池成龍，賈愛忠，孫道來，趙新強，王延吉

（河北工業(yè)大學化工學院，綠色化工與高效節(jié)能河北省重點實驗室，天津市本質安全化工技術重點實驗室，天津 300130）

科技的迅猛發(fā)展給人類帶來了諸多便利，同時也產(chǎn)生了許多負面影響。其中，重金屬離子因具有強毒性且生物不可降解而大量富集，嚴重威脅人類生命健康安全，故而重金屬離子污染已經(jīng)引起人們的關注。

已報道的各種重金屬離子去除方法中，吸附法具有效率高、成本效益好、操作簡單等特點，是最有效的處理方法之一。然而，目前大部分吸附材料由于去除效率低、穩(wěn)定性和選擇性差不能實現(xiàn)離子的高效選擇性去除。離子印跡材料具有優(yōu)異的預定性、識別性，在污水重金屬離子選擇性吸附領域得到了廣泛應用。采用本體聚合、沉淀聚合、懸浮聚合等傳統(tǒng)方法制備的離子印跡聚合物吸附劑，雖然具有離子高選擇性，但多數(shù)識別位點分散在聚合物內部，受擴散阻力影響傳質效率低，為規(guī)?；瘧迷黾恿藭r間成本。此外，離子模板難以徹底去除、部分識別位點包埋過深都會對吸附容量有所影響。本文作者課題組采用乙二胺四乙酸（EDTA）利用表面接枝改性技術在自制的三維球鏈狀多孔二氧化硅（SCPS）上構筑了大量表面吸附位點，因吸附位點均分布于SCPS 材料內、外表面，且材料超大的三維立體框架結構能有效消除離子內擴散影響，從而賦予其優(yōu)異的Cu吸附速率，5min內可達吸附平衡。同理，表面印跡技術在大比表面基材表面或附近區(qū)域形成印跡空腔，兼顧了吸附容量、選擇性以及吸附、脫附速率，能夠有效解決傳統(tǒng)印跡技術的不足。

目前，雖然已有離子印跡聚合物相關的綜述，但主要針對合成方法或應用進行論述，而關于表面離子印跡聚合物吸附材料發(fā)展的論述未見報道。本文針對表面離子印跡技術原理、原料組分、制備方法、不同基材印跡聚合物等進行詳細介紹，重點關注2011—2021 年期間有關重金屬表面離子印跡聚合物的研究成果；最后指出目前研究存在的不足并提供一些可能的解決策略，對其發(fā)展趨勢進行了展望，以期促進其快速發(fā)展。

1 表面離子印跡技術原理及原料

1.1 表面離子印跡作用原理

離子印跡法與分子印跡法相似，離子模板與功能單體間的作用可以分為共價、非共價、半共價型相互作用。功能單體與離子模板通過共價鍵連接產(chǎn)生共價作用，形成穩(wěn)定且分布均勻的結合位點，但會造成模板離子去除困難和低效的重結合。模板與功能單體通過氫鍵、離子作用、范德華力等方式產(chǎn)生的非共價作用穩(wěn)定性相對較弱，脫附容易。半共價作用是指模板離子與功能單體通過共價鍵結合，除模板后則與對應離子以非共價形式作用被吸附，從而使半共價作用吸附劑具有更適宜的結合性能，吸附條件溫和等。表面離子印跡復合吸附材料制備工藝相對簡單，通過離子模板與配體或功能單體間的配位、螯合或靜電作用形成配合物，并嫁接到載體表面，最后洗滌脫除離子模板，形成與模板離子大小、電荷和空間結構相匹配的穴位（詳見圖1），從而選擇性識別模板離子，以實現(xiàn)選擇性吸附特定目標離子的效果。

圖1 表面離子印跡聚合物復合吸附劑制備示意圖[5]

