閆 康,周思引,聶萬勝,朱康武,朱浩然,吳其駿
(1. 航天工程大學(xué)·北京·101416;2.上海航天控制技術(shù)研究所·上海·201109)
航天器在軌運(yùn)行需要高精度的推力控制,對推力器的壽命也有很高要求,尤其在深空探測任務(wù)中,航天器有效載荷小、液體推進(jìn)劑長期儲存難、無補(bǔ)給等問題限制了航天器的壽命和載荷能力[1-2],電推進(jìn)技術(shù)可以解決上述問題[3-6]。電推進(jìn)是一種利用太陽能產(chǎn)生的電能電離推進(jìn)劑工質(zhì),并加速電離工質(zhì)從而產(chǎn)生推力的空間推進(jìn)方式。各種電推進(jìn)類型中,考夫曼離子推力器工質(zhì)利用率高達(dá)90%,效率可達(dá)60%[7-9],壽命近萬小時(shí),在空間電推進(jìn)領(lǐng)域應(yīng)用中占比非常大,是未來航天器推進(jìn)技術(shù)發(fā)展的重要方向之一。
對于離子推力器,磁場位形在很大程度上決定了電離率,進(jìn)而影響了推力器核心性能。圍繞考夫曼離子推力器放電室磁場設(shè)計(jì),國內(nèi)外開展了眾多研究:M.J.Patterson等[10-11]針對30cm考夫曼離子推力器進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)放電室內(nèi)磁場等值線在0.005T時(shí),放電室壁面電流損失降低了10%;在RC3考夫曼離子推力器[12]、BBM-1推力器[13]和美國的NEXT推力器[14]的研究過程中,也都對陰極極靴位形進(jìn)行了試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)存在一個(gè)最優(yōu)值,使得推力器的核心性能參數(shù)達(dá)到最優(yōu)。
極靴會引導(dǎo)磁力線在放電室內(nèi)的走勢,進(jìn)而對放電室內(nèi)電子密度和電子溫度等參數(shù)產(chǎn)生影響,是決定推力器性能的重要因素之一。為此,通常需要開展大量的地面試驗(yàn)以優(yōu)化極靴結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),但是大量電推進(jìn)地面試驗(yàn)需要消耗大量的推進(jìn)劑,導(dǎo)致試驗(yàn)成本很高,試驗(yàn)周期較長。隨著計(jì)算機(jī)軟硬件的飛速發(fā)展,通過數(shù)值仿真對多物理場模擬已成為可能,采用數(shù)值仿真手段研究離子推力器工作性能參數(shù),已成為當(dāng)前電推進(jìn)研究領(lǐng)域的趨勢。
當(dāng)前對考夫曼離子推力器的設(shè)計(jì)研究,大都是圓柱形和錐形-直段形結(jié)構(gòu)[15-16],然而絕大多數(shù)衛(wèi)星采用立方體構(gòu)型。從制造和裝配的角度看,推力器采用立方體構(gòu)型較傳統(tǒng)構(gòu)型更有優(yōu)勢,有利于快速批量化生產(chǎn)。鑒于此,本文針對自主設(shè)計(jì)的立方體式考夫曼離子推力器,開展了陰極極靴結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究,通過數(shù)值仿真手段獲得了不同陰極極靴結(jié)構(gòu)下的放電室特征參數(shù),給出了陰極極靴設(shè)計(jì)建議。
