Role of Ce in promoting low-temperature performance and hydrothermal stability of Ce/Cu-SSZ-13 in the selective catalytic reduction of NOx with NH3
領(lǐng)域:催化材料
團(tuán)隊(duì):西安西京大學(xué)電子信息學(xué)院先進(jìn)光電材料與能量轉(zhuǎn)換器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
期 刊:Separation and Purification Technology (impact factor:10.9)1 區(qū)
隨著汽車(chē)保有量的增加,移動(dòng)源廢氣的處理,特別是脫硝(de-NOx)提出了新的挑戰(zhàn)。迫切需要開(kāi)發(fā)具有寬工作溫度窗口的高效脫氮催化劑。本工作通過(guò)離子交換法制備了一系列 Ce 改性的 Cu-SSZ-13 分子篩(Ce/Cu-SSZ-13),其交換時(shí)間不同(x=1,2,4,8 h),并研究了 Ce 在選擇性催化還原(SCR)NOx中對(duì) Ce/Cu-SSZ-13 的低溫脫NOx性能和水熱穩(wěn)定性的促進(jìn)作用。由于 Ce 的改性,特別是交換時(shí)間為2 小時(shí)的 Ce/Cu-SSZ-13,提高了 Cu-SSZ-13 的低溫脫氮性能和水熱穩(wěn)定性。在210 ℃~600 ℃的溫度范圍內(nèi),Ce/Cu-SSZ-13 和 Cu-SSZ-13 的 NOx 轉(zhuǎn)化率均超過(guò) 95%,Ce 改性顯著提高了低溫范圍(120 ℃~210 ℃)內(nèi)的 NOx轉(zhuǎn)化率。結(jié)果表明,Ce 離子交換后,Cu-SSZ-13 上的酸度、表面 Cu2+/Cu+比和 NH3吸附量增加,活性組分Cu2+由于 Ce 的改性而向更穩(wěn)定的六元環(huán)遷移,所有這些都促進(jìn)了 NH3-SCR 脫氮性能的提高。此外,在水熱老化過(guò)程中,Ce 的存在保護(hù)了 Cu-SSZ-13 的骨架、酸性位點(diǎn)和活性組分 Cu2+,極大地提高了 Cu-SSZ-13 分子篩的水熱穩(wěn)定性。此外,原位 DRIFTS表明,所開(kāi)發(fā)的 Ce/Cu-SSZ-13 遵循 Eley-Ridea(E-R)和 Langmuir Hinshelwood(L-H)的雙重機(jī)制進(jìn)行 NH3-SCR 反應(yīng)。這項(xiàng)工作為提高 Cu-SSZ-13的低溫脫氮性能和水熱穩(wěn)定性提供了新的思路。
Transparent Ho,Yb:YAG crystal waveguide inscribed by direct femtosecond laser writing
領(lǐng)域:稀土晶體材料
團(tuán)隊(duì):中國(guó)礦業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與物理學(xué)院
期刊:Optical Materials (impact factor:5.2) 3 區(qū)
在 632.8 nm 的II 型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中證明了有效的單模制導(dǎo)。共聚焦顯微拉曼光譜用于表征晶格損傷軌道和應(yīng)變影響區(qū)域。結(jié)合光束傳播計(jì)算,進(jìn)一步討論了兩種主要晶格變化對(duì)折射率變化的貢獻(xiàn)。對(duì)微發(fā)光進(jìn)行了研究,表明 Ho3+和 Yb3+離子的熒光在Ho,Yb: YAG 波導(dǎo)中得到了很好的保留。
Microwave-assisted hydrothermal synthesis of Ru/CeO2 catalyst for efficient and stable lowtemperature dry reforming of methane
領(lǐng)域:催化材料
團(tuán)隊(duì):加拿大卡爾加里大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與石油工程系
期刊:Fuel (impact factor:11.2)1 區(qū)
Ni 基催化劑作為甲烷干氣重整(DRM)中廣泛使用的催化劑,通常會(huì)在催化劑上產(chǎn)生嚴(yán)重的積炭,導(dǎo)致催化劑失活。同時(shí),由于 DRM 反應(yīng)的操作溫度有降低的趨勢(shì),Ni 基催化劑在低溫 DRM 反應(yīng)中的反應(yīng)活性并不相同。為了減少積炭,并在低溫下獲得更好的反應(yīng)活性,通過(guò)微波輔助水熱法合成了一種新型 Ru/ CeO2催化劑,并在固定床反應(yīng)器中進(jìn)行了低溫 DRM 反應(yīng)。在 600 ℃下反應(yīng) 120 h,CH4轉(zhuǎn)化率大于 58 %,CO2轉(zhuǎn)化率大于 71 %,H2/CO 比大于0.85。XRD、XPS、HAADF-STEM、FTIR 和部分程序升溫實(shí)驗(yàn)等表征結(jié)果表明,微波輻照和葡萄糖的引入對(duì)Ru/ CeO2具有良好的熱穩(wěn)定性和 DRM 反應(yīng)活性起到了重要作用。與 Ni 相比,Ru 作為活性金屬表現(xiàn)出適中的 CH4解離能力,從而表現(xiàn)出優(yōu)異的抗積碳性能。本工作制備的新型 Ru/ CeO2催化劑具有 DRM 反應(yīng)活性高、合成方法簡(jiǎn)單、抗積碳性能好等優(yōu)點(diǎn),為低溫 DRM 反應(yīng)的商業(yè)化提供了新的契機(jī)。