1.2 表面離子印跡聚合物的制備原料

用于合成表面離子印跡聚合物的功能單體、交聯(lián)劑、載體以及離子模板的類型和比例對表面離子印跡聚合物吸附性能及選擇性識別能力均有影響。

1.2.1 功能單體

功能單體提供與模板離子共價或非共價作用的官能團，同時具有能與交聯(lián)劑鍵接的端基官能團，通過交聯(lián)劑的交聯(lián)作用可獲得三維孔狀結構識別位點。理想功能單體應具有以下特性：①含有豐富的與金屬離子強配位作用的官能團，常見的官能團有以氮為配位原子的—NH、—CONH，以氧為配位原子的—COOH、—OH、—CHO，以硫為配位原子的—SH，故而吸附劑的選擇性與功能單體和模板離子間的作用強度密切相關；②不包含具有阻聚作用的基團；③具備良好的化學穩(wěn)定性。針對目標離子選擇適宜的功能單體對所合成表面離子印跡聚合物性能至關重要。表1列舉了一些常見功能單體及對應目標離子。

表1 表面離子印跡聚合物常用功能單體及對應離子模板

1.2.2 交聯(lián)劑

交聯(lián)劑使功能單體在模板離子周圍聚合，從而去除模板后得到大小、結構與模板離子匹配的三維腔道。交聯(lián)劑的用量明顯影響印跡聚合物的選擇性和結合能力，交聯(lián)劑用量過低會因交聯(lián)度低造成離子印跡聚合物難以形成穩(wěn)定的空腔結構，故而一般交聯(lián)劑所占比例稍高些。常見典型的交聯(lián)劑有戊二醛（GD）、環(huán)氧氯丙烷（ECH）、四乙氧基硅烷（TEOS）、乙二醇二甲基丙烯酸酯（EGDMA）等。

1.2.3 吸附劑載體

優(yōu)良的載體材料可以為吸附劑提供更大的比表面積，使更多離子印跡聚合物在其表面形成吸附活性位點，從而得到優(yōu)異的吸附性能。載體種類繁多且性能各異，表2 總結了常見載體材料的物化性質，并分析了各自的優(yōu)缺點及其相應的改進措施。

表2 表面離子印跡聚合物吸附劑常用載體性質

2 表面印跡聚合物吸附材料制備方法

表面印跡聚合物吸附材料是通過在載體表面或附近區(qū)域嫁接具有與模板離子形成空腔結構的聚合物層而制得。聚合物在載體表面的形成方式包括嫁接支鏈、長出支鏈及可逆加成-斷裂鏈轉移聚合等方法。

2.1 嫁接支鏈法

該方法是先將功能單體固載到載體表面，然后在適宜條件下與溶液中的模板離子、交聯(lián)劑發(fā)生化學鍵合作用而聚合形成離子印跡聚合物層。Kang等以SBA-15 型介孔SiO材料為載體，先將功能單體PEI 接枝到SBA-15 表面，再加到含有模板離子銅離子和交聯(lián)劑乙二醇二縮水甘油醚（EGDE）的溶液中，合成了Cu(Ⅱ)離子表面印跡吸附劑，見圖2。該材料對Cu的最大吸附容量為675.23μmol/g，且在半徑相近二價離子溶液中對Cu的選擇性系數(shù)可達76.93。Gao等采用該方法制備的海藻酸鈉擔載型Pd(Ⅱ)離子表面印跡硫脲聚合物吸附材料Pd最大吸附容量為103.09mg/g，共存條件下Pd吸附量為Cu的3 倍，重復使用5 次，吸附性能無明顯下降。嫁接支鏈法操作簡單，但由于功能基團密集分布在載體表面會產(chǎn)生一定的空間位阻效應，且隨著聚合物鏈增長空間位阻效應增加，導致接枝率較低。此外，活性自由基間易發(fā)生雙基終止作用，也影響接枝率。

圖2 銅印跡聚乙烯亞胺接枝介孔二氧化硅SBA-15合成示意圖[12]

