邰舉

韓國SK海力士日前宣布，該公司開發(fā)成功HBM3動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），每秒能夠處理819GB的數(shù)據(jù)，內(nèi)置ECC校檢。

該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業(yè)界目前最大容量。在24GB產(chǎn)品中，單品DRAM芯片的高度被磨削到約30μm，使用TSV技術(shù)垂直連接12個芯片。

HBM3被稱為第四代HBM，由多個垂直連接的DRAM芯片堆疊而成，能夠創(chuàng)新性地提高內(nèi)存帶寬。