祝大同

（中電材協(xié)覆銅板材料分會(huì)，陜西 咸陽(yáng) 712099）

1 引言

電子銅箔產(chǎn)品按其性能水平劃分，可分為一般常規(guī)型與高端型兩大類。高端型銅箔，具有應(yīng)用條件要求苛刻或特殊，制造水平高端的特點(diǎn)，應(yīng)用在高端印制電路板（PCB）制造領(lǐng)域，所制PCB多在高端的電子產(chǎn)品或終端產(chǎn)品中應(yīng)用。

高端型銅箔主要品種包括：高頻高速電子電路用極低輪廓銅箔；IC封裝基板及高端HDI（高密互連）板用極薄銅箔；高端撓性PCB的專用銅箔（含：電解銅箔、壓延銅箔等）；大電流、大功率基板用厚銅箔（箔厚≥105 μm）；鋰電池用極薄/高抗力性銅箔；特殊功能銅箔（如埋容、埋阻電路用銅箔）等。當(dāng)前及未來(lái)，在全球電子銅箔業(yè)界的技術(shù)進(jìn)步、新品開(kāi)發(fā)、滿足新型電子產(chǎn)品配套的電子銅箔主要是以上所列的六大類高端電子銅箔[1][2]。

一個(gè)新時(shí)代的技術(shù)發(fā)展，需要一代新的材料作為支撐。近年，5G通信技術(shù)、人工智能應(yīng)用技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)及互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)得到廣泛應(yīng)用與發(fā)展。驅(qū)動(dòng)了PCB制造技術(shù)，正朝著高速高頻化、高耐熱化、高導(dǎo)熱化、高密度布線化、模塊化等方向快速發(fā)展。作為高端PCB主要使用的導(dǎo)電材料——高端銅箔，也隨著應(yīng)用市場(chǎng)的擴(kuò)展、升級(jí)，它在品種個(gè)性化、細(xì)分上有所變化；在性能上也在不斷地提升，朝著高端化方向發(fā)展[3]。

在上述所列的六大類高端電子銅箔，是當(dāng)前的高端PCB市場(chǎng)需求熱點(diǎn)，以及技術(shù)水平快速發(fā)展的品種。更主要集中在高頻高速電子電路用極低輪廓銅箔和IC封裝基板及高端HDI 板用極薄銅箔這兩大類產(chǎn)品方面。本文主要重點(diǎn)討論這兩大類高端銅箔的市場(chǎng)對(duì)細(xì)分品種、產(chǎn)品性能需求，以及技術(shù)開(kāi)發(fā)新進(jìn)展。

2 極低輪廓電解銅箔的市場(chǎng)與實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性能的提高

2.1 電子電路用低輪廓電解銅箔的三大類別八個(gè)品種

業(yè)界中，目前把電子電路用低輪廓電解銅箔按照表面粗糙度（Rz）的大小劃分為三大類別、八個(gè)品種。三大類別是VLP型銅箔（超低輪廓銅箔）、RTF型銅箔（低輪廓反轉(zhuǎn)銅箔），以及HVLP型銅箔（極低輪廓銅箔）。八個(gè)品種是較低輪廓銅箔與在低輪廓反轉(zhuǎn)銅箔品種中三個(gè)世代的RTF品種，以及在極低輪廓銅箔品種中現(xiàn)已發(fā)展到四個(gè)世代的HVLP品種。詳見(jiàn)表1[3]所示。

表1 低輪廓電解銅箔品種及Rz等級(jí)（各類的世代產(chǎn)品）表

2.2 五大應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Φ洼喞娊忏~箔關(guān)鍵性能需求重點(diǎn)的差異性

從整個(gè)低輪廓度銅箔市場(chǎng)需求來(lái)講，隨著低輪廓及極低輪廓電解銅箔的應(yīng)用市場(chǎng)，以及各市場(chǎng)領(lǐng)域?qū)O低輪廓電解銅箔性能要求側(cè)重面的差異，這類高端銅箔的性能向著客制化、個(gè)性化方向發(fā)展。針對(duì)五大應(yīng)用領(lǐng)域，低輪廓度銅箔在性能項(xiàng)目及其技術(shù)指標(biāo)上，都有所差異化。這五大應(yīng)用領(lǐng)域分別如下。

