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電化學刻蝕及類金剛石薄膜對2024鋁合金疏水性能影響

2021-11-26 10:13史含放劉家維朱天元霍婧雅陳東旭王亞男
遼寧科技大學學報 2021年4期
關(guān)鍵詞:潤濕鍍膜電流密度

史含放,劉家維,朱天元,霍婧雅,陳東旭,王亞男

(遼寧科技大學 材料與冶金學院,遼寧 鞍山114051)

2024鋁合金屬于Al-Cu-Mg系高強度和高硬度類金屬,具有強度高、密度低、熱塑性優(yōu)良和耐損傷等優(yōu)點,被廣泛用作醫(yī)療器械、軌道交通以及船舶等行業(yè)的主要材料。然而,鋁合金疏水性能較差。當鋁合金應(yīng)用于船體在海洋環(huán)境下工作時,良好的疏水性能夠抑制電化學腐蝕過程中的離子吸附、擴散和電子遷移過程,進而提高金屬材料表面抗污損和耐腐蝕能力。因此,對鋁合金進行表面改性以提高其疏水性成為研究的熱點。

表面疏水性能主要受材料的表面自由能和粗糙度的影響[1]??涛g技術(shù)是將材料表面不需要的殘渣通過化學或物理方法去除。一般將刻蝕分為兩種:濕法刻蝕和干法刻蝕[2]。濕法刻蝕主要是利用化學溶液通過化學反應(yīng)去除雜質(zhì),而干法刻蝕主要通過物理手段如激光刻蝕[3]、電弧放電[4]等將雜質(zhì)去除。電化學刻蝕[5]屬于濕法刻蝕,是利用合金中的微小原電池在電解液中發(fā)生電化學反應(yīng)實現(xiàn)刻蝕的一種技術(shù)。刻蝕之后,材料表面形成納米凹槽,可以有效改善其疏水性能。電化學刻蝕在低溫條件下進行,具有操作簡單、成本低廉等優(yōu)點。鋁合金中存在電子載流子,化學性質(zhì)活潑且易發(fā)生氧化還原反應(yīng),適合采用電化學刻蝕。但是研究[6]發(fā)現(xiàn),刻蝕后的鋁合金表面強度不高,在外力的施壓下容易變形,破壞微-納米形貌,降低疏水性。如果在其表面鍍上類金剛石(Diamond-like carbon,DLC)薄膜,可以增加硬度,提高耐磨性,保持表面的納米結(jié)構(gòu)。本文通過控制刻蝕電流密度和刻蝕時間在2024鋁合金表面進行電化學刻蝕,之后再鍍DLC薄膜,研究其表面疏水性能。

1 實驗

1.1 材料

實驗材料選用2024鋁合金,主要化學成分為:w(Cu)=3.81%,w(Mn)=1.40%,w(Mg)=0.40%,w(Fe)=0.40%,w(Zn)=0.14%,w(Si)=0.22%,w(Ti)=0.05%,w(Cr)=0.05%,w(Al)=Bal.。從鋁棒上切割若干塊直徑為20 mm、厚為5 mm的圓形薄片作為刻蝕基片,依次用240#~2000#砂紙磨樣,再用金剛石研磨膏在拋光機上拋光,直至樣品表面光滑至鏡面,之后用超聲波進行丙酮除油30 min,用乙醇除去其他殘留物30 min,最后使用去離子水清洗表面,吹干放入干燥皿待用。

1.2 電化學刻蝕

電化學刻蝕采用恒電流儀,設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示。2024鋁合金為陽極,銅片為陰極,改變電流密度和刻蝕時間兩個參數(shù)進行實驗。電流密度分別為2.4 A/cm2和2.6 A/cm2,刻蝕時間分別為100 s和300 s,刻蝕液為4 mol/L的NaCl水溶液,溫度恒溫60℃。具體實驗參數(shù)詳見表1。