Fabrication and performance optimization of novel(Tb0.9975R0.0025)3Sc2Al3O12 (R=Pr,Ho,Dy,Eu)magneto-optical transparent ceramics
領(lǐng)域:陶瓷材料
團(tuán)隊(duì):中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所光電子材料化學(xué)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,福建省光電子信息科技創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,福建師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院
期刊:Journal of Alloys and Compounds(impact factor:9.6)2 區(qū)
法拉第隔離器需要在高消光比下具有高 Verdet常數(shù)的磁光學(xué)材料。然而,目前的鋱基晶體遇到了一些問(wèn)題,如低 Verdet 常數(shù)(TGG 晶體)、難以生長(zhǎng)(TSAG晶體)和原材料利用率低,這限制了法拉第隔離器的發(fā)展。這里,制備了 R0.0025TSAG(R=Pr,Ho,Dy,Eu)透明陶瓷。該陶瓷在 525 nm~1565 nm 范圍內(nèi)表現(xiàn)出 74.0%以上的高光學(xué)透明度和 98.9%的高相對(duì)密度。特別是 R0.0025TSAG 陶瓷在 1064 nm 處的透射率分別約為 81.6%、81.6%、79.8%和 80.6%。R0.0025TSAG陶瓷在測(cè)量波長(zhǎng)下的 Verdet 常數(shù)大于 TSAG 陶瓷。Dy0.0025TSAG 陶瓷引人注目的磁光性能包括在 635 nm處 161.8±3 rad·m-1·T-1的高 Verdet 常數(shù)。在相同的溫度范圍內(nèi),Dy0.0025TSAG 陶瓷的 Verdet 常數(shù)仍然優(yōu)于 TSAG 陶瓷。R0.0025TSAG(R=Pr,Ho,Dy)陶瓷的消光比超過(guò) 40 dB。優(yōu)缺點(diǎn)指出了 R0.0025TSAG 陶瓷的優(yōu)越特性。此外,成功制備了厚度超過(guò)厘米級(jí)的R0.0025TSAG(R=Pr,Ho,Dy)陶瓷。這項(xiàng)工作表明,Dy0.0025TSAG 陶瓷可以促進(jìn)磁光隔離器的小型化,并可以應(yīng)用于高功率激光器。
Photoluminescence of SiO2:Eu and SiON:Eu films:Color selection through activating emissions from SiOx,Eu3+,and Eu2+
領(lǐng)域:發(fā)光材料
團(tuán)隊(duì):日本 NTT 設(shè)備創(chuàng)新中心,NTT 設(shè)備技術(shù)實(shí)驗(yàn)室
期刊:Ceramics International (impact factor:8.0)1 區(qū)
在 O2、H2O 蒸氣或 O2和 N2氣體的混合物中濺射沉積的摻雜 Eu 的 SiO2(SiON)薄膜的光致發(fā)光(PL)通過(guò)在 325 nm 的波長(zhǎng)下的激發(fā)來(lái)表征。在 500 ℃下用 O2沉積的 SiO2膜含有少量的α-石英納米晶體。Eu3+和 Eu2+排放中的一種或兩種出現(xiàn)的主要條件是Eu 含量在 1 和 3 at.%之間,并且 2.5 at.%給出了Eu3+的最大排放強(qiáng)度。當(dāng)膜在室溫(RT)下沉積并隨后在 O2氣氛中退火時(shí),PL 光譜僅顯示出 Eu3+發(fā)射。將退火氣氛從 O2改變?yōu)檎婵?,并?600 ℃以上的溫度下退火,導(dǎo)致強(qiáng)烈的寬紫色發(fā)射信號(hào)和 Eu3+發(fā)射信號(hào)在 390 nm 處達(dá)到峰值。這種紫色發(fā)射源于減少的 SiOx物種。當(dāng)在室溫下沉積時(shí),無(wú)論反應(yīng)氣體(H2O蒸汽或 O2和 N2的混合物)如何,都可以獲得類(lèi)似的溫度依賴性發(fā)射。當(dāng)在 400 ℃~500 ℃的溫度下進(jìn)行沉積時(shí),Eu3+完全轉(zhuǎn)化為 Eu2+;在 467 nm 左右的藍(lán)色發(fā)射主要來(lái)自 SiO2:Eu2+膜。在升高的溫度下在O2和 N2氣體混合物中沉積產(chǎn)生SiON:Eu2+膜,從中觀察到峰值在 525 nm 且范圍在400 nm~650 nm 之間的強(qiáng)烈白色發(fā)射帶。