（1）剛性射頻/微波電路用低輪廓電解銅箔；主要應(yīng)用于高檔的射頻-微波電路基板，如毫米波車(chē)載雷達(dá)用基板等。

（2）高速數(shù)字電路用低輪廓電解銅箔，它的市場(chǎng)絕大多數(shù)定位在頻率一般在厘米波（3 GHz～30 GHz）電路基板范圍，應(yīng)用終端是高中端服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等。

（3）撓性PCB用低輪廓電解銅箔。撓性PCB用的這類，還要求銅箔具有高的抗拉強(qiáng)度，較高的延伸率及薄型化。蝕刻后基膜優(yōu)異透明性，也是此銅箔市場(chǎng)的重要需求項(xiàng)目。

（4）高頻高速模塊基板用低輪廓電解銅箔，它除了有低輪廓度要求，還需要有銅箔的高抗拉強(qiáng)度性、高熱穩(wěn)定性、高彈性模量、高剝離強(qiáng)度要求。

（5）大電流厚銅PCB用低輪廓電解銅箔，厚銅PCB的微細(xì)線路制造技術(shù)也要求所采用的超厚銅箔也兼?zhèn)涞洼喞忍匦?。例如，三井金屬RTF型低輪廓厚銅箔：MLS-G（Ⅱ型），Rz＝2.5 μm（產(chǎn)品典型值）。

高頻高速剛性PCB用HVLP型的四個(gè)世代的極低輪廓電解銅箔，其中HVLP2型、HVLP3型極低輪廓電解銅箔，更是當(dāng)前市場(chǎng)需求HVLP類型中的“重中之重”熱門(mén)品種。它們的應(yīng)用市場(chǎng)，是甚低損耗（Very Low Loss）、超低損耗（Ultra LowLoss）等級(jí)的覆銅板以及對(duì)應(yīng)的多層板制造中應(yīng)用。即對(duì)信號(hào)完整性（SI）有更高要求的射頻-微波基板，高速數(shù)字信號(hào)基板，以及高頻特性的模塊基板。

HVLP2型、HVLP3型極低輪廓電解銅箔關(guān)鍵性能，主要為兩大項(xiàng)目，即極低且均勻一致的表面低粗糙度，以及高穩(wěn)定的銅箔剝離強(qiáng)度。由于銅箔表面近似平滑狀極低粗糙度，還要兼顧高剝離強(qiáng)度性，這給研究者帶來(lái)技術(shù)上極大挑戰(zhàn)。

2.3 對(duì)解決極低輪廓電解銅箔最低粗糙度與更高剝離強(qiáng)度難題的討論

回顧近十年來(lái)全球電解銅箔業(yè)界的HVLP類型極低輪廓電解銅箔研發(fā)歷程，處在同時(shí)解決“極低的銅箔表面輪廓度+高的銅箔剝離強(qiáng)度”難題中。因此，近年來(lái)，追求低輪廓電解銅箔（包括了低輪廓壓延銅箔）最低的粗度與最高的剝離強(qiáng)度，這是各銅箔廠家開(kāi)發(fā)高頻基板用電子銅箔的重要課題。如何解決此方面難題？筆者對(duì)綜合臺(tái)灣銅箔專家對(duì)此方面的深入討論文獻(xiàn)[4]的研讀后，作了要點(diǎn)的整理歸納。

2.3.1 從“彈性定理”得到了解決難題的技術(shù)思路

從圖1中的彈性定理，可從理論上更深入了解影響銅箔剝離強(qiáng)度的主要因素。

圖1 影響剝離強(qiáng)度的主要因素關(guān)系的彈性定理圖

中國(guó)臺(tái)灣銅箔專家在該文獻(xiàn)[4]中，對(duì)圖1所示彈性定理中涉及的六個(gè)影響銅箔剝離強(qiáng)度，作了如下的討論。

