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國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)企業(yè)官宣年產(chǎn)150臺(tái)?從0到1的艱難破局路

2022-02-15 01:03
電腦報(bào) 2022年5期
關(guān)鍵詞:光刻機(jī)微電子制程

國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)企業(yè)官宣年產(chǎn)150臺(tái)光刻機(jī),聽(tīng)著有些像“天方夜譚”的事情卻是來(lái)自企業(yè)官方的消息。

前不久,源卓微電子裝備有限公司舉辦了DiSS系列數(shù)字光刻機(jī)投產(chǎn)儀式,其將在湖南常德啟動(dòng)總投資2億元的生產(chǎn)線項(xiàng)目,主要投產(chǎn)自主研發(fā)的DiSS數(shù)字步進(jìn)掃描光刻機(jī),2022年預(yù)計(jì)年產(chǎn)150臺(tái)設(shè)備。

熟悉或者留心光刻機(jī)市場(chǎng)的小伙伴一定清楚,即便是ASML一年的產(chǎn)量也達(dá)不到150臺(tái),可為何一家不甚知名的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)企業(yè)能做到呢?冷靜下來(lái)仔細(xì)分析會(huì)發(fā)現(xiàn),這150臺(tái)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)總價(jià)值2億元,顯然,這絕非全球半導(dǎo)體科技企業(yè)爭(zhēng)搶的DUV光刻機(jī)或EUV光刻機(jī)。

電腦報(bào)記者仔細(xì)調(diào)查后發(fā)現(xiàn),源卓微電子裝備有限公司此次帶來(lái)的光刻機(jī)全稱為DiSS數(shù)字光刻機(jī)(Digital-Step-Scan),根據(jù)需求而言,源卓微電子的DiSS數(shù)字步進(jìn)掃描光刻機(jī)擁有強(qiáng)大的應(yīng)用能力,和主流的EUV、DUV光刻機(jī)不同,它的應(yīng)用范圍雖然小眾,卻也能發(fā)揮重要的產(chǎn)業(yè)價(jià)值。

目前,源卓微電子掌握的設(shè)備還包括DiSS-28D、DiSS-35T等系列產(chǎn)品,算上2022年投產(chǎn)的項(xiàng)目,預(yù)計(jì)將在DiSS系列上取得更大的產(chǎn)業(yè)突破。

在一定程度上來(lái)看,源卓微電子自研的DiSS數(shù)字光刻機(jī)正式投產(chǎn)的意義非常重大,不僅可以助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),而且還補(bǔ)齊了我們?cè)诠饪虣C(jī)基礎(chǔ)技術(shù)和供應(yīng)體系等方面的短板。

從全球角度來(lái)看,半導(dǎo)體前道光刻機(jī)長(zhǎng)期由ASML、尼康和佳能三家把持,從2012-2019歷年全球半導(dǎo)體前道光刻機(jī)出貨比例可以看出,ASML、尼康、佳能三家公司幾乎占據(jù)了99%的市場(chǎng)份額,其中ASML光刻機(jī)市場(chǎng)份額常年在60%以上,市場(chǎng)地位極其穩(wěn)固。

因此,全球光刻機(jī)市場(chǎng)實(shí)際上是AML一家獨(dú)大。2019年的光刻機(jī)高端市場(chǎng)中,EUV方面ASML獨(dú)占鰲頭,市占率100%。從EUV、ArFi、ArF機(jī)型的出貨來(lái)看,全年共出貨154臺(tái),其中ASML出貨130臺(tái),在高端市場(chǎng)占有84%的份額。

尼康在高端光刻機(jī)市場(chǎng)仍有一席之地,佳能則完全退出高端市場(chǎng),將其業(yè)務(wù)重點(diǎn)集中于中低端光刻機(jī)市場(chǎng)。中低端光刻機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,產(chǎn)品包括封裝光刻機(jī)、LED光刻機(jī)以及面板光刻機(jī)等,與復(fù)雜的IC前道制造相比,工藝要求和技術(shù)壁壘較低,佳能憑借價(jià)格優(yōu)勢(shì)拿下不少的中低端市場(chǎng)份額。

在行業(yè)發(fā)展方面,ASML旗下的TWINSCAN系列是目前世界上精度最高、生產(chǎn)效率最高、應(yīng)用最為廣泛的高端光刻機(jī)型。最新的TWINSCAN NXE:3400C可用于生產(chǎn)5nm的芯片,2019年共交付了9臺(tái)。目前全球絕大多數(shù)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商,都向ASML采購(gòu)TWINSCAN機(jī)型。

市場(chǎng)上主力機(jī)種是XT系列以及NXT系列,為ArF和KrF激光光源,XT系列是成熟的機(jī)型,分為干式和沉浸式兩種,而NXT系列則是現(xiàn)在主推的高端機(jī)型,全部為沉浸式。此外,AML最新推出的0.55NA的新機(jī)型EXE:5000樣機(jī),可用于2納米生產(chǎn)。

顯然,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)企業(yè)想要在高端型號(hào)上同AML直接抗衡并不現(xiàn)實(shí),但借助我國(guó)日趨完整且龐大的半導(dǎo)體生態(tài),或能成功地在中低端AML市場(chǎng)撕開(kāi)一道口子。

當(dāng)前,中國(guó)晶圓代工需求占全球代工總需求比重日益提升。根據(jù)IBS顯示,2018年中國(guó)IC設(shè)計(jì)公司對(duì)晶圓制造需求約805億元,占全球晶圓代工規(guī)模4,088億元的19.7%,到2025年時(shí)需求上升漲至30.5%。在這樣的格局下,中國(guó)對(duì)于半導(dǎo)體制造設(shè)備的需求以及資本投入將會(huì)日益提高,進(jìn)而為國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)設(shè)備的成長(zhǎng)提供了有利的大環(huán)境。

