孫汪心悅，舒 菲，張志豪，陳 虹，敦芷悅，呂瑋瑾，張青紅，劉 梅

近幾十年來，口腔醫(yī)學(xué)領(lǐng)域?qū)︹伈牧系男枨蟪曙@著上升趨勢(shì)。鈦和鈦合金憑借其強(qiáng)度高、質(zhì)量輕、生物相容性好等優(yōu)點(diǎn)[1-3]，被廣泛應(yīng)用在種植、活動(dòng)修復(fù)等多個(gè)方面。然而，人體口腔是一個(gè)開放、復(fù)雜的環(huán)境，細(xì)菌密度高、數(shù)量多[4-5]，患者長期使用鈦材料過程中容易發(fā)生細(xì)菌感染，如種植體周圍炎、義齒性口炎等[6-7]。目前，臨床上對(duì)口腔細(xì)菌感染性疾病的防治多采用機(jī)械清潔、抗生素等方法，治療效果不穩(wěn)定，易造成抗生素濫用和口腔微生態(tài)失衡，使細(xì)菌產(chǎn)生耐藥性[8]。

為了研究鈦材料表面的抗菌改性，人們已做出多種嘗試[9-10]?，F(xiàn)階段，口腔鈦材料表面改性的抗菌劑可分為有機(jī)和無機(jī)兩大類，有機(jī)抗菌劑(抗生素、抗菌肽等)存在易產(chǎn)生耐藥菌株、易失活、易剝脫等問題[11]；無機(jī)抗菌劑多以金屬/金屬氧化物為主，如銀、銅、氧化鋅等，具有廣譜抗菌性[12-14]。氧化鋅作為無機(jī)抗菌劑的重要代表，被證實(shí)可以通過破壞細(xì)菌細(xì)胞膜、產(chǎn)生活性氧自由基(reactive oxygen species，ROS)等可能的機(jī)制發(fā)揮抗菌作用[15-16]。納米氧化鋅由于具有高比表面積，對(duì)細(xì)菌的親和力更強(qiáng)，抗菌效率也更高[17]。

常見的鈦表面制備氧化鋅的方法包括水熱法、電泳沉積法、磁控濺射法等[18]，但這些方法存在一些局限性，例如水熱法制備過程耗時(shí)、涂層成分相對(duì)單一，電泳沉積和磁控濺射法在精確調(diào)控涂層厚度的參數(shù)上還需進(jìn)一步優(yōu)化改進(jìn)等。20世紀(jì)70年代，芬蘭的Suntola博士首次提出原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)的概念，這是一種氣相薄膜沉積技術(shù)，憑借其獨(dú)特的自限制化學(xué)吸附過程，可以通過控制反應(yīng)循環(huán)次數(shù)精確調(diào)控薄膜沉積厚度，最終在三維襯底上形成均勻、致密、高質(zhì)量的納米級(jí)目標(biāo)薄膜[19-21]。

本實(shí)驗(yàn)擬利用ALD技術(shù)，在光滑純鈦表面制備不同沉積周期的氧化鋅納米薄膜，評(píng)估其理化性能和生物安全性，研究不同沉積周期的氧化鋅對(duì)金黃色葡萄球菌的體外抗菌效果，為口腔新型抑菌鈦材料的設(shè)計(jì)提供參考。