2.2 長出支鏈法

長出支鏈法，又稱表面引發(fā)聚合法。首先通過載體表面反應基團與引發(fā)劑相互作用，將聚合活性點引至載體表面，再與單體、交聯(lián)劑在適宜光或熱條件下引發(fā)表面發(fā)生聚合反應，達到在載體表面形成聚合物層的目的。Shamsipur 等利用改性硅膠表面氨基與4,4′-偶氮二(4-氰基戊酸氯)作用將偶氮引發(fā)劑嫁接到硅膠表面，再與UO、功能單體、交聯(lián)單體進行作用，制備了選擇性吸附鈾酰的表面離子印跡聚合物材料，對溶液中UO的去除率可達95%以上。與嫁接支鏈法相比，長出支鏈法接枝率較高，但存在易發(fā)生自由基脫離表面產(chǎn)生雙基終止作用導致聚合效率下降的缺點，此外，引發(fā)劑也比較單一。

2.3 可逆加成-斷裂鏈轉移聚合技術（RAFT）

傳統(tǒng)自由基聚合過程中鏈轉移和雙基終止副反應不斷發(fā)生，使鏈增長和終止很難得到有效控制，導致聚合度范圍較大，形成不均勻聚合物網(wǎng)絡。不均勻印跡聚合物網(wǎng)絡結構會造成大量結合位點不均勻分布，從而影響識別位點與模板離子結合?？赡婕映?斷裂鏈轉移聚合法通過鈍化活性自由基來減少鏈轉移和雙基終止等副反應發(fā)生，從而有效控制自由基聚合度，形成均勻的聚合物網(wǎng)絡。Liu等以磁性納米球為載體，采用可逆加成-斷裂鏈轉移聚合法制備Cu(Ⅱ)離子印跡核殼結構吸附材料，Cu最大吸附容量為210.00mg/g，吸附能力和選擇性均高于傳統(tǒng)自由基聚合法制備的Cu(Ⅱ)離子印跡聚合物（145.00mg/g）。Meng 等采用該方法制備的介孔二氧化硅負載型Ce(Ⅲ)離子印跡聚合物材料，表面印跡聚合物薄層均勻，Ce最大吸附容量為45.13mg/g，且選擇性、穩(wěn)定性良好。

2.4 溶膠-凝膠法

該方法利用溶膠-凝膠過程先將模板離子填埋到聚合物網(wǎng)絡結構中，再洗脫模板離子制得印跡材料；該方法常以TEOS為交聯(lián)劑，含配位基團硅烷偶聯(lián)劑為功能單體，在堿性條件水解、縮合制備印跡材料，具有操作簡單、條件溫和等優(yōu)點，但存在識別位點包埋過深、洗脫困難等缺點。TEOS 先水解、縮聚得到載體，再負載模板離子與功能單體所形成的配合物制得表面離子印跡材料（如圖3所示），能有效解決上述問題。Zhang 等采用此方法先將Pb與3-（2 氨基乙基氨基）丙基三甲氧基硅烷形成配合物，再利用TEOS 將其交聯(lián)到FeO@SiO載體上，制得的Pb(Ⅱ)離子表面印跡聚合物吸附材料（FeO@SiO@IIP）分散性良好，平均粒徑為200nm。在Cu、Zn、Cd和Hg競爭吸附條件下，相對選擇性因子大于3.75，表現(xiàn)出很好的Pb選擇性。將FeO@SiO@IIP 與原子吸收光譜儀聯(lián)用，成功應用于實際環(huán)境樣品中的Pb提取和檢測中，回收率為98.0%。Guo 等則以3-巰基丙基三甲氧基硅烷為功能單體，制備出在選擇性、穩(wěn)定性、動力學等方面同樣具有很好效果的Pb(Ⅱ)離子表面印跡聚合物吸附材料。

