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溫室用Na2SO4·10H2O-Na2HPO4·12H2O復(fù)合定形相變材料制備及性能

2022-03-09 00:41:16張文杰吳畏李松澤張子健衣雪梅
化工進展 2022年2期
關(guān)鍵詞:定形潛熱液相

張文杰,吳畏,李松澤,張子健,衣雪梅

(西北農(nóng)林科技大學(xué)機械與電子工程學(xué)院,陜西 楊凌 712100)

蓄熱材料主要分為化學(xué)蓄熱、顯熱蓄熱和相變蓄熱三大類,其中化學(xué)蓄熱存在不安全、過程不可控和反應(yīng)需要容器等問題,影響了推廣應(yīng)用。顯熱蓄熱是現(xiàn)在應(yīng)用最廣的蓄熱方式,但其存在大量利用自然資源、對環(huán)境破壞性強以及儲熱密度小等問題。而相變蓄熱具有相變溫度穩(wěn)定、蓄熱密度大、價格低廉以及穩(wěn)定性良好等優(yōu)點,是一種通過材料狀態(tài)變化進行吸熱和放熱的新型蓄熱技術(shù)。用于日光溫室后墻的蓄熱材料的要求有:相變溫度需控制在18~25℃、相變可循環(huán)、沒有相分層和過冷現(xiàn)象產(chǎn)生、蓄熱密度大、無泄漏、價格便宜等。因此,溫室墻體材料常使用低溫-無機-固液相變材料。NaSO·10HO和NaHPO·12HO是兩種儲熱性能良好的常低溫水合鹽相變材料,其相變溫度適宜(熔點分別為32℃和36℃),具有高相變潛熱(潛熱值分別為254kJ/kg 和275kJ/kg),非常適合應(yīng)用于溫室生產(chǎn)。

NaSO·10HO 和NaHPO·12HO 存在過冷度、相分離、相變溫度過高和液相泄漏等問題,限制了其在溫室的應(yīng)用。為了改善過冷度問題,蔣自鵬等發(fā)現(xiàn)向NaSO·10HO中添加硼砂可以改善其過冷度,鄢瑛等發(fā)現(xiàn)向NaHPO·12HO中添加一些活性氧化鋁可以有效降低過冷度,陳躍等發(fā)現(xiàn)納米材料和高分子分散劑聚丙烯酸鈉組成的納米復(fù)合相變材料使NaHPO·12HO 的過冷度降至1.2℃。針對其相分離現(xiàn)象,蔣自鵬等發(fā)現(xiàn)隨著羧甲基纖維素鈉的添加,NaSO·10HO 的相分層現(xiàn)象基本消除。Lan 等研究了海藻酸鈉在NaHPO·12HO中聚合接枝丙烯酸鈉的新凝膠方法,可以有效消除相分離。為降低相變溫度,李鳳艷等通過對NaSO·10HO的研究發(fā)現(xiàn),加入NaCl能有效降低其相變溫度。許紅軍等發(fā)現(xiàn)向NaHPO·12HO 中加入KCl 可降低其熔化溫度和凝固溫度分別至21.7℃和25℃。針對液相泄漏問題,張森景以十水硫酸鈉為原材料,以多孔AlO為載體對NaSO·10HO進行改性,解決了液相泄漏問題。張桂芝等通過原位自由基聚合制備出NaHPO·12HO復(fù)合相變材料,其呈現(xiàn)凝膠狀,穩(wěn)定性好。Wu等以NaSO·10HO 和NaHPO·12HO 的混合物體系作為材料,以制備的二氧化硅為支撐材料進行定形,解決了液相泄漏問題。

成核劑的選擇要求為:可使相變材料順利結(jié)晶以減小或消除過冷。目前十水硫酸鈉的成核劑有硼砂、十二水磷酸氫二鈉等。硼砂雖然消除過冷度效果很好,但對相變潛熱影響較大,會使相變材料的相變潛熱大幅下降。而十二水磷酸氫二鈉同樣作為相變材料,降低過冷度的同時兼顧相變潛熱,對其影響較小。本實驗直接選擇十二水磷酸氫二鈉作為成核劑。熔點調(diào)節(jié)劑選擇NaCl、NHCl、KCl 等無機鹽,通過削弱水分子之間氫鍵的吸引力來降低十水硫酸鈉的熔點。氯化鈉最不利于降低熔點,并使初始熔化熱降低較大。氯化銨有產(chǎn)生氨氣的風險和可能。本實驗選用氯化鉀作為熔點調(diào)節(jié)劑。增稠劑及定形載體的選擇要求為:增稠劑主要是通過增加溶液黏性,使固體顆粒懸浮在溶液中而不會大量沉積在容器底部,以克服相分離;定形載體是真空吸附到多孔材料上,或者通過微膠囊包裹等方法解決固液相變的液相泄漏問題。增稠劑有羧甲基纖維素(CMC)、十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)、聚硅硫酸鋁(PASS)、海藻酸鈉等。定形載體有多孔材料和三維空間聚合物等。而樹脂可以同時兼顧相分離和液相泄漏問題,且吸附方法簡單,價格低廉,因此本實驗將樹脂作為相變載體。