1 材料與方法

1.1 試劑與儀器

純鈦試件(TA3，盛達(dá)興金屬材料有限公司，中國)，SiC砂紙(鷹牌，中國)，拋光膏(美耐特，中國)，丙酮、無水乙醇(分析純，國藥，中國)，小鼠胚胎成骨細(xì)胞前體細(xì)胞(MC3T3-E1，ATCC，美國)，α-MEM培養(yǎng)基(Gibco，美國)，胎牛血清(Gibco，美國)，青霉素-鏈霉素雙抗溶液(Gibco，美國)，磷酸鹽緩沖液(PBS)(Gibco，美國)，CCK-8試劑盒(Beyotime，中國)，金黃色葡萄球菌(S.aureus， ATCC25923)(ATCC，美國)，胰酪大豆胨培養(yǎng)基粉(TSB)(海博，中國)，瓊脂粉(Biofroxx，德國)，4%多聚甲醛(Biosharp，中國)，超聲波清洗機(jī)(XO25-12DT，南京先歐儀器，中國)，ALD反應(yīng)倉(MNT-S200-L3S1，MNT Micro and Nano Co., Ltd，中國)，場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(MAIA3-TESCAN，捷克)，能譜儀(ULTIM MAX 170-OXFORD，英國)，X射線衍射儀(Rigaku SmartLab SE，日本)，水接觸角檢測(cè)儀(Dataphysics OCA20，德國)，多功能酶標(biāo)儀(SpectraMaxM2e，MD，德國),倒置顯微鏡(DMIL LED，Leica，德國)，細(xì)菌濁度計(jì)(WGZ-2XJ，上海昕瑞儀器，中國)。

1.2 制備與表征

1.2.1 純鈦試件的制備 制備厚1 mm、直徑分別為6、15 mm兩種規(guī)格的圓片形純鈦試件。區(qū)分正反面，正面為實(shí)驗(yàn)面，反面刻有劃痕作為區(qū)別。樣品正面經(jīng)400、600、800、1 000目的砂紙逐級(jí)打磨，并用1 500、2 000、3 000、4 000目直至10 000目的拋光膏逐級(jí)拋光，使表面光滑并呈現(xiàn)出金屬光澤。分別用丙酮、75%乙醇和去離子水超聲清洗樣品各30 min，重復(fù)2次，烘箱烘干，真空包裝待用。將試件隨機(jī)分為4份，根據(jù)ALD技術(shù)參數(shù)的不同進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分組，A為光滑鈦組，B為300循環(huán)組，C為600循環(huán)組，D為1 200循環(huán)組。

1.2.2 純鈦表面氧化鋅納米薄膜的ALD制備 使用ALD反應(yīng)倉在鈦片表面制備氧化鋅薄膜，選擇二乙基鋅(DEZn)為鋅源前驅(qū)體，水(H2O)為氧源前驅(qū)體，反應(yīng)溫度200 ℃，反應(yīng)氣壓19 Pa，載氣量20 mL/min。將鈦片正面朝上擺放于反應(yīng)倉的有效反應(yīng)區(qū)內(nèi)，水脈沖30 ms，氮?dú)獯祾?0 s，共50循環(huán)，之后開始反應(yīng)過程：先通入二乙基鋅脈沖30 ms，等待5 s，氮?dú)獯祾?5 s；再通入水脈沖30 ms，等待5 s，氮?dú)獯祾?0 s，以此為一個(gè)生長周期(循環(huán))。此次實(shí)驗(yàn)制備300、600、1 200循環(huán)的共3組樣品。反應(yīng)方程式為：

Ti-OH + C2H5-Zn-C2H5→Ti-O-Zn-C2H5+ C2H6↑，

Ti-O-Zn-C2H5+ H2O→Ti-O-Zn-OH + C2H6↑。

1.2.3 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜儀(EDS) 選擇直徑15 mm的A、B、C、D組試件，正面噴金后用SEM在200 000倍下觀察表面形貌，同時(shí)在每個(gè)試件正面隨機(jī)選取3個(gè)點(diǎn)，用EDS檢測(cè)薄膜元素組成。

1.2.4 X射線衍射儀(XRD) 選擇直徑15 mm的A、B、C、D組試件，用XRD(靶材Cu，管電壓40 kV，電流30 mA)檢測(cè)薄膜的晶型。

1.2.5 水接觸角 選擇直徑15 mm的A、B、C、D組試件，在正面隨機(jī)選取3個(gè)點(diǎn)，用水接觸角檢測(cè)儀檢測(cè)薄膜的親水性。