圖3 溶膠-凝膠法制備表面離子印跡聚合物吸附材料示意圖[83]（以硅基材料為例）

3 表面離子印跡聚合物吸附材料研究現(xiàn)狀

3.1 生物質基材料

殼聚糖是僅次于纖維素的第二大天然生物高聚物，分子中含有大量氨基和羥基，具有吸附容量大、來源廣泛、無毒易降解等優(yōu)點，但存在酸性體系易溶解、穩(wěn)定性差等問題。為了解決上述問題，人們常通過插入活性單體或交聯(lián)反應提高其穩(wěn)定性。殼聚糖不同于其他載體，其在制備過程中既可作為功能單體又可作為載體，具有雙重作用。Wu 等以羧甲基殼聚糖（CMC）為功能單體，以Pb為印跡離子，F(xiàn)eO為磁性組分，經(jīng)環(huán)氧氯丙烷（ECH）交聯(lián)合成了Pb(Ⅱ)離子表面印跡磁性生物質基復合吸附劑（IIMB）（工藝流程詳見圖4）。對Pb具有很好的吸附性能，最大吸附容量可達124.07mg/g，相對于Cu、Cd、Ni選擇性系數(shù)分別為6.97、13.19 和23.44，吸附為單層吸附，吸附動力學符合擬二級動力學模型，穩(wěn)定性良好，重復使用5 次吸附性能無明顯變化。Monier 等采用相似的方法制備了Cu(Ⅱ)離子表面印跡吸附劑，對Cu最大吸附容量可達143.00mg/g，同樣顯示出良好的選擇性和穩(wěn)定性。

圖4 Pb(Ⅱ)離子表面印跡聚合物吸附材料制備工藝流程[37]

海藻酸鈉是含有豐富羧基和羥基的可降解生物質材料，作為吸附劑原料價格低廉且吸附容量大，但穩(wěn)定性差、吸附速率較慢使其在污水重金屬離子吸附方面的應用受到一定限制。目前，主要通過海藻酸鹽與氯化鈣交聯(lián)制備海藻酸鈣微球提高其穩(wěn)定性，并采用直接模板法在微球中構筑多孔結構以提高吸附速率。Jiang等以自制的海藻酸鈣微球為載體，以聚乙烯亞胺（PEI）為功能單體，通過戊二醛（GO）交聯(lián)反應分別制備了La(Ⅲ)離子和Pb(Ⅱ)離子表面印跡吸附劑（La/Pb-IIP），對La和Pb有優(yōu)異的吸附容量，分別為893.00mg/g和947.00mg/g，其中La-IIP和Pb-IIP對Cu、Cd、Ni的選擇性系數(shù)分別為7.04、14.32、30.52和11.17、7.12、7.76，且循環(huán)使用10 次性能無明顯下降，吸附容量、選擇性、穩(wěn)定性方面均取得了良好結果。Gao 等采用以尿素為模板制備的多孔海藻酸鈣微球為載體，通過表面交聯(lián)制備Au(Ⅲ)離子印跡吸附劑，對Au的最大吸附容量為184.82mg/g，且在多種金屬離子干擾條件下依然對Au具有良好的選擇性。多孔結構使吸附速率提升4倍，且循環(huán)使用5次吸附性能無明顯下降。

生物質基表面離子印跡吸附材料對重金屬離子雖然具有良好的吸附性能，但多數(shù)材料機械強度低、穩(wěn)定性差、孔隙率低且比表面積小，這嚴重限制了吸附容量及吸附、脫附速率的提升。利用有機無機復合技術能夠有效解決這一問題，本文作者課題組通過共縮聚法制備了生物質海藻酸鈉與二氧化硅雜化復合材料，機械強度、硬度和孔隙率得到了顯著提升，有效解決了海藻酸鈉吸附劑穩(wěn)定性和吸附性能差的問題。此外，利用不同功能單體改性制備表面離子印跡聚合物吸附材料可以調控對目標離子的吸附選擇性，開發(fā)有效的孔結構調變工藝可獲取更優(yōu)異的吸附性能。目前表面離子印跡技術對這類材料的研究處于起步階段。

3.2 金屬氧化物基材料

圖5 Cr2O2-7 表面印跡聚合物吸附材料制備工藝流程及機理[30]