圖1 實驗用電化學刻蝕恒電流儀Fig.1 Electrochemical etching galvanostat for experiments

表1 2024鋁合金試樣的刻蝕參數(shù)Tab.1 Etching parameters of 2024 aluminum alloy samples

1.3 DLC膜的制備

將刻蝕后的2024鋁合金基片采用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma enhance chemical vapor deposition,PECVD)在其表面鍍DLC薄膜。該方法是利用高壓脈沖電源轟擊反應(yīng)氣體,將離化后的等離子體均勻地覆蓋在材料表面。鍍膜設(shè)備示意圖如圖2所示,該設(shè)備由脈沖電源、真空系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)和冷卻循環(huán)系統(tǒng)組成。

圖2 PECVD設(shè)備示意圖Fig.2 Schematic diagram of PECVD equipment

PECVD鍍膜時先進行前期準備工作,首先腔體抽真空,用機械泵將真空度抽到8 Pa時,開分子泵,將腔體真空抽到1 mPa,同時打開加熱電源將溫度升至120℃;其次腔體除氣,前10 min通入100 mL/min(標況下,下同)氬氣,后20 min通入40 mL/min氬氣,同時打開調(diào)節(jié)閥,調(diào)節(jié)薄膜真空度為2 Pa;之后高壓清洗,打開脈沖電源和示波器,調(diào)節(jié)脈沖電壓、脈沖寬度和頻率等參數(shù),將電壓調(diào)節(jié)至2 600 V,清洗30 min,在最后10 min將溫度降低至100℃。開始鍍膜時,先通入氬氣和四甲基硅烷,沉積10 min,鍍第一層過渡層;之后通入氬氣、四甲基硅烷和少量乙炔,沉積20 min,鍍第二層過渡層;最后通入氬氣和大量乙炔,沉積2 h,鍍DLC層。鍍膜工藝參數(shù):脈沖偏壓1 800 V,脈沖寬度15 μs,Ar流量20 mL/min,C2H2流量60 mL/min,頻率600 Hz,溫度100℃,時間2 h。

1.4 接觸角測量

采用上海安亭儀器廠制造的微量進樣器測量靜態(tài)接觸角[7]。在常溫下勻速拉動微量進樣器的運動活塞吸取10 μL蒸餾水,分別滴在試樣表面的三個不同位置,迅速使用數(shù)碼相機中的水平儀平行于試樣表面進行拍照。利用半球法計算試樣表面與水滴的接觸角,取三個位置接觸角的平均值。

半球法計算靜態(tài)接觸角的原理解析見圖3,計算式為

圖3 半球法計算靜態(tài)接觸角原理示意圖Fig.3 Schematic diagram of principle of calculating static contact angle using hemisphere method

式中:θ為表面與水滴的接觸角;h為水滴高度;r為水滴底面的圓半徑。

當θ=0°時,完全潤濕,該表面超親水;當0°<θ<90°時,潤濕或部分潤濕,表面親水;當150°>θ>90°時,不潤濕,表面超疏水;當θ=180°時,完全不潤濕。

2 實驗結(jié)果與討論

2.1 刻蝕后疏水性

在2024鋁合金試樣進行刻蝕后,3個試樣接觸角計算結(jié)果如圖4所示。3個試樣接觸角均小于60°。在相同的刻蝕時間情況下,增加電流密度,接觸角變大。電流密度相同,增加刻蝕時間,接觸角變小。

圖4 刻蝕后試樣接觸角測量結(jié)果Fig.4 Contact angles of surfaces after etching

在電化學刻蝕的作用下,鋁合金表面會出現(xiàn)微/納浮突結(jié)構(gòu),如圖5所示。隨著電流密度的增加,微/納浮突結(jié)構(gòu)趨于明顯,粗糙度逐漸變大。當液體接觸到這種表面時,由于微/納浮突結(jié)構(gòu)的間隙被空氣填滿,空氣柱對液體形成支持力,呈現(xiàn)液體被空隙空氣“托舉”的效果,使接觸角變大,疏水性提高。但刻蝕時間過長,浮突結(jié)構(gòu)空隙會繼續(xù)變大,形成過粗糙表面,導致空氣柱難以對液體形成支持力,造成接觸角變小,疏水性降低。