1.2.6 橢偏儀 選擇直徑15 mm的B、C、D組試件，在正面隨機(jī)選取3個(gè)點(diǎn)，用橢偏儀檢測(cè)鍍膜的厚度。

1.3 純鈦表面氧化鋅納米薄膜的細(xì)胞毒性

1.3.1 細(xì)胞培養(yǎng) 將凍存的MC3T3-E1細(xì)胞系體外復(fù)蘇后，加入α-MEM培養(yǎng)基(含有10%胎牛血清、1%青霉素-鏈霉素雙抗溶液)，在37 ℃、95%相對(duì)濕度、5% CO2細(xì)胞培養(yǎng)箱中靜置培養(yǎng)，每2～3 d換液。顯微鏡下觀察細(xì)胞生長情況，待細(xì)胞密度達(dá)80%后進(jìn)行傳代。

1.3.2 CCK-8實(shí)驗(yàn) 選擇直徑15 mm規(guī)格的試件，清洗消毒后，按照ISO-10993-5標(biāo)準(zhǔn)制備A、B、C、D組樣品浸提液，采用完全培養(yǎng)基浸泡鈦片并放置于細(xì)胞培養(yǎng)箱中24 h。制備30 000個(gè)/mL的MC3T3-E1細(xì)胞懸液，按每孔100 μL的量接種于96孔板中，放入細(xì)胞培養(yǎng)箱中培養(yǎng)。24 h后，棄舊培養(yǎng)基，PBS潤洗，每孔加入100 μL材料浸提液，培養(yǎng)1、3、5、7 d。在各時(shí)間節(jié)點(diǎn)取出孔板，加入CCK-8試劑，避光孵育2 h，用酶標(biāo)儀檢測(cè)各孔溶液在450 nm處的光密度，讀取OD值并進(jìn)行分析。

1.3.3 倒置顯微鏡觀察細(xì)胞形態(tài) 同上述實(shí)驗(yàn)步驟，在材料浸提液培養(yǎng)細(xì)胞的第1、7天，用倒置顯微鏡觀察各組細(xì)胞的形態(tài)，并進(jìn)行對(duì)比分析。

1.4 純鈦表面氧化鋅納米薄膜的抗菌性評(píng)價(jià)

1.4.1 細(xì)菌培養(yǎng) 選擇金黃色葡萄球菌作為抗菌性評(píng)價(jià)的實(shí)驗(yàn)菌株，配制滅菌的胰酪大豆胨液體培養(yǎng)基(TSB)和胰酪大豆胨瓊脂培養(yǎng)基(TSA)待用。將凍存的金黃色葡萄球菌體外復(fù)蘇，接種于TSA平板上，放入37 ℃、5% CO2細(xì)菌培養(yǎng)箱培養(yǎng)直至長出單菌落。用TSB培養(yǎng)基配制細(xì)菌懸液，細(xì)菌濁度計(jì)確定菌液濃度，稀釋調(diào)整為1×106CFU/mL的密度待用。

1.4.2 光密度法 選擇直徑15 mm的A、B、C、D組試件放置于24孔板中，將金黃色葡萄球菌菌懸液以1×106CFU/mL的濃度接種在材料表面，每孔菌液1 mL，放入細(xì)菌培養(yǎng)箱培養(yǎng)，24 h后用酶標(biāo)儀檢測(cè)菌液的光密度值，讀取OD值并進(jìn)行數(shù)據(jù)分析?？咕视?jì)算公式為：抗菌率=(OD值光滑鈦組-OD值實(shí)驗(yàn)組)/OD值光滑鈦組×100%。

1.4.3 SEM觀察細(xì)菌形態(tài) 選擇直徑6 mm的A、B、C、D組試件放置于96孔板中，將金黃色葡萄球菌菌懸液以1×106CFU/mL的密度接種在材料表面，每孔菌液100 μL，放入細(xì)菌培養(yǎng)箱培養(yǎng)，24 h后加入1 mL 4%多聚甲醛4 ℃冰箱過夜固定。之后樣品用30%、50%、70%、80%、90%和100%的乙醇溶液梯度脫水10 min，室溫下干燥。干燥后的樣品表面噴金，用SEM觀察各組樣品表面的細(xì)菌形態(tài)。