本 文 通 過NaSO·10HO 和NaHPO·12HO 二元體系混合來改善過冷度。為解決相變溫度過高的問題,以KCl為相變溫度調(diào)節(jié)劑,用以降低相變溫度。同時為克服相分離和液相泄漏問題,以高吸水性樹脂為基體,利用其三維空間網(wǎng)絡(luò)吸附復(fù)合材料。采用差示掃描量熱法(DSC)、升降溫曲線、循環(huán)電熱變溫和場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)觀測等方法研究二元體系的不同質(zhì)量比的熱物性、最佳二元體系中加KCl和樹脂兩種材料復(fù)合后的各種熱物性、最佳參數(shù)復(fù)合定形相變材料的循環(huán)穩(wěn)定性和微觀結(jié)構(gòu),為十水硫酸鈉和十二水磷酸氫二鈉用于日光溫室蓄熱提供一定的參考價值。

1 實驗部分

1.1 試劑和儀器

本實驗使用的試劑包括:十二水磷酸氫二鈉(DSP)和十水硫酸鈉(SSD),SPALN 公司;氯化鉀,含量≥99.0%,廣州金華化學(xué)試劑有限公司;高分子吸水性樹脂[主要化學(xué)成分是低交聯(lián)型聚丙烯酸88%(其中含鈉24.5%),水8%~10%,交聯(lián)劑0.5%~1%,SAP],復(fù)納新材料科技有限公司。主要儀器見表1。

表1 主要儀器

1.2 制備方法

1.2.1 不同質(zhì)量比的SSD-DSP的制備

稱取不同質(zhì)量比的SSD-DSP 二元體系置于燒杯中,攪拌均勻后用保鮮膜密封放入50℃恒溫水浴鍋中,加熱時間為1h,經(jīng)磁力攪拌器攪拌均勻后,將混合原料放入恒溫水浴鍋中。SSD-DSP 質(zhì)量比分別為1∶9、2∶8、3∶7、4∶6、5∶5、6∶4、7∶3、8∶2、9∶1。

1.2.2 KCl-SSD-DSP體系的制備

稱取多份質(zhì)量為20g 的SSD-DSP 置于燒杯中,加入不同質(zhì)量分數(shù)的KCl,攪拌均勻后用保鮮膜密封放入50℃恒溫水浴鍋中,加熱時間為1h,經(jīng)磁力攪拌器攪拌均勻后,將混合原料放入恒溫水浴鍋中。制備過程中,KCl的質(zhì)量分數(shù)分別為4%、6%、8%、10%。

1.2.3 SAP-KCl-SSD-DSP體系的制備

稱取多份質(zhì)量為20g的KCl-SSD-DSP置于燒杯中,加入不同質(zhì)量分數(shù)的SAP,攪拌均勻后用保鮮膜密封放入50℃恒溫水浴鍋中,加熱時間為1h,經(jīng)磁力攪拌器攪拌均勻后,將混合原料放入恒溫水浴鍋中。制備過程中,SAP的質(zhì)量分數(shù)分別為4%、6%、8%。

1.3 熱物性測試

1.3.1 升降溫測試

將混合樣品分置于多個試管中,插入T形熱電偶至樣品2/3處,與相變材料充分接觸,放入低溫循環(huán)水槽中,設(shè)置溫度參數(shù)。先將溫度調(diào)至0℃為起始點,設(shè)置升溫速率為1℃/min,升到50℃再設(shè)置降溫速率為1℃/min。利用安捷倫數(shù)據(jù)儀記錄好溫度與時間,繪制升降溫曲線,分析不同質(zhì)量比相變體系的相變溫度、過冷度及相分層的變化。

