盟認(rèn)為，歐洲必須加強(qiáng)其在半導(dǎo)體方面的能力，以確保其技術(shù)領(lǐng)先地位和供應(yīng)鏈安全。通過成立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、發(fā)布法案等舉措，歐盟著力推動(dòng)歐洲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展、保障其自身供應(yīng)鏈安全、增強(qiáng)獨(dú)立性，確保歐洲未來半導(dǎo)體全球市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

（二）歐盟芯片法案

2023 年9 月，經(jīng)歐洲議會和理事會批準(zhǔn)，《建立加強(qiáng)歐洲半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的措施框架及修改條例》（以下簡稱《歐洲芯片法》）生效?！稓W洲芯片法》通過加強(qiáng)歐盟的制造活動(dòng)、刺激歐洲設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)并支持整個(gè)價(jià)值鏈的擴(kuò)展和創(chuàng)新，確保歐洲在半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用方面的競爭力和韌性，并推動(dòng)歐洲實(shí)現(xiàn)數(shù)字化和綠色轉(zhuǎn)型。《歐洲芯片法》將動(dòng)員430 億歐元的公共和私人投資，目標(biāo)是到2030 年將歐盟在全球芯片生產(chǎn)中的份額從9%增加達(dá)到20%。[29]法案將通過“三大支柱”實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。

支柱1：提出“歐洲芯片倡議”，將通過加快從實(shí)驗(yàn)室到晶圓廠的技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，彌合研究和創(chuàng)新與工業(yè)活動(dòng)之間的鴻溝，促進(jìn)歐洲企業(yè)創(chuàng)新技術(shù)的工業(yè)化，加強(qiáng)歐洲的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。該倡議將得到62 億歐元的公共資金的支持，其中33 億歐元來自歐盟預(yù)算。此外，歐盟還將為半導(dǎo)體技術(shù)提供26 億歐元的公共資金，目標(biāo)是用于開發(fā)和部署下一代尖端半導(dǎo)體和量子技術(shù)，加強(qiáng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成和芯片生產(chǎn)等方面的能力。其主要內(nèi)容包括建立集成半導(dǎo)體技術(shù)大規(guī)模創(chuàng)新設(shè)計(jì)能力；建立一個(gè)覆蓋歐盟全域的創(chuàng)新虛擬設(shè)計(jì)平臺等支持生產(chǎn)、測試及實(shí)驗(yàn)設(shè)施的試驗(yàn)線；支持生產(chǎn)、測試及實(shí)驗(yàn)設(shè)施的試驗(yàn)線，建設(shè)10nm 及以下節(jié)點(diǎn)FD-SOI 試驗(yàn)線、2nm 以下節(jié)點(diǎn)FinFET/GAA 試驗(yàn)線、3D異構(gòu)先進(jìn)封裝試驗(yàn)線等；支持量子芯片的先進(jìn)技術(shù)研究和工業(yè)能力建設(shè)；支持在每個(gè)成員國建立半導(dǎo)體能力中心；促進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用等。

支柱2：激勵(lì)公共組織和私人投資于芯片制造商及其供應(yīng)商的制造設(shè)施，預(yù)計(jì)為430億歐元。為了吸引投資、提高半導(dǎo)體制造業(yè)的生產(chǎn)能力來確保供應(yīng)鏈安全，提出通過為一體化生產(chǎn)設(shè)施開放式晶圓代工廠以及用于半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)設(shè)備等制定法律框架，有助于確保供應(yīng)鏈安全，建立符合歐盟利益的彈性生態(tài)系統(tǒng)。

支柱3：在成員國和委員會之間建立一個(gè)協(xié)調(diào)機(jī)制，加強(qiáng)與成員國的合作，通過監(jiān)測半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈情況，預(yù)測其需求情況，并在危機(jī)階段啟動(dòng)應(yīng)急措施。

（三）歐盟芯片戰(zhàn)略措施

1.強(qiáng)化對歐洲半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和企業(yè)的支持

2021 年9 月，歐盟委員會發(fā)布了《2030 數(shù)字羅盤：歐洲數(shù)字十年之路》計(jì)劃，以推動(dòng)歐洲數(shù)字化轉(zhuǎn)型并縮短歐洲數(shù)字化能力與世界先進(jìn)水平的差距[30]，在“安全高效的可儲蓄數(shù)字化基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)”方面，半導(dǎo)體被列為四大數(shù)字基建之一，歐洲擁有5nm 制程以下芯片的制造能力，并瞄準(zhǔn)2nm 制程芯片，歐洲希望到2030 年，包括處理器在內(nèi)，其尖端和可持續(xù)半導(dǎo)體的產(chǎn)量至少占世界產(chǎn)量的20%。