從彈性定理（Elastic theory）可知，影響剝離強(qiáng)度的主要因素：變形樹(shù)脂的厚度（Yo，Thickness of the deformed resin）、樹(shù)脂的抗拉強(qiáng)度（σN，Tensile strength of the resin）、銅箔總厚度（δ，F(xiàn)oil thickness）、銅的楊氏模量（E，The ratio of the copper modulus）、樹(shù)脂的楊氏模量（Y，The ratio of the resin modulus）等。由圖1中公式可知，提高楊氏模量（E）、銅箔厚度(δ)、變形樹(shù)脂厚度（y），剝離強(qiáng)度就會(huì)得到提高。銅的楊氏模量（E）是由原箔微結(jié)構(gòu)所控制的。假設(shè)銅箔總厚度（δ）是固定的，那么調(diào)整生箔（原箔）厚度和小瘤尺寸。生箔厚度占總的銅箔厚度之比的改變，會(huì)使有效厚度（原箔厚度）得以改變。改動(dòng)小瘤的大小、改動(dòng)阻隔層和硅烷抗氧化層，就可以起到增加變形樹(shù)脂厚度的效果，達(dá)到提高剝離強(qiáng)度的目的。并且沒(méi)有增加銅箔表面粗糙度。

以上的專家這段闡述，筆者得到兩點(diǎn)啟發(fā)，具體如下。

（1）提高整個(gè)銅箔層，即包括瘤化層與生箔（原箔）的楊氏模量，對(duì)銅箔的剝離強(qiáng)度有利，而銅箔表面的瘤化粒子的尺寸越?。龌Ｗ拥?，銅箔表面輪廓度低），銅箔就越有提高楊氏模量的可能。

（2）樹(shù)脂在銅箔表面上“占據(jù)”的空間越大，越變形樹(shù)脂厚度就越大。變形樹(shù)脂厚度的增加，會(huì)帶來(lái)剝離強(qiáng)度提高的效果。這就給通過(guò)改善銅箔表面的偶聯(lián)劑處理層，來(lái)提高銅箔剝離強(qiáng)度，找到了其中一個(gè)理論依據(jù)。

2.3.2 提出了解決此難題的四方面切入點(diǎn)

（1）從光面（S面）上，改變生箔（原箔）的表面實(shí)現(xiàn)生成小瘤入手。即改善成核密度、根瘤大小、數(shù)量和形狀，從而可提高瘤化處理后整體銅箔表面粗糙度低、剝離強(qiáng)度高的問(wèn)題。

（2）研究銅表面構(gòu)形對(duì)影響電性能的特性。即建立模型，由粗糙度與銅瘤堆疊來(lái)推算電性能的特性。

（3）采用銅箔表面涂覆底膠，以提高剝離強(qiáng)度。文章中提及了三井金屬銅箔株式會(huì)社出臺(tái)的運(yùn)用底膠的新品（NP-VSP）例。

（4）采用銅箔制造中的納米錨工藝手段，以提高剝離強(qiáng)度。注意這里提及的納米錨（nano anchor）稱謂瘤化粒子“錨”的概念，是否就是這位臺(tái)灣銅箔專家在文中提及的制造生箔中其表面（指在電解機(jī)陰極輥表面相接觸的箔表面）所產(chǎn)生的“根瘤” 與“納米錨”指的是同一產(chǎn)物。

2.4 提高極低輪廓電解銅箔關(guān)鍵性能四方面工藝技術(shù)路線的研究進(jìn)展

近年業(yè)界在同時(shí)解決“極低的銅箔表面輪廓度+高的銅箔剝離強(qiáng)度”難題中，筆者主要?dú)w納為可采取的四方面工藝技術(shù)路線。這四方面工藝技術(shù)路線，近年不斷取得技術(shù)與應(yīng)用的新進(jìn)展、新成果。

2.4.1 在銅箔層壓面再進(jìn)行薄層涂敷底膠（膠層厚度在10 μm）[1]