自主設(shè)計(jì)的立方體式考夫曼離子推力器結(jié)構(gòu)如圖1所示,采用柱狀永磁體(銣鐵硼Nd-Fe-B),極靴可以引導(dǎo)放電室內(nèi)部的磁場分布,達(dá)到磁場強(qiáng)度要求,也滿足磁鋼對工作溫度的條件,降低了設(shè)計(jì)和試驗(yàn)難度。推力器整體為長方體結(jié)構(gòu),相較于圓柱形推力器,航天器在運(yùn)行過程中長方體不易滾動(dòng),質(zhì)心不容易發(fā)生偏移,且易于模塊化組裝。考夫曼型離子推力器根據(jù)磁場結(jié)構(gòu)可分為強(qiáng)發(fā)散場、環(huán)形會切場、柱形會切場三種類型,本文研究關(guān)注的是小功率離子推力器,通常選擇強(qiáng)發(fā)散場直流放電室結(jié)構(gòu),其磁場位形布局相對簡單,體積小,質(zhì)量小。離子推力器工作時(shí),主陰極發(fā)射電子在電場作用下進(jìn)入放電室內(nèi),磁場約束電子在放電室內(nèi)且增加運(yùn)動(dòng)路程,在與電場的共同作用下,電子與工質(zhì)發(fā)生碰撞產(chǎn)生離子,離子通過柵極加速引出。為防止離子在航天器表面附著等情況影響航天器本體電位,中和器產(chǎn)生電子在電場作用下與出口離子束流進(jìn)行中和。
圖1 立方體式考夫曼離子推力器結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Cube Kaufman ion thruster structure diagram
參考LIPS-100圓柱形離子推力器[17]陰極極靴內(nèi)徑,以及SERT-II圓柱形推力器[18]陰極極靴長度和內(nèi)徑值,根據(jù)考夫曼離子推力器陰極極靴初步設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)式(1)和式(2),選取立方體陰極極靴徑向截面為長方形結(jié)構(gòu),長度范圍為15~25mm,長寬等比例變化,陰極極靴深入放電室內(nèi)部10mm。
DK≈0.4Dd
(1)
LK≈0.5DK
(2)
式中,DK為陰極極靴內(nèi)徑;Dd為放電室口徑;LK為陰極極靴長度。
推力器陰極極靴設(shè)計(jì)依據(jù)經(jīng)驗(yàn)式(1)和式(2),選取三種不同極靴結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究,具體構(gòu)型尺寸如表1所示。
表1 陰極極靴五種結(jié)構(gòu)
電子密度ne和電子能量密度nε分別由漂移擴(kuò)散方程式(3)~式(10)計(jì)算
(3)
(4)
De=μeTe
(5)
Dε=μεTe
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
電子源與電子能量損失的計(jì)算式為
(11)
式中,M為參與電子變化反應(yīng)的數(shù)量;P為非彈性電子與中性碰撞反應(yīng)的數(shù)量;xj為關(guān)于反應(yīng)j中目標(biāo)物的摩爾分?jǐn)?shù);kj為反應(yīng)j速率系數(shù)(m3/s);Nn為中性粒子數(shù)密度(/m3);Δεj為反應(yīng)j中損失的能量(eV)。
由于永磁體產(chǎn)生強(qiáng)磁場,故電子遷移率計(jì)算式為
(12)
式中,μdc為無磁場情況下的電子遷移率(m2/(V·s));Bx、By和Bz分別為磁場在x、y和z方向上的磁場分量(T)。
根據(jù)離子推力器試驗(yàn)結(jié)果[19],數(shù)值模擬中電子與氙離子初始密度為1×1017/m3,空心陰極產(chǎn)生電子速率為4.2×1024/(m3·s)[20],電子初始溫度為4eV,放電室內(nèi)壓強(qiáng)為0.1Pa,陽極電壓為40V,陰極極靴與屏柵極電壓為0V。
圖2 推力器三維模型Fig.2 3D model of thruster