1.3.2 DSC測試

差示掃描量熱法(DSC)是通過設(shè)定控制程序?qū)囟瓤刂圃谛枰臏y定范圍內(nèi)測出待測物與參照物的能量差和對應(yīng)溫度相互關(guān)系的一種方法。DSC要求測量精度高,所以放入的樣品和對照物也需要保證高精確度的要求,這樣才能夠有效減小誤差。為提高精度,使用萬分之一精度的電子天平對樣品和對照物進行稱量,稱取樣品質(zhì)量在10mg 以內(nèi),待測物體積在容器的一半以下。

因此,本試驗在進行測試時,滿足相變溫度在設(shè)置溫度區(qū)間之內(nèi),設(shè)置為0~65℃,升降溫速率設(shè)置為5℃/min,樣品質(zhì)量取5~10mg。根據(jù)放入待測樣品與對照物測定的數(shù)值,記錄試驗溫度變化結(jié)果,繪制DSC曲線。

1.3.3 循環(huán)穩(wěn)定性測試

稱量待測物,在電熱變溫箱中進行100次加熱降溫循環(huán)實驗,設(shè)置溫度為0~65℃之間循環(huán),每隔50 次取樣進行DSC 測試,檢測待測物的熱穩(wěn)定性。

1.3.4 SEM測試

對需要測試的樣品先使用真空冷凍干燥機冷凍干燥到0℃,然后置于液氮中脆斷,測試前將斷面噴金,最后使用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)進行顯微觀測。

2 結(jié)果與討論

2.1 不同質(zhì)量比的SSD-DSP的熱工性能

本研究以20g SSD 為基準,分別加入10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%DSP,研究不同質(zhì)量分數(shù)的DSP對SSD過冷度、熔化溫度、凝固溫度和相變潛熱值的影響。

2.1.1 不同質(zhì)量比的SSD-DSP體系升降溫曲線分析

在20g SSD 中加入不同質(zhì)量分數(shù)的DSP 的升降溫曲線見圖1;不同質(zhì)量分數(shù)的DSP 對SSD 相變材料的熔化溫度和過冷度的影響見圖2。

圖1 不同質(zhì)量分數(shù)的SSD-DSP體系升降溫曲線

圖2 不同質(zhì)量分數(shù)的DSP對SSD熔化溫度和過冷度的影響

根據(jù)圖1及圖2分析得出:隨著DSP含量增加,過冷度呈現(xiàn)波動趨勢。在加入10% DSP 時,過冷度為最大值16.55℃,在加入80%DSP 時,過冷度為最小值1.35℃;在20%、50%~80%時,過冷度較低。其原因是在DSP質(zhì)量分數(shù)為0~30%時,SSD作為主體相變材料;在10%~20%范圍內(nèi),隨著DSP 質(zhì)量分數(shù)增加,DSP 作為成核劑分子含量增多,形成了更多促進溶液成核的附著點,降低了溶液的過冷度;在質(zhì)量分數(shù)為20%~30%時,隨著DSP質(zhì)量分數(shù)增加,過量的DSP只能沉積在底部十水硫酸鈉晶體上,阻止溶液中的硫酸鈉與結(jié)晶水結(jié)合成水合鹽;在DSP 質(zhì)量分數(shù)為40%~90%時,DSP 作為主體相變材料,在SSD 為10%~20%時,隨著SSD增加,SSD作為成核劑分子含量越多,形成了更多促進溶液成核的附著點,降低了溶液的過冷度;在SSD 為20%~60%時,隨著SSD 增加,過量的SSD只能沉積在底部DSP晶體上,阻止溶液中的磷酸氫二鈉與結(jié)晶水結(jié)合成水合鹽。熔化溫度在SSD 的理論熔化溫度32.4℃上下浮動不超過3℃,表明其對熔化溫度影響不大,大多是試驗誤差引起的。根據(jù)對相變材料的要求可知,過冷度要盡量低,DSP在50%~80%之間過冷度較低。

2.1.2 不同質(zhì)量比的SSD-DSP體系DSC曲線分析

在20g SSD 中加入不同質(zhì)量分數(shù)的DSP 的DSC曲線見圖3;不同質(zhì)量分數(shù)的DSP 對SSD 相變材料的凝固溫度和潛熱的影響見圖4。

