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基于深度學(xué)習(xí)的配電線路瓷絕緣子缺陷識(shí)別

2023-03-04 03:14嚴(yán)宇平吳廣財(cái)王澤涌
工業(yè)加熱 2023年1期
關(guān)鍵詞:絕緣子配電深度

嚴(yán)宇平, 吳廣財(cái), 王澤涌

(1.廣東電網(wǎng)有限公司,廣東 廣州 510699; 2.廣東電力信息科技有限公司,廣東 廣州 510630)

在配電線路中,絕緣子是一個(gè)非常重要的部件,其制作材料都是一些如陶瓷、橡膠等高強(qiáng)度絕緣材料,可以很好地支撐電網(wǎng)的運(yùn)行,并起到絕緣的作用[1]。智能電網(wǎng)的建設(shè)成效逐漸加強(qiáng),增加了陶瓷絕緣子的使用數(shù)量,絕緣子帶來的配電線路故障也越來越多。每年由絕緣子引發(fā)的電力事故占50%以上,絕緣子缺陷主要受到配電線路的工作環(huán)境、氣候環(huán)境等因素影響,導(dǎo)致絕緣子的機(jī)械結(jié)構(gòu)被破壞[2]。如果絕緣子出現(xiàn)缺陷,就會(huì)提高配電線路發(fā)生故障的風(fēng)險(xiǎn),嚴(yán)重威脅著電網(wǎng)的安全運(yùn)行,保證絕緣子的工作狀態(tài)對電網(wǎng)的運(yùn)行具有重要作用[3]。

目前相關(guān)領(lǐng)域針對絕緣子缺陷檢測進(jìn)行了研究,并取得了一定的研究成果。文獻(xiàn)[4]提出了基于無人機(jī)電力巡檢技術(shù)的絕緣子缺陷檢測方法,先處理巡檢得到的缺陷圖像,通過轉(zhuǎn)換缺陷圖像的顏色空間,避免光照強(qiáng)度對絕緣子缺陷圖像產(chǎn)生影響,根據(jù)最大類間方差原理,對絕緣子缺陷圖像閾值進(jìn)行分割,通過判斷缺陷圖像的像素個(gè)數(shù),準(zhǔn)確定位絕緣子缺陷位置處的坐標(biāo),經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),該方法可以準(zhǔn)確檢測到絕緣子缺陷,但識(shí)別精度較低。文獻(xiàn)[5]提出了基于航拍影像的輸電線路絕緣子缺陷識(shí)別,通過無人機(jī)搭載高分相機(jī)采集輸電線路信息,對采集到的影像進(jìn)行檢測,減少了高壓線路檢查作業(yè)時(shí)存在危險(xiǎn),仿真結(jié)果發(fā)現(xiàn)該方法在絕緣子缺陷識(shí)別中具有較高的精準(zhǔn)度,提高了輸電線路的巡檢水平,但該方法的識(shí)別精度還需要改進(jìn)。

在計(jì)算機(jī)視覺與電子信號(hào)處理領(lǐng)域中,深度學(xué)習(xí)得到了廣泛的應(yīng)用,與其他學(xué)習(xí)方法相比,深度學(xué)習(xí)包含多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),通過在不同層級(jí)提取出抽象特征,提高其學(xué)習(xí)能力,采用深度學(xué)習(xí)處理絕緣子缺陷圖像,可以有效提升電力系統(tǒng)巡檢的智能化程度。基于以上研究,本文將深度學(xué)習(xí)應(yīng)用到了配電線路絕緣子缺陷識(shí)別中,從而提高配電線路的巡檢水平。

1 配電線路瓷絕緣子缺陷識(shí)別方法設(shè)計(jì)

1.1 檢測配電線電子信號(hào)的路瓷絕緣子缺陷

在配電線路中,通常采用電流-電壓法測試瓷絕緣子的可靠性,測試原理如圖1所示。

圖1 瓷絕緣子可靠性測試原理

圖1中,Ri為電源等效電阻,R+jX為等效絕緣體阻抗,En為測試電源電壓為,R0為采樣電阻。被檢測的配電線路瓷絕緣子連接在E和L中間,G在測試中的作用是屏蔽外界干擾信號(hào)。

