據(jù)最新爆料，Intel的第12代酷睿Alder Lake基本上確定本月底發(fā)布，11月4日解禁上市。而關于第12代酷睿的相關信息，在此前的各種爆料中消費者應該已經(jīng)了解到不少內(nèi)容，包括改用10nm制程，全新LGA 1700接口，支持DDR5內(nèi)存以及PCIe 5.0固態(tài)硬盤等。英特爾一改往?！皵D牙膏”模式，這次是要放大招了。緊跟第12代酷睿處理器的消息，DDR5內(nèi)存也正式跟大家見面了。

緊抓第12代酷睿熱點，DDR5內(nèi)存陸續(xù)亮相

正所謂十年磨一劍，距離JEDEC固態(tài)技術協(xié)會2012年9月26日公布DDR4標準規(guī)范已經(jīng)過去9年的時間。2020年7月，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會也正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。近日，芝奇、海盜船、影馳、七彩虹、威剛、江波龍、金士頓等品牌都宣布了自家的DDR5內(nèi)存，甚至已經(jīng)有品牌DDR5 4800系列容量產(chǎn)品已經(jīng)上架電商平臺。

2020年10月7日，SK海力士就宣布正式發(fā)布全球第一款DDR5內(nèi)存，為面向服務器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài)，基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒，單條容量64GB，而借助TSV硅穿孔技術，最高可以達到256GB。頻率方面起步就是4800MHz，最高為5600MHz，相當于一秒鐘就可以傳輸9部全高清電影。今年3月，江波龍電子也發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1），涉及兩款全新架構產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。廠商的一連串動作表明DDR5技術的真正革新?lián)Q代開始了。

在消費類內(nèi)存領域，近日芝奇國際發(fā)表了全新Trident Z5旗艦系列DDR5內(nèi)存，初步上市即擁有高達DDR5-6400 CL36-36-36-76 16GB×2的夢幻規(guī)格。此終極規(guī)格由高效能三星DDR5顆粒打造，不僅擁有6400MHz的超高頻率，更將時序壓低至CL36，完美展現(xiàn)出芝奇新一代DDR5的極致超頻潛力。

2021年10月中旬，存儲模組廠十銓科技也發(fā)布了T-FORCE火神（VULCAN） DDR5電競超頻內(nèi)存，提供4800MHz及5200MHz的頻率與單支16GB、32GB 或是雙通道16GB×2、32GB×2 的套組，滿足消費者全方位飆速需求。

盡管有不少廠商宣布自己的DDR5內(nèi)存已經(jīng)有了，真正上架開賣的卻沒有幾家，金泰克算是動作迅速的一家，已經(jīng)在電商平臺開始預約銷售DDR5內(nèi)存條—金泰克速虎T4系列，自帶散熱馬甲，機甲科幻外觀很炫酷。規(guī)格方面為DDR5-4800，單條容量16GB，電壓1.1V，時序40。目前售價16GB容量為999元，不少網(wǎng)友表示這個價格在預料之中。可見，DDR5內(nèi)存真的離我們近了。

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存到底有何不同？

實際上早在2016年，美光就曾發(fā)布關于DDR5內(nèi)存的相關信息。從美光當時公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。此外，美光當時還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200MHz起步，主流內(nèi)存頻率可達6400MHz。從已經(jīng)公布的產(chǎn)品情況來看，當時美光的預測偏差不大。目前已經(jīng)亮相的DDR5內(nèi)存大多是4800MHz，但廠商也并未表示不會出3200MHz系列。同時，據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，在主板開啟XMP超頻的話，內(nèi)存頻率可達8400MHz。

美光2016年發(fā)布關于DDR5內(nèi)存的消息

在官方介紹中，針對DDR5和DDR4內(nèi)存的一些硬性指標進行了對比。與上一代產(chǎn)品DDR4相比，DDR5提供2個獨立子通道，速度（帶寬） 快約2倍，同時額定電壓為1.1V，低于DDR4（1.2V），耗電降低約20%。

事實上，DDR5模塊與DDR4模塊之間的一個關鍵區(qū)別就是前者存在子通道。一個標準的DDR5模塊有兩個獨立的子通道，每個子通道最多有兩個物理軟件包級別。每個DRAM包都可以在主/次拓撲中配置，以實現(xiàn)增加密度的額外邏輯級別。正因為如此，內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎上提升了一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。DDR5 DIMM新架構提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍，從而實現(xiàn)內(nèi)存性能的提升。