“地平線歐洲”計(jì)劃將提供16.5 億歐元支持“歐洲芯片倡議”，投資下一代芯片技術(shù)。數(shù)字歐洲計(jì)劃為“歐洲芯片倡議”撥款16.5 億歐元。

此外，2023 年6 月，涉及微電子和通信技術(shù)的歐洲共同利益重要項(xiàng)目（IPCEI）宣布成立，它將在邊緣計(jì)算、人工智能處理器等領(lǐng)域推動(dòng)歐洲芯片戰(zhàn)略的實(shí)施。作為支持《歐洲芯片法》的主要舉措之一，IPCEI 允許在涉及大型綜合跨境項(xiàng)目的情況下進(jìn)行公共融資，從而加強(qiáng)歐盟成員國及半導(dǎo)體行業(yè)的合作，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)的突破性創(chuàng)新。

《歐洲芯片法》通過“芯片基金”向初創(chuàng)企業(yè)、規(guī)模擴(kuò)大企業(yè)和供應(yīng)鏈中的其他公司提供投資股權(quán)支持。此外，歐洲投資銀行將為整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)提供貸款。

2.成立歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和區(qū)域聯(lián)盟

2020 年12 月，19 個(gè)歐盟成員國簽署“歐洲電子芯片和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟計(jì)劃”，2021 年7 月，歐盟委員正式成立該聯(lián)盟，以期改變美國對芯片領(lǐng)域的主導(dǎo)，重振歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，加強(qiáng)開發(fā)下一代處理器和半導(dǎo)體的能力。[31]聯(lián)盟匯集了設(shè)計(jì)和生產(chǎn)微電子芯片等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵參與者，有助于提高其競爭力，強(qiáng)化歐洲的數(shù)字主權(quán)，并滿足對下一代安全、節(jié)能、強(qiáng)大的芯片和處理器的需求。聯(lián)盟行動(dòng)路線聚焦于強(qiáng)化歐洲電子設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)和加強(qiáng)歐洲制造能力兩個(gè)方面。

2023 年9 月，來自12 個(gè)歐盟成員國的27 個(gè)地區(qū)成立了歐洲半導(dǎo)體區(qū)域聯(lián)盟（ESRA），旨在盡快依靠《歐洲芯片法》吸引投資，聯(lián)合促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的增長，發(fā)展強(qiáng)大的價(jià)值鏈。[32]ESRA 將作為一個(gè)區(qū)域平臺和歐盟的合作伙伴，將確保在《歐洲芯片法》框架內(nèi)為各地區(qū)提供盡可能好的創(chuàng)新支持和競爭框架條件，以增加歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)量，在全球范圍內(nèi)提高行業(yè)競爭力。ESRA 的活動(dòng)重點(diǎn)是研究與創(chuàng)新（開發(fā)新技術(shù)和應(yīng)用）、技能和人才（促進(jìn)教育和培訓(xùn)方案）和集群發(fā)展（促進(jìn)區(qū)域集群和跨區(qū)域伙伴關(guān)系）。

五、各國半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展的啟示和對我國的建議

（一）各國半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展的啟示

美、韓、日、歐均出臺扶持半導(dǎo)體芯片科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)法律，強(qiáng)化政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的長期推動(dòng)；以上國家和地區(qū)通過制定半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，明確未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的目標(biāo)和方向，強(qiáng)調(diào)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的自主性和本土化；通過政策引導(dǎo)加強(qiáng)半導(dǎo)體領(lǐng)域科技創(chuàng)新的支持力度；布局和建設(shè)半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，吸引、鼓勵(lì)全球半導(dǎo)體企業(yè)到本土投資,健全本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈；加大對全球高端人才吸引的政策力度。在上述啟示以外我們也應(yīng)看到，美國政府從國家安全角度，對受關(guān)注實(shí)體進(jìn)行技術(shù)和投資限制，美國及日本進(jìn)一步修改相關(guān)法案實(shí)施出口管制，這將加劇半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)競爭，增加全球半導(dǎo)體行業(yè)的不確定性。