圖5 刻蝕后微納浮突微觀示意圖Fig.5 Schematic diagrams of micro-nano embossments after etching

2.2 刻蝕后鍍DLC膜的疏水性

經(jīng)電化學刻蝕的試樣鍍DLC薄膜后,試樣接觸角計算結(jié)果如圖6所示。鍍膜后,鋁合金表面接觸角都明顯增大,疏水性整體提高。

圖6 鍍膜前后接觸角變化Fig.6 Contact angles before and after coating

影響表面疏水性主要包括兩個方面:粗糙度和表面自由能。DLC膜具有表面繼承性,鍍膜前后其粗糙度不會發(fā)生變化,即微觀幾何結(jié)構(gòu)的差異較小,所以引起接觸角變化的因素便是表面自由能。表面自由能越低,疏水性越好。

Fowkes[8]認為一個物體的總表面自由能γ由兩個分量組成,即

式中:γd為色散分量;γp為極性分量。

Qwens提出表面自由能的半經(jīng)驗公式[9]

式中:γs為固體表面自由能;γl為潤濕液體表面自由能;θ為固體與液體界面的接觸角。

已知蒸餾水和乙二醇表面自由能,詳見表2。利用這兩種標準液體計算電化學刻蝕試樣鍍DLC膜前后表面自由能,計算結(jié)果如表3所示。鍍DLC膜后,試樣表面自由能為32.32 mN/m,僅為未鍍DLC膜試樣的一半。在粗糙度無明顯變化的情況下,DLC膜的整體疏水性優(yōu)于無DLC膜的刻蝕試樣。

表2 標準液體的表面自由能Tab.2 Surface free energies of standard liquids

表3 鍍膜前后接觸角及表面自由能Tab.3 Contact angles and surface free energies before and after coating

2.3 刻蝕前后表面形貌

圖7 為刻蝕前后試樣表面形貌。2024鋁合金基體刻蝕之前表面較為光滑,粗糙度低,表面顆粒致密??涛g之后,試樣表面有不同深度和大小的蝕坑。試樣1刻蝕時間為100 s,且電流密度為2.4 A/cm2,試樣表面蝕坑較深,且分布不均勻;試樣2刻蝕時間為100 s且電流密度為2.6 A/cm2,試樣表面蝕坑均勻,且尺寸較小,形貌最佳,有利于提高疏水性能;試樣3刻蝕時間為300 s且電流密度為2.6 A/cm2,試樣表面蝕坑數(shù)量較多且尺寸較大。這說明隨著刻蝕時間的增加,試樣表面損傷程度增加,表面粗糙度變大。

圖7 刻蝕前后試樣表面SEM掃描結(jié)果Fig.7 SEM images of surfaces before and after etching

3 結(jié)論

(1)電化學刻蝕形成的微/納浮凸結(jié)構(gòu)能夠明顯改善2024鋁合金的表面疏水性。適當提高刻蝕的電流密度可以提高鋁合金表面的疏水性能。本實驗范圍內(nèi),當刻蝕時間為100 s且電流密度為2.6 A/cm2時,鋁合金疏水性能最佳。

(2)刻蝕電流密度相同時,刻蝕時間為100 s的疏水性能明顯優(yōu)于刻蝕時間為300 s的疏水性能??涛g時間延長會破壞微-納米浮凸結(jié)構(gòu),進而導致鋁合金表面疏水性能降低。

(3)在刻蝕后的鋁合金表面采用PECVD制備DLC膜后,表面自由能為32.32 mN/m,僅為基體的一半。低自由能可顯著改善鋁合金表面的疏水性能。

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