2000年底，盧森堡電路銅箔公司在業(yè)界中率先在此方面作了研發(fā)，并發(fā)表了這項(xiàng)工作的研發(fā)成果，但并未有產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品的問(wèn)世。直到20世紀(jì)10年代中期，三井金屬銅箔公司研發(fā)出采用涂底膠的平滑銅箔（NP-VSP）產(chǎn)品，做過(guò)“新品”宣傳。

Rogers公司于2018年3月首次公布的“CU4000 LoPro?銅箔”，它可作為一種高頻電路基板用銅箔商品。它為多層結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)者提供的片狀銅箔選擇，這種銅箔與RO4000產(chǎn)品一同使用時(shí)，還具有優(yōu)良的外層銅箔結(jié)合力（引自羅杰斯此產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)）。CU4000 LoPro銅箔為反轉(zhuǎn)型電解銅箔（RTF），屬I(mǎi)PC-4562標(biāo)準(zhǔn)中的3級(jí)型(高溫延伸銅箔)。在它的光面（S面）作了表面處理后，又涂敷了厚度約8.89 μm（0.35 mil）的薄膠層。

2018年，三井金屬銅箔公司也推出新品——FSP-501極薄、超低輪廓帶載體型電解銅箔。它的銅箔厚度為1.5 μm～3.0 μm，Rz為1.4 μm，銅箔層壓面敷有薄膠層，起到提高超低輪廓銅箔剝離強(qiáng)度的作用。它與FR-4基材的銅箔剝離強(qiáng)度可達(dá)到1.2 kg/cm[1]。當(dāng)Rogers公司、三井金屬銅箔公司的涂敷底膠型產(chǎn)業(yè)化問(wèn)世三年后，筆者注意到：我國(guó)一家通信設(shè)備大廠對(duì)銅箔表面進(jìn)行涂敷底膠薄層處理的工藝路線研制的極低輪廓銅箔（見(jiàn)圖2所示）電氣性能的保證提出了異議。這篇報(bào)告提出：由于趨膚效應(yīng)的影響，我們關(guān)注銅箔的粗糙度，同時(shí)也關(guān)注銅箔與基材結(jié)合力。覆膠銅箔雖然有助于增加剝離強(qiáng)度，但對(duì)電氣性能損失極大[5]。

圖2 涂敷底膠薄層處理的極低輪廓銅箔剖面

2.4.2 在銅箔表面處理面上采取形成納米錨的亞微米瘤化處理

20世紀(jì)10年代中期，三井金屬銅箔公司研發(fā)出形成納米錨（nano anchor）工藝手段，它在極低輪廓銅箔的剝離強(qiáng)度提高方面，起到良好效果。當(dāng)時(shí)在高頻高速基板中得到小批量的應(yīng)用[1][4]。

日本福田金屬箔粉工業(yè)株式會(huì)社在2019年間推出的CF-T4X-SV極低粗糙度銅箔，是一種剛性PCB及FPC均可兼用的HVLP3等級(jí)的高頻高速電路用銅箔[6]。此產(chǎn)品牌號(hào)中的“SV”代表該產(chǎn)品采用了獨(dú)創(chuàng)的形成毛箔的SV工藝技術(shù)，使得毛箔兩面都具有超低粗糙度（即中國(guó)國(guó)內(nèi)對(duì)鋰電箔產(chǎn)品俗稱的“兩面光”）。牌號(hào)中的“T4X”代表該產(chǎn)品采用了獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)粗化處理技術(shù)。它具有超低粗糙度，即CF-T4X-SV的有Rz：1.4 μm（6 μm箔）、1.1 μm（9 μm/12 μm箔）、1.0 μm（9 μm箔）。因粗化面處理后形成了瘤化粒子形態(tài)非常特別——“細(xì)而長(zhǎng)”，使得它的表面既粗糙度超低，比表面積大，又帶來(lái)了“高錨栓”效果，這樣就帶來(lái)了較高的銅箔剝離強(qiáng)度性（剝離強(qiáng)度：9 μm箔：0.55 kN/m；18 μm箔：0.80 kN/m）。這種形成“細(xì)而長(zhǎng)”的超微細(xì)表面形狀的“T4X”后處理技術(shù)，它還克服了應(yīng)用加工中產(chǎn)生“落粉”的問(wèn)題，即它的微細(xì)瘤化粒子具有高固著性[7]。它所顯示的高水平研發(fā)成果，是與開(kāi)發(fā)成功的“兩面光”毛箔SV工藝技術(shù)，密切相關(guān)的。近年有項(xiàng)集中了多家低輪廓銅箔產(chǎn)品進(jìn)行插損測(cè)試對(duì)比研究，其所得結(jié)果表明：福田金屬運(yùn)用了SV工藝技術(shù)制造的其他牌號(hào)的低輪廓銅箔品種，也是在高頻條件下插損測(cè)試結(jié)果表現(xiàn)較佳，且在13 GHz～20 GHz插損值之差表現(xiàn)最佳[8]。福田金屬的開(kāi)發(fā)成果就是從毛箔實(shí)現(xiàn)生成小瘤入手，即改善成核密度、根瘤大小、數(shù)量和形狀的成功案例[4]。

