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基于FPGA的多通道多電平高壓信號發(fā)生器

2021-10-10 03:56:12周家輝劉一清
電子設計工程 2021年19期
關(guān)鍵詞:電平波形電極

周家輝,劉一清

(華東師范大學通信與電子工程學院,上海 200241)

隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,各領(lǐng)域?qū)τ趯嶒瀮x器也產(chǎn)生了新的需求。機器人靈活協(xié)調(diào)的動作需要多路二電平PWM 波形來驅(qū)動電機協(xié)同運作[1-3];新能源發(fā)電系統(tǒng)需要產(chǎn)生多電平波形實現(xiàn)逆變電源[4-6];DLP 投影儀中使用的數(shù)字微鏡器件也需要復雜的多電平高壓波形來進行驅(qū)動[7]。在各個新興領(lǐng)域中,多通道、高電壓、多電平信號驅(qū)動的需求日益增加,但是目前市面上缺少相關(guān)儀器,迫切需要科研人員進一步開展研究。文中針對MEMS 數(shù)字微鏡的驅(qū)動,設計了一款多通道多電平高壓信號發(fā)生器,具有使用便捷、靈活性強、可靠性高等特點,同時也可應用于電機驅(qū)動、電源驅(qū)動和新型器件驅(qū)動等多種領(lǐng)域。

1 系統(tǒng)設計

數(shù)字微鏡器件是一種反射式光開關(guān)[8],是DLP 投影技術(shù)的核心器件,可以分為MEMS 數(shù)字微鏡和CMOS 驅(qū)動電路兩個部分,文中設計的多通道多電平高壓信號發(fā)生器用于直接驅(qū)動MEMS 數(shù)字微鏡,方便MEMS 數(shù)字微鏡開發(fā)人員測試其微鏡的質(zhì)量。MEMS 數(shù)字微鏡結(jié)構(gòu)如圖1 所示,分為微鏡電極、ON電極和OFF 電極3 個電極,微鏡電極是公共電極,它與ON 電極、OFF 電極之間可分別等效為兩個電容,所以驅(qū)動一個MEMS 數(shù)字微鏡可以等效為驅(qū)動兩個容性負載。

圖1 MEMS數(shù)字微鏡結(jié)構(gòu)示意圖

MEMS 數(shù)字微鏡大多采用靜電驅(qū)動,工作時有兩種狀態(tài),ON 狀態(tài)和OFF 狀態(tài)[9-10]。當ON 電極與微鏡電極之間的壓差大于OFF 電極與微鏡電極之間的壓差時,MEMS 數(shù)字微鏡將處于ON 狀態(tài),MEMS 微鏡將入射光反射到投影窗口區(qū)域中,呈現(xiàn)全“亮”的投影效果;反之,當OFF 電極與微鏡電極之間的壓差大于ON 電極與微鏡電極之間的壓差時,MEMS 數(shù)字微鏡將處于OFF 狀態(tài),MEMS 微鏡將入射光反射到投影窗口區(qū)域外,呈現(xiàn)全“暗”的投影效果[11-13]。

對于MEMS 數(shù)字微鏡而言,如果將公共的微鏡電極接地,那么ON 電極(或OFF 電極)的驅(qū)動波形如圖2 所示。如果驅(qū)動電路直接產(chǎn)生這一波形,那么驅(qū)動電路的設計難度較大,一方面該波形電平數(shù)達到8 個(包括地電平在內(nèi)),驅(qū)動電路較復雜,另一方面該波形對驅(qū)動電路器件的耐壓值要求也較高,最高電壓達到60 V。

圖2 MEMS數(shù)字微鏡驅(qū)動波形圖

由于8 個電平存在如下數(shù)值關(guān)系:

所以文中采用了“懸浮式”電路結(jié)構(gòu)對八電平驅(qū)動波形進行分解,以簡化電路結(jié)構(gòu)。如圖3 所示,ON 電極與OFF 電極采用二電平正壓波形驅(qū)動,公共的微鏡電極采用四電平負壓波形驅(qū)動,這樣不僅降低了電路結(jié)構(gòu)的復雜度,也降低了對器件耐壓值的要求。