FeO與TiO作為吸附劑載體各具優(yōu)勢，納米FeO因具有強磁性可有效解決納米材料分離難的問題，而TiO則具有光催化性能，可光降解-吸附耦合同時處理污水中的重金屬和有機物，是一種環(huán)境處理的新方法。TiO化學穩(wěn)定性好、光催化活性高、無毒，以其為載體可制備具備多種性能的復合多功能材料，在污水處理領域的應用越來越廣泛。Li 等以TiO為載體，利用殼聚糖耦合Ni并經(jīng)ECH 交聯(lián)制備了一種具有吸附和光催化性能的雙功能材料，對Ni的吸附容量為33.00mg/g，且甲基橙降解率達95.4%。Chen等采用相似方法制備的Cd(Ⅱ)離子表面印跡復合材料，對Cd的最大吸附量可達256.41mg/g，對2,4-二氯苯酚降解率達98%。Yin 等以FeO@SiO@TiO納米顆粒為載體，MPTMS作為功能單體合成了Ag(Ⅰ)離子表面印跡復合材料，對Ag的最大吸附量約35.48mg/g，選擇性良好，且紫外線照射下可直接將Ag還原為金屬銀。

金屬氧化物基表面離子印跡材料具有金屬離子吸附速率快、吸附容量大、穩(wěn)定性好等特點，但一般粒度較小，制備過程中易團聚且難回收，盡管磁分離在一定程度上能解決分離難的問題，但回收效率有待進一步改善。將金屬氧化物基材料擔載或嵌入超大孔框架結構材料表面有望徹底解決上述問題，是未來高性能吸附材料的發(fā)展方向之一。

3.3 硅基材料

硅基材料比表面積大，孔道結構豐富，穩(wěn)定性好，廉價易得且無毒，是制備表面離子印跡聚合物吸附劑使用最廣泛的載體。常見的硅基材料有硅膠、介孔二氧化硅、硅藻土等。

硅膠是一種多孔二氧化硅材料，比表面積大（約800m/g），孔道豐富，酸性條件下具有良好的機械穩(wěn)定性，且含有大量便于材料改性的表面Si—OH，是制備表面印跡材料的優(yōu)選載體，且硅膠可以直接購得，大大簡化印跡材料制備流程，但其比表面積相比實驗室制備的其他硅基材料較小，故而硅膠為載體制備的印跡材料吸附容量往往低于其他硅基材料。He 等以2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸（AMPS）為功能單體，制備的表面印跡硅膠吸附材料較傳統(tǒng)離子印跡聚合物具有更優(yōu)異的Ni吸附性能，這歸因于表面離子印跡使材料表面形成了更多識別腔，增強了Ni吸附能力。此外，Li 等采用表面印跡技術制備的鎘離子印跡硅膠吸附材料也表現(xiàn)出優(yōu)異的Cd吸附性能。印跡材料與非印跡材料的最大吸附量分別為38.30mg/g、13.21mg/g，且印跡材料8min 即可達吸附平衡。通過對吸附離子的洗脫研究發(fā)現(xiàn)，洗脫劑類型對Cd脫附具有明顯的影響，結果表明，2.0mol/L鹽酸為脫附劑能有效解吸Cd，一次洗滌即可使Cd解吸率達99.3%。

SBA-15 是硅質介孔材料中孔徑最大的材料之一，更便于印跡聚合物修飾材料內外表面獲取快速吸附性能，其比表面積大（＞1000m/g）、孔徑5～30nm范圍內可調，且孔壁厚（約4nm），相比于殼聚糖、金屬氧化物具有更好的水熱穩(wěn)定性和機械穩(wěn)定性。與同為硅基材料的硅膠相比，SBA-15比表面積更大，吸附位點多，吸附能力也有了更進一步的提升。Nasab等以SBA-15擔載Cu(Ⅱ)離子表面印跡咪唑聚合物，對Cu的最大吸附量可達322.58mg/g，且穩(wěn)定性良好，6 次循環(huán)吸附性能無明顯下降。在離子濃度為0.2～100μg/L 范圍內線性相關性良好，檢出限為0.05μg/L，富集因子為220，相對標準偏差僅為3.1%。Cen等以介孔二氧化硅擔載Cr(Ⅲ)離子表面印跡聚合物，5min即達吸附平衡，對實際含Cr廢水處理后Cr濃度遠低于國家排放標準。