由于設(shè)計(jì)推力器為立方體式,所以不能采取二維軸對稱簡化計(jì)算模型,實(shí)際計(jì)算區(qū)域?yàn)檎麄€(gè)三維立方體離子推力器,如圖2所示。設(shè)置空心陰極發(fā)射的電子在底部陰極極靴中心釋放,經(jīng)過陽極的電場和極靴引導(dǎo)的磁場共同作用下,進(jìn)行霍爾漂移運(yùn)動(dòng),并和中性粒子發(fā)生碰撞電離等,其中部分電子和離子與極靴、陽極和放電室內(nèi)壁發(fā)生碰撞,電子到達(dá)放電室出口都視為消失,不考慮電子二次發(fā)射。
數(shù)值計(jì)算中的空間步長和時(shí)間步長對計(jì)算穩(wěn)定性有著決定性影響,根據(jù)導(dǎo)心理論[21],帶電粒子在一定距離內(nèi)自身電場會對外部電場產(chǎn)生影響,所以網(wǎng)格劃分中需要考慮德拜長度[22],時(shí)間步長設(shè)置應(yīng)小于回旋頻率的倒數(shù)[23]。
(13)
式中,λD為德拜長度(m);ε0為真空介電常數(shù)(8.85×10-12F/m);k為玻耳茲曼常數(shù)(1.38×10-23J/K);ni為氙離子密度(/m3);e為帶電粒子電荷量;電子溫度Te取4eV。
(14)
式中,m為氙離子質(zhì)量(2.18×10-25kg);ωp為回旋頻率;求出時(shí)間步長dt<1.7677×10-8。
考慮數(shù)值計(jì)算收斂問題[24],由能量守恒定律求出最大速度和時(shí)間步長
(15)
(16)
式中,Δφ為陽極與入口處電勢差(V);dl為網(wǎng)格邊長(m);vmax為最大速度(m/s)。綜合考慮,本模型網(wǎng)格邊長需小于德拜長度λD:max(Δx,Δy,Δz)<1×10-5m,Δx、Δy、Δz分別為每個(gè)網(wǎng)格在x、y、z方向上的變化量(m);時(shí)間步長取dt=1×10-10s。
圖3所示為不同極靴結(jié)構(gòu)瞬態(tài)放電室內(nèi)磁場分布和電子密度分布云圖。磁力線由磁鐵發(fā)出,經(jīng)極靴引導(dǎo)至放電室內(nèi)部。縱向?qū)Ρ炔煌Y(jié)構(gòu)工況可見,隨著陰極極靴內(nèi)徑增大,磁場的均勻性和強(qiáng)度逐漸下降。結(jié)構(gòu)一和結(jié)構(gòu)二的磁場分布明顯不對稱,隨著內(nèi)徑增大,放電室中心磁場強(qiáng)度下降,電子的運(yùn)動(dòng)路程發(fā)生變化,電子密度最大值從3.5×1018/m3降至4.12×1017/m3;但是電子密度分布有所改善,電子密度最小值從1.27×1014/m3提高至3.97×1014/m3。
圖4給出了放電室出口沿徑向的離子密度分布??梢钥闯觯帢O極靴的直徑在一定范圍內(nèi)變化時(shí),其引導(dǎo)的放電室內(nèi)磁場分布不同,隨著放電室內(nèi)電子密度逐漸上升,放電室出口處離子密度峰值先增大后減小??傮w上,離子推力器出口處離子密度都符合對稱式波峰分布[25-27],陰極極靴在五種不同內(nèi)徑情況下,結(jié)構(gòu)二和結(jié)構(gòu)五的推力器出口離子密度分布對稱性較差,對柵極侵蝕和壽命有較大影響,導(dǎo)致推力密度分布不均勻;結(jié)構(gòu)三比結(jié)構(gòu)一的平均出口離子密度高出9.36%,雖然結(jié)構(gòu)三比結(jié)構(gòu)四的平均出口離子密度高出1%,但是結(jié)構(gòu)三出口的離子密度分布相比結(jié)構(gòu)四較差,所以結(jié)構(gòu)四綜合性能較好。對稱軸上離子密度較高,其柵極系統(tǒng)通過率會相對降低,抑制了出口中心處束流的離子數(shù)量;出口邊緣離子密度相對較低,其柵極系統(tǒng)通過率高于出口中心處,故束流的離子密度分布較屏柵前會更均勻[28]。
(a) 結(jié)構(gòu)一
(b) 結(jié)構(gòu)二
(d) 結(jié)構(gòu)四
(e) 結(jié)構(gòu)五圖3 五種結(jié)構(gòu)的磁場和電子密度分布Fig.3 Magnetic field and electron density distributions for five structures