根據(jù)圖3及圖4分析得出:隨著DSP含量增加,凝固溫度以正弦曲線趨勢波動。在加入20%、50%和80%的DSP 時,凝固溫度為波峰值13.55℃、13.52℃和16.66℃;在加入10%、40%、60% 和90% 的DSP 時,凝固溫度為波谷值9.10℃、10.51℃、12.85℃和14.01℃。隨著DSP 含量增加,相變潛熱值變化趨勢與凝固溫度大致相同,只是倒數(shù)第二個波谷值從60%DSP 后移到了70%DSP。在加入20%、50%和80%DSP時,相變潛熱值為波峰值240.6J/g、233.1J/g 和268.7J/g;在 加 入10%、40%、70%和90% DSP 時,相變潛熱值為波谷值221.4J/g、207.6J/g、202.1J/g 和208.8J/g。相變潛熱變化趨勢與凝固溫度相似,是因為凝固溫度的趨勢與過冷度趨勢相似,在過冷度較低的情況下,相變潛熱值較大,DSP在20%、50%、60%和80%時相變潛熱值較高。DSC測試的升降溫速率較大,樣品測試量較少,使得DSC 曲線的凝固溫度和熔化溫度相差較大。

圖3 不同質(zhì)量分數(shù)的SSD-DSP體系的DSC曲線

圖4 不同質(zhì)量分數(shù)的DSP對SSD的凝固溫度和潛熱的影響

結(jié)合過冷度和相變潛熱值的要求可知,80%DSP各方面性能更優(yōu)。

2.2 KCl對SSD-DSP熱工性能的影響

本研究采用上述效果較好的加入80% DSP 的組合,以20g二元體系SSD-DSP為基準,分別加入4%、6%、8%、10% KCl,研究不同質(zhì)量分數(shù)的KCl對SSD-DSP二元體系過冷度、熔化溫度、凝固溫度和相變潛熱值的影響。

2.2.1 KCl-SSD-DSP體系升降溫曲線分析

在20g SSD-DSP 體系中加入4%、6%、8%、10%的KCl 的升降溫曲線見圖5。不同質(zhì)量分數(shù)的KCl 對SSD-DSP 體系的熔化溫度和過冷度的影響見圖6。

根據(jù)圖5及圖6分析得出,隨著KCl含量增加,熔化溫度降低。加入4%KCl 時,熔化溫度為最大值27.01℃;加入10% KCl 時,熔化溫度為最小值18.62℃。由凝固點降低定律知,當溶質(zhì)與溶劑凝固點不同時,溶質(zhì)溶于溶劑后,其溶液凝固點在一定濃度范圍內(nèi)降低。這是因為KCl會削弱鹽與水分子間的吸引力,從而降低二元體系的共晶溫度。隨著KCl含量增加,過冷度呈現(xiàn)波動,總體來說,過冷度大于不加KCl。加入6% KCl 時,過冷度為最大值2.612℃;加入8% KCl 時,過冷度為最小值1.41℃。在二元體系中加入KCl,KCl沉積在底部二元體系晶體上,阻止溶液中的鹽與結(jié)晶水結(jié)合形成水合鹽,因此過冷度相對于二元體系整體增加。在8%KCl時最低,是因為8%KCl能更有效地和二元體系相融合形成相對多的成核附著點,非均勻形核功最小,此時過冷度相對較小。

圖5 KCl-SSD-DSP體系的升降溫曲線

圖6 不同質(zhì)量分數(shù)的KCl對SSD-DSP體系的熔化溫度和過冷度的影響

2.2.2 KCl-SSD-DSP體系DSC曲線分析

在20g SSD-DSP 體系中加入4%、6%、8%、10% KCl 的DSC 曲線見圖7。不同質(zhì)量分數(shù)的KCl對SSD-DSP體系的凝固溫度和潛熱的影響見圖8。

圖7 KCl-SSD-DSP體系DSC曲線

根據(jù)圖7及圖8分析得出,隨著KCl含量增加,凝固溫度減小。加入4%KCl 時,凝固溫度為最大值11.76℃;加入10% KCl 時,凝固溫度為最小值5.24℃。隨著KCl 含量增加,相變潛熱值減小,加入4% KCl 時潛熱為最大值208.91J/g,加入10%KCl時潛熱為最小值96.36J/g。KCl不產(chǎn)生相變,只作為熔點調(diào)節(jié)劑,隨著KCl含量的增大,復(fù)合材料的相變潛熱降低的現(xiàn)象變明顯。DSC測試的升降溫速率較大,樣品測試量較少,使得DSC 曲線的凝固溫度和熔化溫度相差較大。

