申請?zhí)? 202210899224.5

【申請日】2022.07.28

【公開號】CN115064562A

【公開日】2022.09.16

【分類號】H04N5/355;H01L27/146;H04N5/369

【申請人】上海華力微電子有限公司

【發(fā)明人】杜重凱; 秋沉沉; 錢俊

【摘 要】本發(fā)明公開了像素結構、圖像傳感器及終端，屬于圖像傳感器工藝技術領域，該像素結構，包括襯底；第一導電類型的浮置擴散區(qū)，形成在所述襯底中；至少兩個面積不同的第二導電類型的感光區(qū)，形成在所述襯底中，所有的所述感光區(qū)圍繞所述浮置擴散區(qū)分布且共用所述浮置擴散區(qū)；隔離區(qū)，設置在位于所述浮置擴散區(qū)同一側的相鄰所述感光區(qū)之間的襯底中；傳輸柵，與各個所述感光區(qū)一一對應且設置在各個所述感光區(qū)的襯底上。通過在像素結構中設置具有不同面積的感光區(qū)，由此可以通過各感光區(qū)獲得不同感光度的圖像，進而對這些不同感光度的圖像進行合成處理，從而能夠得到高HDR圖像，改善現(xiàn)有技術中圖像過曝或欠曝的問題。