利用兆歐表測試配電線路電源電壓[6],實(shí)際上就是E和G之間的電壓值UEG,配電線路的電壓誤差就是UEG與En之間的差值,可以利用式(1)計(jì)算得到:

(1)

配電線路在運(yùn)行時(shí),電壓誤差通常控制在±5%~10%[7],配電線路的電源負(fù)載特性參照式(1)的計(jì)算,得到誤差范圍為

(2)

式中:ΔUEG為配電線路電源的負(fù)載電壓。

在測量配電線路瓷絕緣子的極化系數(shù)時(shí),對電源10 min以內(nèi)的穩(wěn)定性提出以下約束:

(3)

引入測試電壓波紋系數(shù)[8],衡量配電線路的測試電源,那么電源電壓中的波紋含量計(jì)算公式為

(4)

式中:ΔUr為配電線路在電壓波動(dòng)分量上的峰值。根據(jù)式(4)的計(jì)算,配電線路測試電壓的波紋會(huì)影響電流的穩(wěn)定性和瓷絕緣子的正常極化,嚴(yán)重時(shí)還會(huì)對采樣電阻R0的電壓測量準(zhǔn)確性造成影響[9],如果想要增加配電線路電源電壓的測量誤差,配電線路的測試電壓波紋系數(shù)需要滿足以下條件:

(5)

在測試配電線路瓷絕緣子的可靠性時(shí),將電源充電的等效電阻設(shè)為Rs,那么配電線路的電容充電時(shí)間常數(shù)可以表示為

γ=Rs·C

(6)

式中:C為配電線路中分布電容的大小。

配電線路瓷絕緣子缺陷在檢測時(shí),配電線路E和L之間短路的電流可以表示為

(7)

式中:Id的值越大,說明檢測結(jié)果越好。根據(jù)以上計(jì)算過程,檢測出配電線路的瓷絕緣子缺陷。

1.2 基于深度學(xué)習(xí)定位檢索瓷絕緣子缺陷圖像特征

采用深度學(xué)習(xí)定位檢索配電線路瓷絕緣子的缺陷特征,根據(jù)配電線路瓷絕緣子表面的缺陷區(qū)域分布規(guī)律,確定檢索區(qū)域的數(shù)量。

將配電線路瓷絕緣子缺陷的初始化分類數(shù)量定義為c=2,計(jì)算了瓷絕緣子缺陷圖像的深度學(xué)習(xí)中心和隸屬度函數(shù),公式為

(8)

式中:vi為瓷絕緣子缺陷圖像中第i類缺陷特征的學(xué)習(xí)中心;xk為瓷絕緣子缺陷樣本數(shù)量;m為深度學(xué)習(xí)因子;k為瓷絕緣子缺陷圖像的像素;uik為瓷絕緣子缺陷圖像的像素隸屬度,計(jì)算公式為

(9)

判斷第二次計(jì)算得到的隸屬度函數(shù)是否接近第一次迭代的數(shù)值,如果不接近,就需要利用公式(8)和公式(9)再計(jì)算一次深度學(xué)習(xí)中心和隸屬度函數(shù)[11]。

根據(jù)以上計(jì)算結(jié)果,確定了深度學(xué)習(xí)特征的最佳數(shù)量,表達(dá)式為

(10)

式中:vj為瓷絕緣子缺陷圖像中第i類特征的學(xué)習(xí)中心;c′為瓷絕緣子缺陷分類的有效函數(shù)值。

利用深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)瓷絕緣子缺陷的隸屬度函數(shù)值[12],將瓷絕緣子缺陷圖像的像素k歸為i?類,那么配電線路瓷絕緣子缺陷特征的定位檢索結(jié)果為

i?=argmax(uik),i?∈[1,c]

(11)

根據(jù)式(11)的計(jì)算結(jié)果,對配電線路瓷絕緣子缺陷特征進(jìn)行了定位檢索。

1.3 識(shí)別配電線路瓷絕緣子缺陷

根據(jù)配電線路瓷絕緣子缺陷的定位檢索結(jié)果,先對瓷絕緣子缺陷圖像進(jìn)行二值化處理,識(shí)別出瓷絕緣子缺陷。

假設(shè)配電線路瓷絕緣子缺陷圖像為I,表示為

I=D+B+N

(12)