圖8 不同質(zhì)量分數(shù)的KCl對SSD-DSP體系的凝固溫度和潛熱的影響

結(jié)合結(jié)晶溫度、熔點溫度、過冷度和相變潛熱值的要求可知,6%KCl、80%DSP各方面性能更優(yōu)。

2.3 SAP對KCl-SSD-DSP熱工性能的影響

本研究采用上述效果較好的加入6% KCl、80%DSP的組合,以20g三元體系KCl-SSD-DSP為基準,分別加入4%、6%、8% SAP,研究不同質(zhì)量分數(shù)的SAP 對KCl-SSD-DSP 三元體系過冷度、熔化溫度、凝固溫度和相變潛熱值的影響。

2.3.1 SAP-KCl-SSD-DSP體系升降溫曲線分析

在20g KCl-SSD-DSP 體系中加入4%、6%、8%的SAP 的升降溫曲線見圖9;不同質(zhì)量分數(shù)的SAP 對KCl-SSD-DSP 體系的熔化溫度和過冷度的影響見圖10。

圖9 SAP-KCl-SSD-DSP體系升降溫曲線

根據(jù)圖9 及圖10 分析得出,隨著SAP 含量增加,過冷度的變化為先減小后增大。加入6%SAP時,過冷度為最小值1.41℃;加入8%SAP 時,過冷度為最大值2.01℃。在三元體系中,SAP的加入會使得相變材料吸附在樹脂的三維網(wǎng)絡(luò)上,所以三維壁更有利于相變材料結(jié)晶凝固,因此整體過冷度相對減小。在6% SAP 時最低,是因為6% SAP 能更有效地吸附復(fù)合相變材料,此時過冷度相對較小。隨著SAP 含量增加,熔化溫度先減小后增大,加入6% SAP 時熔化溫度為最小值22.61℃,加入8%SAP時熔化溫度為最大值23.29℃。

圖10 不同質(zhì)量分數(shù)的SAP對KCl-SSD-DSP體系的熔化溫度和過冷度的影響

2.3.2 SAP-KCl-SSD-DSP體系DSC曲線分析

在20g KCl-SSD-DSP 體系中加入4%、6%、8%的SAP 的DSC 曲線見圖11;不同質(zhì)量分數(shù)的SAP 對KCl-SSD-DSP 體系的凝固溫度和潛熱的影響見圖12。

根據(jù)圖11 及圖12 分析得出,隨著SAP 含量增加,凝固溫度先減小后增大。加入8%SAP 時,凝固溫度為最大值14.13℃;加入6%SAP時,凝固溫度為最小值11.56℃。隨著SAP 含量增加,相變潛熱值的變化為先增大后減小,加入6%SAP 時潛熱為最大值143.6J/g,加入4% SAP 時潛熱為最小值130.4J/g。因為SAP 不產(chǎn)生相變,只作為載體,復(fù)合材料的相變潛熱相對于整體有所降低。4%SAP不足以完全吸附所有相變材料解決相分離問題,導(dǎo)致相變潛熱值較低;6%SAP 較好地吸附了所有相變材料,相變潛熱較高;8%SAP 過量的加入導(dǎo)致相變潛熱下降。DSC測試的升降溫速率較大,樣品測試量較少,使得DSC 曲線的凝固溫度和熔化溫度相差較大。

圖11 SAP-KCl-SSD-DSP體系DSC曲線

圖12 不同質(zhì)量分數(shù)的SAP對KCl-SSD-DSP體系的凝固溫度和潛熱的影響

結(jié)合凝固溫度、熔點溫度、過冷度和相變潛熱值的要求可知,6%SAP、6%KCl、80%DSP 各方面性能更優(yōu),放熱曲線和吸熱曲線的相變潛熱相差不大,且放熱曲線受降溫速率影響較大,故采用吸熱曲線確定相變潛熱。取DSC 所得凝固溫度,即最差情況,如果最差情況也可以滿足要求,那么復(fù)合材料就可以滿足需求。故其凝固溫度為11.56℃、熔化溫度為22.61℃、過冷度為1.41℃、相變潛熱為143.6J/g。