隨著第三次全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移,國(guó)內(nèi)晶圓廠投資加速,光刻機(jī)作為新建晶圓廠的核心資本支出,市場(chǎng)空間進(jìn)一步打開(kāi)。28nm作為當(dāng)前關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn),工藝制程從90nm突破至28nm,對(duì)于國(guó)產(chǎn)替代具有重大戰(zhàn)略意義。

為推動(dòng)我國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提升我國(guó)集成電路制造裝備、工藝及材料技術(shù)的自主創(chuàng)新能力,充分調(diào)動(dòng)國(guó)內(nèi)力量為重大專項(xiàng)的有效實(shí)施發(fā)揮作用,國(guó)家決定實(shí)施科技重大專項(xiàng)《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》項(xiàng)目。該項(xiàng)目因次序排在國(guó)家重大專項(xiàng)所列16個(gè)重大專項(xiàng)第二位,在行業(yè)內(nèi)被稱為“02專項(xiàng)”。

國(guó)內(nèi)多家企業(yè)攜手發(fā)揮1+1>2的能力,成為國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)破局的關(guān)鍵推力。在 02專項(xiàng)的十三五規(guī)劃中,突破28nm浸沒(méi)式光刻機(jī)及核心組件被列入戰(zhàn)略目標(biāo),舉全國(guó)之力,匯集頂級(jí)科研人才開(kāi)啟“光刻機(jī)雙工作臺(tái)系統(tǒng)樣機(jī)研發(fā)”項(xiàng)目、“超分辨光刻裝備研制”項(xiàng)目、“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目,現(xiàn)均取得重大突破。

實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)替代并不是某一企業(yè)能夠單獨(dú)完成的,需要光刻產(chǎn)業(yè)鏈的頂尖企業(yè)相互配合。光刻產(chǎn)業(yè)鏈可拆分為兩個(gè)部分,一是光刻機(jī)核心組件,包括光源、鏡頭、雙工作臺(tái)、浸沒(méi)系統(tǒng)等關(guān)鍵子系統(tǒng),二是光刻配套設(shè)施,包括光刻膠、光掩模板、涂膠顯影設(shè)備等。

上海微電子將在2021年交付的28nm光刻機(jī)正是源于以下核心企業(yè)以舉國(guó)之力在各自細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)突破:上海微電子負(fù)責(zé)光刻機(jī)設(shè)計(jì)和總體集成,北京科益虹源提供光源系統(tǒng),北京國(guó)望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng),國(guó)科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng),華卓精科提供雙工作臺(tái),浙江啟爾機(jī)電提供浸沒(méi)系統(tǒng)。

而在人們關(guān)心的中國(guó)光刻機(jī)水平方面,從2009年開(kāi)始算起,中國(guó)研究團(tuán)隊(duì)一路攻堅(jiān)克難,國(guó)產(chǎn)首套90納米高端光刻機(jī)已經(jīng)成功研制。2020年6月,上海微電子設(shè)備有限公司透露,將在2021-2022年交付首臺(tái)國(guó)產(chǎn)28nm工藝浸沒(méi)式光刻機(jī)。消息一出,意味著國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)工藝從以前的90nm一舉突破到28nm。

雖然國(guó)產(chǎn)90nm光刻機(jī)對(duì)于7nm頂尖制程存在較大差距,但像手機(jī)內(nèi)部主板上的射頻芯片、藍(lán)牙芯片、功放芯片、路由器上的芯片、各種電器的驅(qū)動(dòng)芯片等用的還是28-90nm工藝的芯片。光電所微細(xì)加工光學(xué)技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研制出來(lái)的SP光刻機(jī)是世界上第一臺(tái)單次成像達(dá)到22納米的光刻機(jī),結(jié)合多重曝光技術(shù),可以用于制備10納米以下的信息器件。這不僅是世界上光學(xué)光刻的一次重大變革,也將加快推進(jìn)工業(yè)4.0,實(shí)現(xiàn)中國(guó)制造2025年的美好愿景。

在我國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)發(fā)展歷程里,28nm是非常重要的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在工藝進(jìn)入28nm以下制程之后的較長(zhǎng)一段時(shí)間里,20nm和16/14nm制程的成本一度高于28nm,與摩爾定律60多年的運(yùn)行規(guī)律相反。這也使得28nm制程工藝極具性價(jià)比。

即便是目前手機(jī)芯片即將進(jìn)入5nm制程,但是在物聯(lián)網(wǎng)等眾多市場(chǎng),28nm仍然是主流制程工藝節(jié)點(diǎn),不少晶圓廠基于28nm推出了在成本、功耗、性能等方面更具優(yōu)勢(shì)的工藝。在 實(shí) 際 應(yīng) 用 里 , 28nm 光 刻 機(jī) 并 不 是 僅 能 用 來(lái) 生 產(chǎn) 28nm 芯 片 , 經(jīng) 多 重 曝 光 后 可 生 產(chǎn)14nm/10nm/7nm芯片,這與目前主流芯片已無(wú)本質(zhì)區(qū)別。

當(dāng)前28納米在非核心芯片領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,如消費(fèi)電子領(lǐng)域、微控制器領(lǐng)域、射頻領(lǐng)域、手機(jī)AP及基帶領(lǐng)域、圖形傳感器領(lǐng)域、混合信號(hào)領(lǐng)域等。

不過(guò)值得注意的是,在我國(guó)光刻機(jī)逐步成長(zhǎng)的同時(shí),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)圍繞EUV光刻機(jī)已經(jīng)展開(kāi)了新一輪的爭(zhēng)奪戰(zhàn),內(nèi)外兩手抓才是國(guó)內(nèi)光刻機(jī)生態(tài)崛起的關(guān)鍵!

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