式中:D為瓷絕緣子缺陷目標(biāo);B為瓷絕緣子缺陷圖像的背景;N為圖像噪聲。

對于瓷絕緣子缺陷目標(biāo)D而言,如果存在一個(gè)完備的瓷絕緣子缺陷字典庫ΦD∈Rl×lD,求解得到瓷絕緣子缺陷圖像的二值解[13],表示為

(13)

式中:α為瓷絕緣子缺陷圖像的稀疏性。

按照以上處理過程,通過變換瓷絕緣子缺陷圖像,得到瓷絕緣子缺陷圖像的二值化處理結(jié)果,即

(14)

式中:λ為權(quán)重變量;αD為缺陷圖像的合成系數(shù);αb為分解系數(shù)。

對于深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)的卷積層,對瓷絕緣子缺陷圖像的二值化處理結(jié)果進(jìn)行卷積運(yùn)算,利用激勵(lì)函數(shù)獲取瓷絕緣子缺陷的特征圖,推算過程描述為

y=f(wx+b)

(15)

式中:w為深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重;b為偏置值;f為學(xué)習(xí)系數(shù)。

由于配電線路缺陷圖像的樣本個(gè)數(shù)比較少,缺陷圖像的維度也比較低[14],為了防止深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)在訓(xùn)練時(shí)出現(xiàn)過擬合的現(xiàn)象,定義了如公式(16)所示的激勵(lì)函數(shù),即

f(x)=max(0,x)

(16)

激勵(lì)函數(shù)在訓(xùn)練深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)時(shí),不僅可以簡化計(jì)算過程,還可以加快網(wǎng)絡(luò)的收斂速度。

在深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)的全連接層,可以將卷積層輸出的瓷絕緣子缺陷圖像轉(zhuǎn)換成一維矢量,識(shí)別出配電線路的缺陷。

深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)需要定義一個(gè)代價(jià)函數(shù),用來度量網(wǎng)絡(luò)輸出的期望值和真實(shí)值的誤差,把代價(jià)函數(shù)定義為

(17)

式中:C為深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)的代價(jià)函數(shù);x為網(wǎng)絡(luò)的輸入值;y為網(wǎng)絡(luò)的輸出值;a為期望值;n為瓷絕緣子缺陷圖像的樣本數(shù)量。

為了計(jì)算出深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)中代價(jià)函數(shù)的最小值,需要計(jì)算w和b的梯度值,計(jì)算公式為

(18)

(19)

通過式(18)和式(19)的計(jì)算,w和b的梯度值與偏置差之間存在一定聯(lián)系[15],訓(xùn)練深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)就是為了求解得到符合最小C對應(yīng)的w和b,從而識(shí)別出配電線路瓷絕緣子缺陷。

2 實(shí)驗(yàn)分析

為了驗(yàn)證基于深度學(xué)習(xí)的配電線路瓷絕緣子缺陷識(shí)別方法的有效性,在輸入圖像之前,需要先對絕緣子圖像進(jìn)行預(yù)處理,從而適應(yīng)深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)的輸入。將原始絕緣子圖像的高度和寬度限制在224以內(nèi),高度和寬度的比例不變,得到224×224的絕緣子輸入圖像,絕緣子圖像的預(yù)處理變化如圖2所示。

圖2 絕緣子圖像的預(yù)處理變化

在配電線路瓷絕緣子圖像中,有2 500張正常圖像和400張缺陷圖像,隨機(jī)挑選出500張正常圖像和80張缺陷圖像作為測試集,其余絕緣子圖像作為訓(xùn)練集。

2.1 設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù)

基于圖像預(yù)處理結(jié)果,設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù)如表1所示。

表1 實(shí)驗(yàn)參數(shù)