圖4 放電室出口離子密度Fig.4 The ion density at the outlet of the discharge chamber
從五種結(jié)構(gòu)放電室的電子溫度分布(圖5)發(fā)現(xiàn),電子在磁力線的約束下與中性粒子發(fā)生碰撞電離產(chǎn)生離子,當(dāng)極靴內(nèi)徑增大,極靴引導(dǎo)的磁力線外移,電子沿磁力線徑向范圍增大,電離區(qū)域增大,所以該區(qū)域電子溫度相對較低[29]。隨著陰極極靴內(nèi)徑的減小,較低的電子溫度區(qū)域(藍(lán)色部分)分布在屏柵極靴和陰極極靴之間磁場線輪廓內(nèi)部。對比電子溫度云圖(圖5)與磁場分布結(jié)果(圖3)發(fā)現(xiàn),電子溫度的梯度輪廓與磁力線比較重合。由于電子具有一定的初始能量,除了電場作用外,粒子間碰撞會使得電子溫度發(fā)生變化,結(jié)構(gòu)一和結(jié)構(gòu)二相比其他三種結(jié)構(gòu),放電室中心電子溫度較低區(qū)域大,反映電離程度較高[30]。但如圖6所示,隨著陰極極靴內(nèi)徑的減小,放電室內(nèi)電子溫度逐漸增加,發(fā)散場的電子在放電室內(nèi)壁附近溫度會驟然升高,主要是因?yàn)榉烹娛覂?nèi)壁附近的磁場強(qiáng)度比放電室中心要小,磁場對電子的約束較弱,使內(nèi)壁附近的電子容易與壁面發(fā)生碰撞而損失能量,在內(nèi)壁附近形成鞘層[31];其次,放電室內(nèi)壁附近的電子獲得能量后,在放電室軸向運(yùn)動(dòng)中會與氣體工質(zhì)發(fā)生非彈性碰撞,能量也會損失[32],所以放電室內(nèi)壁附近的電子溫度較高[33]。在實(shí)際工作中,放電室開始點(diǎn)火后內(nèi)部溫度逐漸升高至平穩(wěn),會影響電子的初始速度,電子的拉莫爾半徑會增大,在保證電子能被磁場約束在陽極內(nèi)部的前提下,遵循放電室出口離子密度和分布等條件,考慮陰極極靴結(jié)構(gòu)時(shí)優(yōu)選結(jié)構(gòu)四。
(a) 結(jié)構(gòu)一
(b) 結(jié)構(gòu)二
(c) 結(jié)構(gòu)三
(d) 結(jié)構(gòu)四
(e) 結(jié)構(gòu)五圖5 中心截面處電子溫度分布Fig.5 Electronic temperature distribution at the central section
(a) 徑向電子溫度
(b) 軸向電子溫度圖6 徑向與軸向電子溫度分布Fig.6 The distribution of electron temperature in the radial and axial directions
本文針對自主設(shè)計(jì)的立方體式考夫曼離子推力器,建立等離子運(yùn)動(dòng)過程的三維粒子數(shù)值模型,開展了三維數(shù)值仿真研究,對比分析了不同極靴內(nèi)徑引導(dǎo)的放電室磁場分布,主要結(jié)論如下:
1)對于五種陰極極靴結(jié)構(gòu),隨著極靴內(nèi)徑的增加,電子徑向運(yùn)動(dòng)范圍增大,電子密度分布更均勻;但是極靴內(nèi)徑增加可能會降低推力器總性能,體現(xiàn)在放電室內(nèi)壁電子溫度逐漸增大,電子損耗增大。
2)隨著極靴內(nèi)徑的增加,磁力線約束的范圍增大,電子與中性粒子碰撞電離范圍增大,出口離子密度分布均勻;但是放電室中心磁場強(qiáng)度降低,放電室出口處離子密度呈現(xiàn)下降趨勢,導(dǎo)致推力器性能下降。
對于本文涉及的立方體考夫曼離子推力器,長寬高為15mm×12.5mm×15mm的陰極極靴構(gòu)型最佳,既可保持較低的壁面電子溫度,又有利于推力器出口的離子均勻性。