1.5 統(tǒng)計(jì)學(xué)分析

實(shí)驗(yàn)結(jié)果采用SPSS22.0軟件進(jìn)行處理，定量數(shù)據(jù)的表示形式為平均值±標(biāo)準(zhǔn)差，通過單因素方差分析檢驗(yàn)組間差異，采用LSD檢驗(yàn)進(jìn)行組間兩兩比較，P<0.05為差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。

2 結(jié) 果

2.1 理化性能結(jié)果

2.1.1 SEM結(jié)果 圖1示，光滑鈦片經(jīng)過逐級(jí)打磨拋光，表面平滑，但仍可見細(xì)小的劃痕和凹坑。B、C、D組鍍有氧化鋅薄膜的樣品表面覆蓋了致密、均勻的結(jié)晶層，具有明顯的晶粒形狀，未見裂紋、氣孔等缺陷。隨著沉積周期數(shù)的增加，B、C、D組鍍膜的晶粒尺寸逐漸變大。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組

2.1.2 EDS結(jié)果 圖2顯示了各組樣品內(nèi)主要元素(Ti、Zn、O、C)含量的變化。A組不含有Zn元素，B、C、D組含有Zn元素，且Zn、O元素含量隨著ALD沉積周期數(shù)的增加而增加。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組

2.1.3 XRD結(jié)果 如圖3所示，對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)數(shù)據(jù)庫可知，35°～36°的衍射峰來自鈦基底，30°～38°的另外3個(gè)衍射峰屬于氧化鋅晶體，分別為(100)、(002)、(101)3個(gè)晶面。A組未檢測(cè)到明顯的氧化鋅晶體衍射峰，B、C、D組樣品中，隨著ALD沉積周期的增加，氧化鋅晶體的3個(gè)衍射峰整體強(qiáng)度增強(qiáng)，半高寬(FWHM)變窄，未表現(xiàn)出對(duì)鈦基底表面生長氧化鋅晶體某一晶向的抑制。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組

2.1.4 水接觸角 如圖4所示，A組的水接觸角為81.42°±1.89°，表現(xiàn)為親水。B、C、D組樣品的接觸角較A組增加，表現(xiàn)為疏水，依次為100.15°±0.88°、97.32°±2.46°、103.70°±1.61°，與A組之間有顯著的統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.000 1)。B組與C、D組之間未表現(xiàn)出統(tǒng)計(jì)學(xué)差異，而C、D組之間存在統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.05)。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組；*：P<0.05，****：P<0.000 1

2.1.5 橢偏儀 B、C、D組試件表面氧化鋅薄膜的厚度依次為(59.54±2.01)、(106.19±0.08)、(214.95±2.57)nm。對(duì)實(shí)驗(yàn)組試件的鍍膜厚度進(jìn)行線性擬合，分析得出氧化鋅薄膜厚度與ALD沉積周期數(shù)之間存在線性關(guān)系(圖5)，氧化鋅薄膜的生長速率(生長速率=鍍膜厚度(?)/循環(huán)數(shù)，10 ? = 1 nm)約為1.74?/循環(huán)。

圖5 橢偏儀結(jié)果的線性擬合Fig.5 Linear fitting of ellipsometer results

2.2 細(xì)胞毒性結(jié)果

2.2.1 CCK-8實(shí)驗(yàn) 如圖6所示，經(jīng)過1、3、5、7 d，A、B、C、D組浸提液共培養(yǎng)的MC3T3-E1細(xì)胞密度隨時(shí)間增加而增大，且均未表現(xiàn)出明顯的細(xì)胞毒性，組間無統(tǒng)計(jì)學(xué)差異。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組

2.2.2 倒置顯微鏡觀察細(xì)胞形態(tài) 如圖7所示，第1、7天，A、B、C、D組浸提液共培養(yǎng)的MC3T3-E1細(xì)胞形態(tài)無明顯差異，細(xì)胞貼壁生長，平鋪伸展，呈現(xiàn)長梭形，細(xì)胞核、細(xì)胞膜邊界清晰。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組