在推進(jìn)微細(xì)瘤化工藝處理技術(shù)進(jìn)展方面，近年除了三井金屬、福田金屬外，還有古河電工株式會(huì)社、南亞膠塑股份有限公司、金居技術(shù)股份有限公司（Co-Tech）等銅箔企業(yè)，在近年取得的極低輪廓銅箔研制成果中。海外的一份對(duì)臺(tái)、日三家同一低輪廓度檔次銅箔的對(duì)比試驗(yàn)報(bào)告的結(jié)果表明：Rz都在≤2.5 μm的RTF電解銅箔，由于它在表面瘤化處理的晶粒構(gòu)型及形貌差異，造成了堆疊及分布狀態(tài)、晶粒分布的均勻程度、非壓合面粗糙度等方面的差異，而這種差異會(huì)引起它制成的基板材料的插損值大小的差異。有研究發(fā)現(xiàn)[9]，區(qū)分、表征表面瘤化處理的晶粒構(gòu)型及形貌差異的手段，可采用測(cè)試表面的Rq（均方根粗糙度，檢測(cè)銅箔Rq一般采用Line Roughness ISO 4287）。這項(xiàng)研究表明：盡管同一低輪廓度銅箔的Rz值較為接近，但它的Rq卻相差較大，造成在不同頻率下測(cè)試的插入損耗值出現(xiàn)差異如圖3所示。

圖3 三種同一Rz檔次RTF銅箔在Rq、插損的對(duì)比

在2021年底召開(kāi)的我國(guó)覆銅板技術(shù)交流會(huì)上，來(lái)自一家國(guó)內(nèi)著名的終端產(chǎn)品大型企業(yè)的報(bào)告，向與會(huì)代表展示了某海外企業(yè)推出的瘤化粒子構(gòu)形特殊的極低輪廓電解銅箔新品（銅箔表面及剖面見(jiàn)圖4所示）[10]。它是采用亞微米粒子瘤化及無(wú)瘤化鍍層形成技術(shù)，解決了“極低的銅箔表面輪廓度+高的銅箔剝離強(qiáng)度”的難題。而從報(bào)告中給出的微觀表面及剖面瘤化粒子構(gòu)形觀察，表現(xiàn)出瘤化粒子“細(xì)而長(zhǎng)”的有利于提高剝離強(qiáng)度的構(gòu)形鮮明特點(diǎn)，其剖面粒子的H：439.2 nm；V：167.5 nm。