硅藻土（SiO·HO）是由硅藻骨架沉淀而成的天然無定形二氧化硅多孔礦物材料，儲量豐富，具有豐富的孔結構，空隙率達80%～90%，表面含有大量Si—OH，環(huán)境友好且廉價，避免了合成硅基材料制備過程使用的試劑成本高且有毒。但作為吸附劑載體材料，其比表面積不如前兩種載體，故而提高低成本天然載體的比表面積對改善以其為載體的吸附劑的吸附性能具有重要意義。Miao等采用MPTMS 為功能單體，硅藻土為載體，制備了Cd(Ⅱ)離子表面印跡吸附劑。在Cd/Ni、Cd/Zn和Cd/Cu二元體系中，選擇性系數(shù)均大于3，顯示出良好的Cd選擇性；且30min 可達吸附平衡，Cd最大吸附量為4.80mg/g，并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。通過比表面積BET 計算可知，硅藻土的比表面積為19.3m/g，印跡材料的比表面積為38.8m/g，這是由于印跡聚合物在硅藻表面及孔內成功接枝，有效增大了印跡材料的比表面積。該課題組在這方面進行了較多研究，為天然硅藻土材料在表面離子印跡聚合物吸附材料的合成開創(chuàng)了先河，并提供了相應的理論基礎。

目前，已報道的硅基表面印跡聚合物吸附材料中，采用人工合成材料為載體時獲得的吸附容量較大，而以天然硅基材料為載體制備的吸附劑吸附能力相對較差，這是因為吸附性能與載體材料的比表面積、孔隙率等存在直接關系，但合成載體所用原料相對昂貴、制備工藝復雜、條件苛刻、成本高、周期長，極大地限制了其規(guī)模化應用，故而開發(fā)以天然硅基材料為載體的高效表面印跡聚合物吸附材料是該類吸附材料的發(fā)展趨勢。

3.4 碳基材料

碳基材料主要包括碳納米管、氧化石墨烯、活性炭、碳納米纖維等，因比表面積大、穩(wěn)定性高、廉價易得而被廣泛用作表面印跡聚合物載體。

活性炭來源廣泛、比表面積大（600～2000m/g）、孔結構豐富，是一種傳統(tǒng)的吸附材料，廣泛應用于廢水處理、空氣凈化等領域。活性炭作為一種常規(guī)的載體材料，與硅膠一樣也早已商業(yè)化，其成本更低，來源廣泛，直接購買就可用于制備印跡吸附材料，大大簡化了工藝流程。金屬離子在溶液中通常以離子或絡合物的形式存在，與常規(guī)活性炭無強相互作用，因而未經(jīng)表面改性處理的活性炭不具有強吸附金屬離子的能力。雖然螯合劑修飾的活性炭具有富集金屬離子的作用，但選擇性不理想，離子印跡技術可以有效解決該問題，但以活性炭為載體的表面印跡吸附材料的再生能力需進一步改善。Li等制備的活性炭擔載Pb(Ⅱ)離子表面印跡聚合物材料，顯示出優(yōu)異的Pb選擇性，對Zn、Ni、Co、Cu的相對選擇性因子分別為168.20、192.71、126.13、229.39，最大吸附容量為90.14mg/g。

多壁碳納米管、氧化石墨烯均為納米粉末材料，因其比表面積大，在吸附能力和吸附動力學方面具有較突出的優(yōu)勢。但以其為載體的吸附材料壓降大，可能會造成堵塞或受流體力學限制，不適合在吸附柱中規(guī)模化應用，故而碳納米纖維多孔微球吸附劑因其優(yōu)異的傳質動力學和物理結構在上述方面更具優(yōu)勢。Mishra 等采用表面離子印跡技術，首次以碳納米纖維為載體合成了大比表面積（約475m/g）介孔聚合物球形（約0.5mm）Pb(Ⅱ)離子印跡吸附劑（CNF-IIP）。研究結果表明，吸附符合Langmuir 吸附模型，屬于單層吸附，吸附過程主要受化學吸附控制，對Pb最大吸附容量為47.00mg/g，在半徑相近的二元離子體系中選擇性系數(shù)大于14，顯示出良好的選擇性，循環(huán)使用5次后，吸附性能無明顯下降。