2.3 抗菌性評(píng)價(jià)結(jié)果

2.3.1 光密度法 如圖8所示，與金黃色葡萄球菌共培養(yǎng)24 h后，B、C、D組與A組之間有較顯著的統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.001)，B、C、D組組間的OD值均存在統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.05)；共培養(yǎng)48 h后，B、C、D組與A組之間存在較顯著的統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.001)，B組與D組之間統(tǒng)計(jì)學(xué)差異顯著(P<0.01)，C、D組之間表現(xiàn)出統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P<0.05)。計(jì)算得培養(yǎng)24 h B、C、D組平均抗菌率依次為33.6%、51.4%和65.9%；培養(yǎng)48 h B、C、D組平均抗菌率依次為36.1%、40.5%和52.3%，均表現(xiàn)出明顯的抗菌效果，其中D組抗菌效果最好。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組；*：P<0.05，**：P<0.01，***：P<0.001

2.3.2 SEM觀察細(xì)菌形態(tài) 如圖9所示，A組表面的金黃色葡萄球菌呈現(xiàn)圓球形，表面光滑、完整，形態(tài)規(guī)則，成對(duì)或呈葡萄串珠狀排列；B、C、D組表面的金黃色葡萄球菌形態(tài)出現(xiàn)了不同程度的變化，呈不規(guī)則皺縮，有些出現(xiàn)了細(xì)菌胞膜破裂。

A：光滑鈦組；B：300循環(huán)組；C：600循環(huán)組；D：1 200循環(huán)組

3 討 論

本研究利用ALD技術(shù)，在光滑純鈦表面分別制備了300、600、1 200循環(huán)的3組氧化鋅納米薄膜。通過SEM可以發(fā)現(xiàn)， 200 000倍電鏡放大下的光滑鈦表面平滑，可見一些細(xì)小的打磨劃痕。沉積了氧化鋅后，B、C、D組鍍膜觀察到均勻、致密的晶體層，晶粒尺寸隨著沉積周期數(shù)的增加而增大。EDS結(jié)果表明，B、C、D組薄膜的主要元素組成為Zn、O，沉積周期數(shù)越大，Zn、O元素含量越高。結(jié)合XRD檢測(cè)，證實(shí)B、C、D組薄膜成分為氧化鋅晶體，出現(xiàn)了(100)、(002)、(101)3個(gè)晶面的特征性衍射峰，隨著沉積周期數(shù)的增加，3個(gè)衍射峰整體強(qiáng)度增強(qiáng)，半高寬(FWHM)變窄。根據(jù)Scherrer公式，衍射峰的半高寬可以判斷晶體晶粒尺寸的大小，半高寬越窄，意味著晶粒尺寸越大，晶體的結(jié)晶度越高[22]，這個(gè)結(jié)果與本實(shí)驗(yàn)中SEM觀察到的形貌一致。

橢偏儀結(jié)果顯示，ALD制備的氧化鋅薄膜厚度為納米級(jí)，沉積周期與薄膜厚度之間符合線性關(guān)系，其生長速率約為1.74?/循環(huán)，與文獻(xiàn)提供的參考值1.6～1.9?/循環(huán)相符[23]。綜合上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果，本實(shí)驗(yàn)制備的氧化鋅納米薄膜致密、均勻，生長速率穩(wěn)定，有著通過改變沉積周期參數(shù)精準(zhǔn)調(diào)控薄膜厚度的典型特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。

細(xì)胞毒性CCK-8實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，4組樣品浸提液培養(yǎng)的MEC3T3-E1細(xì)胞數(shù)量在1～7 d呈逐漸增長趨勢(shì)，與光滑鈦組相比，各實(shí)驗(yàn)組均未表現(xiàn)出明顯的細(xì)胞毒性。倒置顯微鏡觀察可見各實(shí)驗(yàn)組培養(yǎng)的細(xì)胞在1、7 d的形態(tài)與光滑鈦組均無明顯差別，細(xì)胞貼壁生長、形態(tài)良好。結(jié)合以上結(jié)果，B、C、D組氧化鋅納米薄膜具有良好的生物安全性。