圖4 極低輪廓度銅箔表面及剖面瘤化粒子構(gòu)形圖

2.4.3 在銅箔處理面表面進(jìn)行化學(xué)處理

松下株式會(huì)社在2018年1月向業(yè)界推出針對(duì)毫米波雷達(dá)、5G基站等天線市場(chǎng)的無(wú)鹵化超低傳送損失覆銅板R-5515。松下在2019年12月召開(kāi)的研討會(huì)上，做了題為“應(yīng)對(duì)高速-高頻的低介電特性基板材料的最新發(fā)展”的報(bào)告[11][12]。報(bào)告中提出：應(yīng)對(duì)所開(kāi)發(fā)的這個(gè)高頻天線基板材料（R-5515）性能確保的需求，松下采用的三個(gè)重要原材料應(yīng)用技術(shù)的推進(jìn)與支撐。其中，包括自行開(kāi)發(fā)出超低輪廓銅箔壓合面的表面處理新技術(shù)（稱為“CuTAP”），從而獲得高頻下導(dǎo)體方面的低傳輸損失，并兼顧良好的銅箔剝離強(qiáng)度性。實(shí)施這項(xiàng)新技術(shù)，使得銅箔表面上納米級(jí)晶粒構(gòu)成微小凹凸?fàn)?，擴(kuò)大了比表面，使得樹(shù)脂與銅箔的黏接強(qiáng)度得到提高。進(jìn)而保護(hù)膜的加入，基板的耐熱性也得到提高，并且確保了在250 ℃下銅箔光滑面的抗氧化性的良好。日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（簡(jiǎn)稱“產(chǎn)綜研”）先進(jìn)涂層技術(shù)研究中心，2019年3月公布了通過(guò)紫外光在銅箔表面形成化學(xué)交聯(lián)的聚合物涂層新成果[13]。該技術(shù)是利用紫外光反應(yīng)的表面化學(xué)修飾技術(shù)將構(gòu)成銅箔積層基板的聚酯膜表面氧氣官能基化，通過(guò)熱壓與銅箔相接，得到表面化高強(qiáng)度的接合強(qiáng)度，可以接合不同種類的基板材料。

2.4.4 在銅箔與樹(shù)脂的界面間運(yùn)用偶聯(lián)技術(shù)、偶聯(lián)劑復(fù)配技術(shù)

近年，國(guó)內(nèi)外銅箔企業(yè)在解決兼顧良好的極低輪廓性、銅箔剝離強(qiáng)度性方面，通過(guò)偶聯(lián)劑及偶聯(lián)劑復(fù)配技術(shù)進(jìn)行對(duì)銅箔表面的處理，取得不少的研究成果。在近期發(fā)表的來(lái)自大型終端產(chǎn)品企業(yè)的報(bào)告中[10]，論及解決“極低的銅箔表面輪廓度+高的銅箔剝離強(qiáng)度”難題時(shí)，對(duì) “亞微米瘤化及無(wú)瘤化鍍層技術(shù)”和“低粗糙度界面偶聯(lián)技術(shù)、偶聯(lián)劑復(fù)配”，這 兩個(gè)工藝技術(shù)路線的成果的應(yīng)用前景，加以更多的肯定。該報(bào)告人在另一份報(bào)告中[14]，通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)說(shuō)明了銅箔與基材樹(shù)脂之間的界面，經(jīng)過(guò)偶聯(lián)劑改性后它們與樹(shù)脂耐熱結(jié)合力，比未做偶聯(lián)劑改性的基材有所提高（見(jiàn)圖5所示）。這也說(shuō)明，采用偶聯(lián)劑處理工藝路線，是對(duì)提高極低輪廓銅箔的剝離強(qiáng)度，可以發(fā)揮輔助提高的效果。

圖5 銅箔經(jīng)偶聯(lián)劑改性后與樹(shù)脂耐熱結(jié)合力對(duì)比圖

2.5 PCB業(yè)界對(duì)未來(lái)幾年提高低輪廓銅箔性能水平的需求

未來(lái)幾年，從PCB業(yè)界對(duì)提高低輪廓銅箔性能水平的需求，我們以下例可有所了解與展望。

2021年7月，中國(guó)臺(tái)灣的工業(yè)研究院/產(chǎn)科國(guó)際研究所與中國(guó)臺(tái)灣電路板協(xié)會(huì)（TPCA），編制出臺(tái)了“2021中國(guó)臺(tái)灣PCB高階技術(shù)盤(pán)點(diǎn)調(diào)查報(bào)告”。此報(bào)告中詳盡提出了，四大應(yīng)用領(lǐng)域未來(lái)對(duì)高階PCB用低輪廓銅箔性能水平的需求[15][16]。