（二）對我國的建議

半導(dǎo)體作為信息產(chǎn)業(yè)的基石，重要性不言而喻。近年來我國政府加大了對半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)投入力度，并且伴隨著半導(dǎo)體制造的全球化，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)取得了快速發(fā)展，在2022 年全球半導(dǎo)體市場中，中國大陸占到了7%的份額?？偟膩砜?，我國在半導(dǎo)體封裝和測試等領(lǐng)域已達(dá)到國際一流水平，上中下游產(chǎn)業(yè)鏈基本形成，龍頭企業(yè)不斷壯大，但在半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造、關(guān)鍵材料和設(shè)備等方面，還存在一定短板，和國際先進(jìn)水平相比有一定的差距。面對快速增長的半導(dǎo)體市場規(guī)模以及日益激烈的全球半導(dǎo)體競爭環(huán)境，我國半導(dǎo)體科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)險(xiǎn)和機(jī)遇并存，更加迫切地需要加快自立自強(qiáng)的步伐，構(gòu)建國際合作新格局。

1.制定我國半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展戰(zhàn)略和相關(guān)法律

將半導(dǎo)體芯片自主可控上升為國家發(fā)展的重大戰(zhàn)略，設(shè)立半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)重大科技專項(xiàng)，制定我國半導(dǎo)體科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展長遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，進(jìn)一步明確我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長遠(yuǎn)發(fā)展目標(biāo)、具體措施和現(xiàn)實(shí)路徑，提高戰(zhàn)略實(shí)施的協(xié)同性。加大對我國半導(dǎo)體科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的法律扶持力度，統(tǒng)籌各部門半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新資源，建立我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈創(chuàng)新鏈的聯(lián)合機(jī)構(gòu)，協(xié)調(diào)推動(dòng)我國半導(dǎo)體科技和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2.培育我國半導(dǎo)體領(lǐng)域國家戰(zhàn)略科技力量

進(jìn)一步提高政府和全社會在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)投入，加大對半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用領(lǐng)域的支持力度，加強(qiáng)對半導(dǎo)體技術(shù)未來發(fā)展相關(guān)的物理、化學(xué)、材料等學(xué)科的基礎(chǔ)研究及原創(chuàng)性前沿技術(shù)發(fā)展的重視。建立我國半導(dǎo)體領(lǐng)域的國家技術(shù)創(chuàng)新中心等研發(fā)平臺和創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)，集中我國半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢科技力量，加快半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新速度，贏得國際競爭優(yōu)勢。

3.確保我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全，開展國際合作

圍繞我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各主要環(huán)節(jié)，研判產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈主要問題和風(fēng)險(xiǎn)，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈的本地化、系統(tǒng)化布局，建立我國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全彈性的保障機(jī)制和預(yù)警機(jī)制。發(fā)揮我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等組織整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游的作用，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重點(diǎn)環(huán)節(jié)培育一批具有國際競爭力的世界一流企業(yè)。充分利用我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的市場優(yōu)勢，加強(qiáng)與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)和細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)的合作，吸引全球半導(dǎo)體龍頭機(jī)構(gòu)來華投資；加強(qiáng)與國外半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、標(biāo)準(zhǔn)組織的交流與溝通，積極構(gòu)建我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際合作的新格局。

4.加大我國半導(dǎo)體人才培養(yǎng)和政策扶持力度

開展多渠道的國際合作，吸引國際人才，加大吸引全球高端人才政策的力度；高度重視本土半導(dǎo)體人才和技能培養(yǎng)，在高校設(shè)置相關(guān)專業(yè)，建設(shè)實(shí)驗(yàn)室，擴(kuò)招學(xué)生，培養(yǎng)高端技術(shù)人才。鼓勵(lì)半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)與高?？蒲袡C(jī)構(gòu)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，建立人才培養(yǎng)的創(chuàng)新機(jī)制，確保我國半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展對人才的需求能得到滿足。繼續(xù)加大金融、財(cái)政、稅收等方面的優(yōu)惠力度，發(fā)揮企業(yè)創(chuàng)新主體的作用，加強(qiáng)企業(yè)保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)的意識和規(guī)避意識，鼓勵(lì)半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，確保我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展。