董聰聰，黃佩珍

（南京航空航天大學(xué)機(jī)械結(jié)構(gòu)力學(xué)及控制國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，江蘇 南京 210016）

集成電路的制程工藝已深入亞微米/納米級(jí)別。由于特征尺寸的縮小，金屬互連導(dǎo)線(xiàn)不可避免地會(huì)產(chǎn)生諸如裂紋、空洞等微缺陷［1］。這些原生微缺陷極大地影響了互連導(dǎo)線(xiàn)材料的性能，加速了互連導(dǎo)線(xiàn)失效過(guò)程。其中，夾雜是一種典型的微缺陷。

在高電流密度下，金屬互連導(dǎo)線(xiàn)內(nèi)部大量的電子流逆著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)形成“電子風(fēng)”，與金屬陽(yáng)離子碰撞并傳遞動(dòng)量，使金屬陽(yáng)離子沿著與電子流相同的方向運(yùn)動(dòng)，即電遷移現(xiàn)象［2］。當(dāng)金屬互連導(dǎo)線(xiàn)的特征尺寸低于150 nm時(shí)，電遷移是決定互連導(dǎo)線(xiàn)壽命與可靠性的主導(dǎo)因素［3］。此外，電遷移誘發(fā)夾雜進(jìn)行諸如粗化、分裂或聚合等復(fù)雜演化［4-6］，會(huì)極大地限制了互連導(dǎo)線(xiàn)的使用壽命。研究金屬互連導(dǎo)線(xiàn)中夾雜的形貌演化機(jī)理主要有兩個(gè)應(yīng)用：（1）對(duì)改善電子器件的可靠性與壽命具有重要價(jià)值［7］；（2）對(duì)納米圖案的形成、制備有著重要意義［8］。

當(dāng)前研究電遷移誘發(fā)金屬互連導(dǎo)線(xiàn)夾雜演化的數(shù)值模擬方法主要有尖銳界面法和相場(chǎng)法。

尖銳界面法假設(shè)基體-夾雜之間的界面是完美而無(wú)厚度的，其優(yōu)點(diǎn)在于基體-夾雜之間的界面可被表示為邊界積分方程［9］，易于程序?qū)崿F(xiàn)。相場(chǎng)法將基體-夾雜之間的界面視為有限厚度層，通過(guò)引入一個(gè)或數(shù)個(gè)可隨時(shí)間與空間連續(xù)變化的相場(chǎng)變量描述界面，避免了界面的顯式追蹤［10］。

基于以上數(shù)值模擬方法，得到了大量的數(shù)值模擬結(jié)果。既往報(bào)道表明，存在7個(gè)對(duì)相應(yīng)演化結(jié)果具有重要影響的參數(shù)［11-14］：相對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度、線(xiàn)寬比、初始形態(tài)比、基體與夾雜的電阻（導(dǎo)）率之比、各向異性強(qiáng)度、晶體取向?qū)ΨQ(chēng)軸數(shù)、快速擴(kuò)散方向與電場(chǎng)方向的偏轉(zhuǎn)角。

然而，上述這些工作對(duì)初始形態(tài)比的研究還不足。盡管He等［13］基于尖銳界面法探討了初始形態(tài)比對(duì)絕緣夾雜形貌演化的影響，但其研究限于微米級(jí)，且未考慮初始形態(tài)比小于1的取值，也未考慮界面擴(kuò)散的各向異性。因此本文采用結(jié)合自適應(yīng)網(wǎng)格技術(shù)［15］的相場(chǎng)法，分析初始形態(tài)比對(duì)納米尺度的導(dǎo)電橢圓夾雜在電遷移誘發(fā)各向異性界面擴(kuò)散下演化的影響。

1 基本理論

考慮如圖1所示的單晶二維互連導(dǎo)線(xiàn)模型?；ミB導(dǎo)線(xiàn)的線(xiàn)長(zhǎng)與線(xiàn)寬依次為L(zhǎng)、H，其兩端的電勢(shì)差為φ∞。在有限尺寸的金屬基體中，存在半軸長(zhǎng)分別為a、b的初始橢圓夾雜?；w與夾雜的電導(dǎo)率依次為ξm和ξi。λ=ξi/ξm為電導(dǎo)率之比，β=a/b為初始形態(tài)比。序參數(shù)?的值用以表征不同的相：夾雜區(qū)域R-中?=-1，基體區(qū)域R+中?=+1，界面層RI內(nèi)?為由-1到+1的連續(xù)變化。

在外電場(chǎng)作用下，系統(tǒng)總自由能泛函G的構(gòu)造形式為

其中，γi為界面張力，ε為與界面層厚度相關(guān)的梯度能量系數(shù)，表示無(wú)量綱系數(shù)，其中W為兩平衡相之間的勢(shì)壘高度。體自由能密度f(wàn)bk、梯度自由能密度f(wàn)gr和電勢(shì)能密度f(wàn)e組成系統(tǒng)的總自由能密度G，分別為