該報(bào)告中四大類應(yīng)用領(lǐng)域分別為：（1）高性能計(jì)算（HPC：High Performance Computing）設(shè)備群，含計(jì)算中心、AI運(yùn)算、服務(wù)器、應(yīng)用處理器、高階筆記本電腦等；（2）超5G的終端應(yīng)用產(chǎn)品（簡(jiǎn)稱B5G-Edge，B5G的終端應(yīng)用），含智能手機(jī)、汽車(chē)電子、AR（增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)）/VR（虛擬現(xiàn)實(shí)）、穿戴式裝置等等；（3）超5G的基礎(chǔ)設(shè)施（簡(jiǎn)稱B5G-Infrastructure，B5G的基礎(chǔ)設(shè)施），含B5G的基地臺(tái)、地面基站、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等；（4）大功率裝置（簡(jiǎn)稱High Power，高功率設(shè)施），含車(chē)用電源系統(tǒng)、充電站等裝置。此調(diào)查報(bào)告公布顯示，這四類高階PCB終端市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域未來(lái)對(duì)高頻高速基板用電解銅箔的性能需求的預(yù)測(cè)情況，見(jiàn)表2[15][16]所示。

表2中：HPC：高效能運(yùn)算；B5G-Edge：B5G之終端應(yīng)用；B5G-Infrastructure：B5G的基礎(chǔ)設(shè)施；High Power：高功率設(shè)施。根據(jù)2021中國(guó)臺(tái)灣PCB高階技術(shù)盤(pán)點(diǎn)調(diào)查報(bào)告內(nèi)容整理。

筆者對(duì)表2所示的中國(guó)臺(tái)灣高階PCB用電解銅箔的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖內(nèi)容，領(lǐng)會(huì)其要點(diǎn)如下。

表2 未來(lái)五年銅箔技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖表

（1）提高高頻高速電路用低輪廓度銅箔品種的性能，提到了中國(guó)臺(tái)灣PCB全行業(yè)對(duì)所用銅箔性能提高的“首位”需求。為了實(shí)現(xiàn)高階PCB產(chǎn)品的高頻高速與信號(hào)完整性的產(chǎn)品需求，四個(gè)高階終端領(lǐng)域中的各類高階PCB產(chǎn)品，未來(lái)都對(duì)電解銅箔表面粗糙度（Rz）有更為嚴(yán)格的要求。到2025年銅箔的Rz≤1.5 μm已成為普遍的需求，此Rz檔次的低輪廓度銅箔品種（即HVLP2、HVLP3等），未來(lái)幾年將成為高階HLC（高多層PCB）、HDI、FPC的應(yīng)用主流低輪廓度銅箔品種。

（2）各類高階PCB應(yīng)用高頻高速性樹(shù)脂基材與低輪廓銅箔，當(dāng)前與未來(lái)還遇到確保與提高銅箔剝離強(qiáng)度的問(wèn)題。表2中反映了：不同PCB產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的品種，對(duì)銅箔剝離強(qiáng)度指標(biāo)需求趨勢(shì)有截然的不同：四大高階應(yīng)用領(lǐng)域中的HLC板，是勢(shì)于剝離強(qiáng)度越來(lái)越高的趨向（例如：B5GInfrastructure中的HLC對(duì)采用的剝離強(qiáng)度，2021年為0.5 N/mm，2023年為0.6 N/mm，2025年要達(dá)到0.8 N/mm）。而HDI板，則是對(duì)剝離強(qiáng)度要求趨于“走低”（例如：HPC、B5G-Infrastructure中HDI對(duì)采用的銅箔剝離強(qiáng)度，2021年為0.8 N/mm，2023年為0.7 N/mm，2025年要達(dá)到0.6 N/mm）。

筆者認(rèn)為：這種對(duì)剝離強(qiáng)度的各應(yīng)用領(lǐng)域存在的不同需求趨勢(shì)上的差異，是與HLC、HDI類基板對(duì)銅箔的其他性能要求的側(cè)重點(diǎn)有關(guān)。同時(shí)，有的終端產(chǎn)品在PCB設(shè)計(jì)中，還要考慮低成本性制造的因素。

（未完待續(xù)）