本實(shí)驗(yàn)體外抗菌結(jié)果顯示，B、C、D組氧化鋅納米薄膜24 h抗菌效果明顯，抗菌率分別為33.6%、51.4%和65.9%；48 h后，菌液OD值有所上升，但各實(shí)驗(yàn)組的抗菌率依然維持在36.1%、40.5%和52.3%，D組在24 h和48 h的抗菌率是3個(gè)實(shí)驗(yàn)組中最高的，與B、C組之間存在統(tǒng)計(jì)學(xué)差異。Song等[24]的研究表明，材料的疏水性可以抑制細(xì)菌生物膜的黏附，口腔齦上環(huán)境的波動(dòng)剪切作用也使得疏水表面的生物膜更易脫落。經(jīng)檢測(cè)，A組光滑鈦的水接觸角為81.42°±1.89°，表現(xiàn)為親水，B、C、D組氧化鋅薄膜的水接觸角分別為100.15°±0.88°、97.32°±2.46°、103.70°±1.61°，較A組增大，表現(xiàn)為疏水。這種改變可能來自原子層沉積的反應(yīng)過程，前驅(qū)體二乙基鋅需要與基底材料表面的羥基進(jìn)行結(jié)合，從而使材料帶有鋅元素，這個(gè)反應(yīng)會(huì)消耗掉材料表面的羥基，使材料與空氣界面表現(xiàn)為水接觸角的增大。也有學(xué)者認(rèn)為，ALD沉積金屬氧化物的疏水性并非金屬氧化物本身固有的特性，而是來自材料表面對(duì)碳?xì)浠衔锏奈絒25]。研究表明，親水性的骨植入材料表面傾向于在植入初期促進(jìn)細(xì)胞黏附與增殖分化[26-27]。然而，親水性并非影響材料植入初期穩(wěn)定性的唯一因素，材料的化學(xué)組成、表面形貌、粗糙度等也與之相關(guān)[28]。此外，臨床推廣的不同品牌、型號(hào)種植體的水接觸角也存在巨大差異，有研究總結(jié)了部分商業(yè)種植體表面親水性的現(xiàn)有發(fā)表數(shù)據(jù)，數(shù)值分布在0°～150°[28-29]。

目前，氧化鋅的抗菌機(jī)制依然不明確，但結(jié)合文獻(xiàn)可以大致歸納為3個(gè)方面：①釋放游離鋅離子破壞細(xì)胞膜的極性狀態(tài)，或與胞內(nèi)蛋白酶分子結(jié)合使之結(jié)構(gòu)改變；②直接與細(xì)胞膜表面接觸發(fā)生作用，使胞膜變性導(dǎo)致?lián)p傷；③受可見光激活產(chǎn)生大量氧自由基(ROS)，破壞胞膜進(jìn)入菌體內(nèi)殺菌[15-16，30-31]。結(jié)合體外抗菌實(shí)驗(yàn)、橢偏儀實(shí)驗(yàn)結(jié)果及ALD反應(yīng)過程可得，ALD沉積周期數(shù)越高則氧化鋅薄膜的厚度越厚，氧化鋅含量越高，可使更多的細(xì)菌胞膜變性、破壞直至細(xì)菌損傷，故D組表現(xiàn)出最好的抗菌效果。同時(shí)SEM觀察可知，B、C、D組材料表面的金黃色葡萄球菌存在不同程度的皺縮和破裂，與A組正常狀態(tài)下飽滿、完整、串珠狀外觀形成鮮明對(duì)比，由此推測(cè)，氧化鋅破壞了細(xì)菌的胞膜完整性。然而，該過程是否與產(chǎn)生ROS有關(guān)，有待進(jìn)一步研究。此外，ALD技術(shù)參數(shù)調(diào)節(jié)對(duì)氧化鋅納米薄膜抗菌效應(yīng)的具體影響、氧化鋅鋅離子釋放與抗菌作用的關(guān)系等問題，也需更多的探索。

綜上所述，本研究利用ALD技術(shù)在光滑純鈦表面制備了不同沉積周期的氧化鋅納米薄膜，薄膜均勻、致密，厚度隨沉積周期數(shù)增加而增加，具有良好的生物安全性和明顯的體外抗金黃色葡萄球菌效果，其中D組(1 200循環(huán))在各實(shí)驗(yàn)組中抗菌效果最好。