2.4 復(fù)合定形相變材料的熱物性及循環(huán)穩(wěn)定性

SSD-DSP 和SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料加熱過程中的外觀變化見圖13。

圖13 SSD-DSP和SAP-KCl-SSD-DSP加熱前后外觀變化

加熱至50℃之后,SSD-DSP 材料直接熔化變?yōu)橐后w,但SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料保持了較好的外觀,宏觀上沒有發(fā)生變形和熔融。圖13說明了SAP-KCl-SSD-DSP復(fù)合定形相變材料宏觀上不會發(fā)生液相泄漏及熱穩(wěn)定性好。

循 環(huán)1 次、50 次、100 次 后,SAP-KCl-SSDDSP 復(fù)合定形相變材料的DSC 測試見圖14,SAPKCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料的相變溫度和相變潛熱變化見圖15。

圖14 不同循環(huán)次數(shù)下的DSC曲線

從圖14及圖15可以看出,SAP-KCl-SSD-DSP復(fù)合定形相變材料的相變溫度和凝固溫度隨循環(huán)次數(shù)的增加沒有太大變化,分別在21℃和11℃上下浮動。SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料的相變潛熱隨循環(huán)次數(shù)的增加衰減趨勢在下降,循環(huán)50次時,衰減速率為最大,循環(huán)次數(shù)在1~50 次時,衰減速率為9.0%;循環(huán)次數(shù)在50~100 次時,衰減速率變小,衰減速率為2.2%??偟膩碚f,在100次循環(huán)之后,SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料相變潛熱為127.8J/g,比循環(huán)1次衰減了11.2%。

圖15 凝固溫度及潛熱隨循環(huán)次數(shù)變化曲線

2.5 復(fù)合定形相變材料微觀結(jié)構(gòu)

SAP 材料及SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料表面的SEM 照片見圖16。SAP 材料呈現(xiàn)顆粒狀,在圖16(a)和圖16(b)中都能明顯地看到顆粒上的多孔網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)。SAP的多孔結(jié)構(gòu)使SAP材料可以吸附更多的無機復(fù)合鹽類材料。冷凍干燥后的SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料的表面結(jié)構(gòu)見圖16(c)和圖16(d),其中KCl-SSD-DSP 材料大多都被包裹在SAP 材料中,只有極少部分裸露在表面。

圖16 SAP和SAP-KCl-SSD-DSP的SEM圖

3 結(jié)論

針對十水硫酸鈉過冷、相變溫度過高、相分離和液相泄漏的問題,通過十二水磷酸氫二鈉降低過冷度、氯化鉀降低相變溫度和添加高吸水性樹脂作支撐材料解決相分離和液相泄漏問題,制備了用于日光溫室的SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合定形相變材料。利用升降溫測試、DSC、循環(huán)穩(wěn)定性實驗和場發(fā)射掃描電子顯微鏡實驗等表征其熱物性和顯微結(jié)構(gòu),可以得出以下結(jié)論。

(1)增大NaHPO·12HO含量,凝固溫度以正弦曲線趨勢波動,過冷度呈現(xiàn)波動且變化幅度較大,相變溫度與理論值相接近且變化幅度較小,相變潛熱值呈正弦曲線變化,結(jié)合熔化溫度、凝固溫度、過冷度和相變潛熱值的要求可知,80%NaHPO·12HO各方面性能更優(yōu)。

(2)增加KCl含量,凝固溫度、熔化溫度都在降低,過冷度呈現(xiàn)波動,相變潛熱值逐漸減小。結(jié)合熔化溫度、凝固溫度、過冷度和相變潛熱值的要求可知,6%KCl各方面性能更優(yōu)。

(3)增加高吸水性樹脂含量,凝固溫度、熔化溫度和過冷度先減小后增大,相變潛熱值先增大后減小。結(jié)合熔化溫度、凝固溫度、過冷度和相變潛熱值的要求可知,6%高吸水性樹脂各方面性能更優(yōu),所得復(fù)合定形相變材料的凝固溫度為11.56℃、熔化溫度為22.61℃、過冷度為1.41℃、相變潛熱為143.6J/g。

(4)最終制備的SAP-KCl-SSD-DSP 材料具有很好的熱物性和循環(huán)穩(wěn)定性,無液相泄漏產(chǎn)生。經(jīng)過100次循環(huán),SAP-KCl-SSD-DSP復(fù)合定形相變材料相變潛熱為127.8J/g,比循環(huán)1次衰減了11.2%。

(5)通過SEM 觀察,SAP-KCl-SSD-DSP 復(fù)合相變材料大多被包裹在SAP的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中。

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