圖3 MEMS數(shù)字微鏡驅(qū)動分解波形圖

文中所設計的多通道高壓多電平信號發(fā)生器的系統(tǒng)框圖如圖4 所示,信號發(fā)生器64 通道輸出信號的時序參數(shù)由PC 上位機程序通過有線USB 或無線WIFI 兩種方式進行配置,信號發(fā)生器輸出信號的電壓參數(shù)由外部穩(wěn)壓電源進行設置,信號發(fā)生器輸出信號通過軟性連接線連接到定制的MEMS 數(shù)字微鏡負載板,以驅(qū)動MEMS 數(shù)字微鏡。

圖4 系統(tǒng)框圖

2 硬件設計

2.1 核心控制電路

文中所設計的多通道多電平高壓信號發(fā)生器硬件上分為核心控制電路和功率驅(qū)動電路兩部分。核心控制電路以Xilinx 公司Artix-7 系列FPGA(XC7A35T-1FGG484C) 和ST 公 司ARM Cortex-M7微處理器(STM32F767BIT6)為核心器件,外設包括時鐘電路、復位按鍵、WIFI 模 塊、MicroUSB 接 口、FLASH 存儲器等,此外,核心控制電路留有板對板連接器,用于連接功率驅(qū)動電路。

2.2 功率驅(qū)動電路

2.2.1 二電平正電壓驅(qū)動電路

二電平正電壓驅(qū)動電路采用NMOS 半橋驅(qū)動拓撲,電路原理圖如圖5 所示。NMOS 管采用IRLL024N,源漏電壓VDS最大為55 V,漏極電流ID最大為3.1 A,導通電阻為65 mΩ;半橋驅(qū)動器采用IR2101,死區(qū)時間的控制通過FPGA 實現(xiàn),F(xiàn)PGA的控制信號通過光電耦合器連接到半橋驅(qū)動器的輸入。

圖5 正電壓NMOS半橋驅(qū)動電路原理圖

FPGA 產(chǎn)生NMOS 半橋電路的控制時序時,需要注意NMOS 半橋死區(qū)時間必須折中選擇,既不能太大,也不能太小。死區(qū)時間太小會導致NMOS 半橋兩個NMOS管同時處于飽和區(qū)的時間過長,從而造成NMOS 半橋的交叉損耗變大,甚至導致器件損壞[14];死區(qū)時間太大又會導致輸出信號波形出現(xiàn)過長的異常電平[15]。折中選取后,將NMOS 半橋的死區(qū)時間設置為50 ns。

對于圖5的NMOS 半橋驅(qū)動拓撲,自舉電容C5在下管Q2導通時通過二極管D1充電,在上管Q1導通時給上管柵極驅(qū)動器供電,所以自舉電容C5的取值與輸出頻率相關(guān),輸出頻率越低、輸出連續(xù)的高電平時間越長,自舉電容需要的容值越大[16],自舉電容取值為:

其中,Qg是NMOS 管的柵極電荷,Iqbs(max)是上管驅(qū)動電路的最大靜態(tài)電流,Qls是驅(qū)動器內(nèi)電平轉(zhuǎn)換器需要的電荷,Icbs(leak)是自舉電容的漏電流,VCC是自舉電容通過二極管充電的供電電壓,VF是二極管的正向?qū)▔航担琕LS是下管的壓降,f是輸出信號頻率。

2.2.2 四電平負電壓驅(qū)動電路

四電平負電壓驅(qū)動電路采用NMOS 半橋級聯(lián)型拓撲結(jié)構(gòu),如圖6 所示,設計了三級級聯(lián)半橋拓撲結(jié)構(gòu),通過控制6 個NMOS 管的開關(guān)產(chǎn)生四電平驅(qū)動波形。

圖6 三級級聯(lián)NMOS半橋拓撲結(jié)構(gòu)示意圖

NMOS 半橋拓撲需要滿足上管電壓大于下管電壓,所以對于圖6 所示的三級級聯(lián)NMOS 半橋拓撲,4 個電平必須滿足如下條件:

該條件與圖3(b)中各電平之間的關(guān)系一致。

級聯(lián)NMOS 半橋驅(qū)動拓撲工作時,每個半橋最多只有一個NMOS 管導通。當輸出0 V 時,NMOS 管Q1、Q3和Q5導通,其余截止;當輸出-V3時,NMOS 管Q2、Q3和Q5導通,其余截止;當輸出-V2時,NMOS 管Q4和Q5導通,其余截止;當輸出-V4時,NMOS 管Q6導通,其余截止。

以第一級NMOS 半橋為例,由于第一級NMOS半橋下管電壓是負電平-V3,所以相比于圖5 正電壓NMOS 半橋驅(qū)動電路,負電壓NMOS 半橋驅(qū)動電路的電壓參考點從0 V(GND)變?yōu)檩敵龅呢撾娖?V3,此外電路的輔助供電電平也從+10 V 變?yōu)?V3+10 V。

3 軟件設計

系統(tǒng)軟件框圖如圖7 所示,輸出波形的參數(shù)通過PC 上位機設置,上位機的控制命令根據(jù)自定協(xié)議打包后通過有線USB 或者無線WIFI 發(fā)送到ARM 微處理器。ARM 微處理器將PC 上位機的打包數(shù)據(jù)進行接口協(xié)議轉(zhuǎn)換,并通過SPI 接口將控制命令發(fā)送給FPGA,F(xiàn)PGA 根據(jù)控制命令輸出控制時序到功率驅(qū)動電路,從而產(chǎn)生二電平正電壓和四電平負電壓驅(qū)動波形,產(chǎn)生高壓多電平信號。

圖7 軟件系統(tǒng)框圖

完成硬件連接與供電后,需要在PC 上位機控制界面按如下步驟進行操作:

1)選擇連接方式,USB 有線或WIFI 無線;

2)選擇配置方法,不僅可以通過界面中的配置表進行配置,還可以通過載入規(guī)定格式的excel 表進行配置;

3)填寫配置信息,如果選擇界面中的配置表,在表中選擇配置通道,填寫對應的時序參數(shù),如頻率、相位、占空比等;

4)點擊確認配置按鈕,完成配置。

4 測試與驗證

多電平高壓信號發(fā)生器硬件實物圖如圖8 所示,包括核心控制電路板、功率驅(qū)動電路板和負載測試板,核心控制電路板通過板對板連接器連接到功率驅(qū)動電路板,負載測試板用于模擬MEMS 數(shù)字微鏡子板,MEMS 數(shù)字微鏡可等效為容性負載。

圖8 多電平高壓信號發(fā)生器硬件實物圖

系統(tǒng)測試實物圖如圖9 所示,包括PC 上位機、穩(wěn)壓電源、示波器和多電平高壓信號發(fā)生器。PC 上位機通過有線USB 或無線WIFI 連接到多電平高壓信號發(fā)生器,穩(wěn)壓電源對多電平高壓信號發(fā)生器供電,示波器探測負載測試板上的輸出信號。

圖9 系統(tǒng)測試實物圖

測試時,將示波器的一個通道接入二電平正電壓波形,另一個通道接入四電平負電壓波形,再利用示波器的減運算功能,即可得到如圖10 所示的八電平輸出波形測試圖。

圖10 八電平輸出波形測試圖

輸出信號的頻率、占空比和通道間的相位差測量結(jié)果如表1~3 所示,由于采用FPGA 進行時序控制,輸出信號的頻率、占空比和通道間相位差等時序參數(shù)的相對誤差均精確到0.11%以內(nèi)。

表1 頻率測量結(jié)果表

表2 占空比測量結(jié)果表

表3 相位差測量結(jié)果表

5 結(jié)論

文中設計了一種基于FPGA的多通道多電平高壓信號發(fā)生器,輸出信號的頻率、占空比、相位等時序參數(shù)通過FPGA 控制功率驅(qū)動電路輸入的PWM 波來調(diào)整,輸出信號的幅度參數(shù)通過外部穩(wěn)壓電源調(diào)整,最終實現(xiàn)了針對新型數(shù)字微鏡器件驅(qū)動的64路8 電平60 V 高電壓復雜波形信號發(fā)生器。

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