近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破,首次實現(xiàn)了具有亞1納米柵極長度的晶體管,并具有良好的電學(xué)性能。。這一成果3月10日以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題,在線發(fā)表在國際頂級學(xué)術(shù)期刊《自然》上。據(jù)介紹,目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12nm以上,日本在2012年實現(xiàn)了等效3nm的平面無結(jié)型硅基晶體管,2016年美國實現(xiàn)了物理柵長為1nm的平面硫化鉬晶體管,而清華大學(xué)目前實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34nm。