其中，式（2）中的fbk采用四次雙阱勢(shì)函數(shù)。式（4）中，φ為電勢(shì)，Ω為單位原子體積，Z?為原子的有效化合鍵，e為電子電荷。

由G對(duì)?的變分導(dǎo)數(shù)推導(dǎo)出化學(xué)勢(shì)u為

驅(qū)動(dòng)力?u和界面的原子流量J呈線(xiàn)性關(guān)系，即

式（7）確保了原子的界面擴(kuò)散只發(fā)生在RI內(nèi)。引入的各向異性函數(shù)f(θ)［11］為

其中，Q為各向異性強(qiáng)度，j為晶體取向?qū)ΨQ(chēng)軸數(shù)，θ0為快速擴(kuò)散方向與電場(chǎng)方向的偏轉(zhuǎn)角，，表示夾雜表面的局部切線(xiàn)方向與外電場(chǎng)順時(shí)針?lè)较颍ㄕ齲軸）形成的夾角，它與序參數(shù)?的耦合是引入各向異性界面擴(kuò)散的關(guān)鍵。

由于質(zhì)量守恒的約束，?對(duì)時(shí)間t的變化率為

式（8）為修正的四階Cahn-Hilliard方程，即

求解式（9）需要聯(lián)立電勢(shì)φ的拉普拉斯方程，即

式（10）中，ξ(?)表示與序參數(shù)?相關(guān)的電導(dǎo)率。

2 可靠性驗(yàn)證

首先根據(jù)前文的相場(chǎng)控制方程，基于MOOSE編制有限元程序，再進(jìn)行程序可靠性驗(yàn)證。在無(wú)限大且各向同性的金屬材料中，考慮半徑為R的圓形夾雜（β=1），對(duì)導(dǎo)線(xiàn)施加小電場(chǎng)，則夾雜保持圓形并沿電場(chǎng)方向穩(wěn)定漂移的理論解［12］為

下標(biāo)th和num分別表示理論解和數(shù)值解。由圖2可見(jiàn)，數(shù)值解與理論解吻合良好，故本文的有限元算法是可靠的。

3 數(shù)值模擬與討論

本節(jié)數(shù)值模擬電遷移誘發(fā)各向異性界面擴(kuò)散下夾雜的形貌演化規(guī)律，討論不同β對(duì)夾雜形貌演化的影響。外電場(chǎng)的方向均為從左向右。晶體取向?yàn)?110>方向，則j=1。其余參數(shù)分別為χ=30，λ=1，θ0=0°，Q=5。

3.1 初始形態(tài)比β<1的演化

圖3-4所示為β=0.25、0.30和0.50時(shí)夾雜的形貌演化圖。由圖3可見(jiàn)，夾雜經(jīng)歷了復(fù)雜的形貌演化。橢圓夾雜沿電場(chǎng)方向內(nèi)凹形成“鋸齒”形，“鋸齒”隨著演化的進(jìn)一步進(jìn)行而沿電場(chǎng)方向延伸，最終導(dǎo)致夾雜沿垂直電場(chǎng)方向分裂為5個(gè)相似的“指”形。分裂之后的“指”形夾雜沿電場(chǎng)方向穩(wěn)定遷移。由圖4可見(jiàn)，β=0.30的夾雜最終分裂為4個(gè)“指”形夾雜，而β=0.50的夾雜分裂為2個(gè)“指”形夾雜?？梢?jiàn)，隨著β的增大，分裂完成的時(shí)間減少，而分裂之后“指”形夾雜的長(zhǎng)度增大。

3.2 初始形態(tài)比β>1的演化

圖5所示為β=2、3和4時(shí)夾雜的形貌演化圖。由圖5可見(jiàn)，夾雜沿電場(chǎng)方向遷移，夾雜前端向電場(chǎng)方向延伸，夾雜尾端垂直于電場(chǎng)方向的長(zhǎng)度縮小。而且，β=4的夾雜前端的延伸長(zhǎng)度比β=2、3更長(zhǎng)。此外，三者均未發(fā)生失穩(wěn)分裂。

如圖6所示，曲線(xiàn)的斜率為夾雜遷移速度。當(dāng)t?<0.15時(shí)，夾雜形貌還不穩(wěn)定；當(dāng)t?≥0.15時(shí)，夾雜保持穩(wěn)定形貌遷移。而且，隨著β的增加，穩(wěn)定形態(tài)的夾雜遷移速度逐漸減小。

4 結(jié) 論

本文建立了電遷移誘發(fā)各向異性界面擴(kuò)散下夾雜演化的相場(chǎng)模型，模擬了初始形態(tài)比β對(duì)λ=1時(shí)夾雜形貌演化的影響，得到主要結(jié)論如下。

（1）電遷移驅(qū)動(dòng)下，夾雜沿電場(chǎng)方向發(fā)生遷移，并存在分裂與穩(wěn)定兩種演化模式。

（2）若β<1，則β越小，夾雜越易發(fā)生分裂，分裂形成的新夾雜數(shù)目越多，新夾雜保持穩(wěn)定遷移時(shí)的x向長(zhǎng)度越短。

（3）若β>1，則β越大，夾雜前端延伸越長(zhǎng)，穩(wěn)定形態(tài)的遷移速度越小。