碳基材料比表面積大、物理化學性質穩(wěn)定，以其為載體制備的吸附材料適用范圍廣，但吸附能力及再生能力均有待提高；盡管已報道的各種改性技術取得了長足進步，但多數(shù)工藝復雜、條件苛刻等，適用于規(guī)模化生產(chǎn)的高效碳基吸附材料仍有很長的路要走。

3.5 金屬有機骨架化合物（MOFs）

MOFs 是一種金屬有機骨架多孔材料，具有上述材料無法比擬的高比表面積（1000～10000m/g）、高孔隙率，且孔徑可調、化學修飾便利，在重金屬離子吸附領域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢，具有廣闊的應用前景。Yuan等以UiO-66-NH型MOFs材料為載體合成的Co(Ⅱ)離子表面印跡吸附材料（Co-IIP），對Co的最大吸附量可達175.00mg/g，是迄今已報道Co吸附容量最高的離子印跡吸附材料，且競爭吸附條件下也具有良好的選擇性和穩(wěn)定性。經(jīng)理論計算與X射線光電子能譜分析表明，吸附作用主要歸因于Co(Ⅱ)-IIP中席夫堿氮、羧基氧和羰基氧等配位原子的作用。目前，已報道的相似材料還有UiO-67、HKUST-1、ZIF-8、MIL-100和MIL-101等，但MOFs 材料為載體制備表面印跡吸附材料的研究尚處于起步階段，未來仍有廣闊的空間需要探索。

3.6 其他支撐材料

除上述載體材料外，Huang等以Cd為模板、甲基丙烯酸和PEI 為單體，采用可逆加成-斷裂鏈轉移聚合技術制備了印刷紙擔載Cd(Ⅱ)離子印跡聚合物吸附材料（IIPs-paper）。該材料Cd最大吸附容量可達155.20mg/g 且選擇性良好，所制備的IIPs-paper 材料在1～100ng/mL 范圍可實現(xiàn)對Cd的高靈敏度檢測，結果與電感耦合等離子體質譜儀測定結果一致，且檢出限僅為0.4ng/mL。紙張價格低廉、便于攜帶，檢測樣品無需預處理且不使用其他儀器設備，具有較高的實用價值。Luo 等制備了聚丙烯纖維擔載的CrO表面印跡丙烯酸聚合物吸附材料，CrO的最大吸附量為167.00mg/g，10 次循環(huán)利用吸附效率仍能達82%以上，而且具有適中的吸附強度，既能有效保證吸附性能，也不會因吸附強度過大導致脫附困難。

4 結語與展望

本文重點對近十年表面離子印跡聚合物金屬離子吸附材料的研究進展進行概述，從表面印跡技術原理與原料、載體材料以及吸附材料制備技術三個方面進行了詳細論述。表面印跡技術以其傳質阻力小、模板易去除、吸附速率快等優(yōu)勢，在近十年取得了飛速發(fā)展，并有望逐步取代傳統(tǒng)的印跡技術。

（1）目前表面離子印跡聚合物吸附材料所采用的載體材料多為人工合成的無機多孔材料，其成本較高，制備過程易污染環(huán)境。因此，以價格低廉、環(huán)境友好、來源廣泛的天然礦物材料為載體開發(fā)新型高效吸附材料具有廣闊的發(fā)展前景。

（2）用于制備表面離子印跡聚合物的功能單體和配體結構復雜，成本較高，并且有毒、易污染環(huán)境，容易造成二次污染，故而開發(fā)廉價、無毒、選擇性高的配體和功能單體是可持續(xù)發(fā)展的必然要求。

（4）表面離子印跡技術具有固定目標離子的獨特優(yōu)勢，使金屬組分在材料表面具有高分散性，所得到的材料作為非均相催化劑在有機合成、光催化等領域已展現(xiàn)出巨大的潛力。因此，利用該技術將解決環(huán)境污染問題與制備高效高分散負載型催化劑相結合，解決污染問題的同時實現(xiàn)廢物的資源化利用，未來具有極為廣闊的發(fā)展前景。