2.2 結(jié)果與分析

利用預(yù)處理之后的500張正常圖像和80張缺陷圖像,在表1實(shí)驗(yàn)參數(shù)的支撐下,引入文獻(xiàn)[4]方法和文獻(xiàn)[5]方法進(jìn)行對比,分別對瓷絕緣子脫落、灼蝕和破損等缺陷進(jìn)行識(shí)別,測試了三種方法的Fβ指標(biāo),用于衡量瓷絕緣子的識(shí)別精度,F(xiàn)β的計(jì)算公式如下:

(20)

式中:β為調(diào)節(jié)參數(shù);P為識(shí)別到的缺陷樣本數(shù)量;R為總樣本數(shù)量。

三種方法識(shí)別瓷絕緣子脫落缺陷的Fβ指標(biāo)測試結(jié)果如圖3所示。

圖3 瓷絕緣子脫落缺陷的Fβ指標(biāo)測試結(jié)果

從圖3的結(jié)果可以看出,采用文獻(xiàn)[4]方法時(shí),由于無人機(jī)巡檢的瓷絕緣子缺陷圖像不夠清晰,導(dǎo)致缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)偏低;采用文獻(xiàn)[5]方法時(shí),得到缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)初始值只有5,但是隨著實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行,文獻(xiàn)[5]方法訓(xùn)練效果越來越好,當(dāng)樣本數(shù)量達(dá)到80個(gè)時(shí),缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)達(dá)到最大值,為6.95;采用所提識(shí)別方法時(shí),得到缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)明顯高于其他兩種識(shí)別方法,而且隨著樣本數(shù)量的增加,缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)越來越大,當(dāng)樣本數(shù)量達(dá)到80個(gè)時(shí),缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)達(dá)到了9,因此,說明所提識(shí)別方法對瓷絕緣子脫落缺陷的識(shí)別精度更高。

三種方法識(shí)別瓷絕緣子灼蝕缺陷的Fβ指標(biāo)測試結(jié)果如圖4所示。

圖4 瓷絕緣子灼蝕缺陷的Fβ指標(biāo)測試結(jié)果

從圖4的結(jié)果可以看出,三種識(shí)別方法對瓷絕緣子灼蝕缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)比瓷絕緣子脫落缺陷低,采用所提識(shí)別方法識(shí)別30個(gè)灼蝕缺陷樣本時(shí),得到缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)仍然可以達(dá)到9,隨著樣本數(shù)量的增加,灼蝕缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)開始逐漸下降,但是依舊可以將灼蝕缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)控制在8以上,因此,說明所提識(shí)別方法的精度更高。

三種方法識(shí)別瓷絕緣子破損缺陷的Fβ指標(biāo)測試結(jié)果如圖5所示。

圖5 瓷絕緣子破損缺陷的Fβ指標(biāo)測試結(jié)果

從圖5的結(jié)果可以看出,所提識(shí)別方法對瓷絕緣子破損缺陷識(shí)別的Fβ指標(biāo)是最高的,采用所提識(shí)別方法時(shí),瓷絕緣子破損缺陷的Fβ指標(biāo)始終高于8,當(dāng)樣本數(shù)量超過40個(gè)時(shí),瓷絕緣子破損缺陷的Fβ指標(biāo)值處于穩(wěn)定變化的階段,說明所提識(shí)別方法在識(shí)別瓷絕緣子破損缺陷時(shí),具有更高的精度。

3 結(jié) 語

針對絕緣子出現(xiàn)缺陷,引發(fā)配電線路發(fā)生故障的風(fēng)險(xiǎn),提出了基于深度學(xué)習(xí)的配電線路瓷絕緣子缺陷識(shí)別方法研究,通過深度學(xué)習(xí)定位檢索瓷絕緣子缺陷圖像特征,實(shí)現(xiàn)配電線路瓷絕緣子缺陷識(shí)別,通過實(shí)驗(yàn)測試可知,該方法在識(shí)別瓷絕緣子脫落、灼蝕和破損等缺陷時(shí),缺陷識(shí)別指標(biāo)均可達(dá)到9以上,具有更高識(shí)別精度。但是該研究還存在很多需要改進(jìn)的地方,在今后的研究中,希望可以應(yīng)用極限學(xué)習(xí)機(jī)改進(jìn)深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò),進(jìn)一步提高瓷絕緣子缺陷識(shí)別精度。

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