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基于TRIZ的RAM存儲器掉電保護(hù)電路的優(yōu)化設(shè)計*

2021-09-26 07:34劉修泉李艷紅
機(jī)電工程技術(shù) 2021年8期
關(guān)鍵詞:用戶程序低電平存儲器

劉修泉,楊 偉,李艷紅

(佛山職業(yè)技術(shù)學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院, 廣東佛山 528137)

0 引言

數(shù)控系統(tǒng)在實際加工中有著廣泛的應(yīng)用。加工數(shù)據(jù)等信息一般采用RAM存儲器,在系統(tǒng)掉電時RAM存儲器采用掉電保護(hù)電路,一般通過備用電池或者基于控制器專用保護(hù)電路。其中,基于備用電池保護(hù)電路較為簡單,應(yīng)用較多[1-2]。

近年來,TRIZ創(chuàng)新方法越來越多應(yīng)用于科學(xué)研究與工程實踐領(lǐng)域[3-6]。特別是在機(jī)電一體化領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛,在電子電氣領(lǐng)域應(yīng)用鮮有報道。本文主要利用TRIZ理論和工具解決數(shù)控系統(tǒng)RAM存儲器掉電保護(hù)電路存在的問題。

1 RAM存儲器掉電保護(hù)電路工作原理

圖1 所示為數(shù)控系統(tǒng)用戶程序RAM 存儲器掉電保護(hù)系統(tǒng)電路原理。當(dāng)VCC為典型值5 V時,穩(wěn)壓管D1為3.6 V,該基準(zhǔn)電壓作為比較器LM393同相輸入端;VCC、R2、R3組成電源電壓采樣信號,通過調(diào)節(jié)R3,從而調(diào)節(jié)比較器LM393反相輸入端電壓信號,使得反相端電壓大于3.6 V時,LM393輸出為0;當(dāng)來自CPU的控制信號是高電平,邏輯運(yùn)算輸出為高電平,禁止存儲器寫入;當(dāng)來自CPU 的控制信號是低電平時,邏輯運(yùn)算輸出為低電平,容許存儲器寫入。

圖1 數(shù)控系統(tǒng)用戶程序RAM存儲器掉電保護(hù)系統(tǒng)電路原理

當(dāng)系統(tǒng)掉電時,比較器LM393 同相輸入端電壓信號大于反相端電壓,LM393輸出為1,不管CPU的控制信號是高電平還是低電平,邏輯運(yùn)算輸出均為高電平,禁止存儲器寫入,從而達(dá)到存儲器掉電保護(hù)。

2 基于TRIZ理論的工程問題

2.1 問題描述

在數(shù)控機(jī)床實際使用過程中,發(fā)現(xiàn)數(shù)控機(jī)床掉電后重啟,有時發(fā)現(xiàn)加工有問題,經(jīng)檢查,用戶程序被修改,導(dǎo)致加工問題。重新加載用戶程序,機(jī)床可以正常工作;進(jìn)行多次掉電重啟,發(fā)現(xiàn)大部分時間用戶程序是完好的,有時用戶程序丟失。說明掉電后用戶程序丟失是一個偶發(fā)事件,但極大影響數(shù)控機(jī)床加工質(zhì)量和速度,因此需要解決用戶程序被修改問題。

2.2 功能分析

功能分析是主要用來識別工程系統(tǒng)和超系統(tǒng)組件功能,特點等分析工具[7]。

(1)組件及相互作用

以數(shù)控系統(tǒng)用戶程序存儲器保護(hù)電路為工程系統(tǒng),其他組件作為超系統(tǒng),組件由穩(wěn)壓環(huán)節(jié)1、電壓取樣環(huán)節(jié)2、電壓比較器3、邏輯運(yùn)算環(huán)節(jié)4、RAM存儲器5、存儲器供電環(huán)節(jié)6以及系統(tǒng)電源組成,超系統(tǒng)為CPU,如圖2所示,相互作用分析如表1所示。

圖2 組件分析

表1 組件相互作用分析

(2)構(gòu)建功能模型

根據(jù)相互作用分析表,建立數(shù)控系統(tǒng)用戶程序RAM存儲器掉電保護(hù)系統(tǒng)功能模型,如圖3所示。

圖3 功能模型

2.3 因果鏈分析

因果鏈?zhǔn)侨孀R別工程系統(tǒng)缺點的分析工具,主要用于挖掘隱藏初始缺點背后的各種缺點,從而找出關(guān)鍵缺點。在系統(tǒng)功能模型基礎(chǔ)上進(jìn)行因果鏈分析,步驟如下。

(1)初始缺點:RAM存儲器用戶數(shù)據(jù)被修改。

(2)尋找中間缺點:導(dǎo)致RAM存儲器用戶數(shù)據(jù)被修改原因有如下2 個:第一,可能是邏輯運(yùn)算環(huán)節(jié)4 輸出低電平信號,從而導(dǎo)致存儲器6264 寫信號WE 有效,導(dǎo)致存儲器6264用戶數(shù)據(jù)可以被修改;第二,可能是存儲器系統(tǒng)電源斷電或者不足時,備用電池電壓也較低,導(dǎo)致存儲器工作狀態(tài)不穩(wěn)定,從而使得存儲器6264用戶數(shù)據(jù)被修改。

(3)確定相互關(guān)系:邏輯運(yùn)算芯片74HC32輸出低電平信號和備用電池電壓低都有可能導(dǎo)致存儲器6264用戶數(shù)據(jù)被修改,是或者關(guān)系。

(4)重復(fù)以上步驟,最終建立起來的因果鏈分析如圖4所示。

圖4 因果分析鏈

經(jīng)反復(fù)檢查與測量,掉電時候備用電池電壓均正常,不存在電壓過低的情況;CPU 的寫控制信號也不存在問題;穩(wěn)壓基準(zhǔn)信號和電壓基準(zhǔn)信號環(huán)節(jié)都是采用分立電子元件構(gòu)成,均正常;那么原因可能是系統(tǒng)掉電時邏輯運(yùn)算芯片或者電壓比較器芯片電源電壓過低。集成芯片有個非常大的缺點,在系統(tǒng)掉電時候,芯片電壓比較器LM393、邏輯運(yùn)算74HC32電壓過低,有可能導(dǎo)致用戶數(shù)據(jù)被修改,無法起到掉電保護(hù)作用,是關(guān)鍵缺點。

3 TRIZ工具問題求解

3.1 基于物理模型和裁剪的問題求解

物理矛盾:需要增加芯片備用供電電源,因為要提高集成芯片供電穩(wěn)定性,但是需要不增加芯片備用供電電源,因為系統(tǒng)簡單、成本低。通過分析,很難用分離和滿足的方法解決該物理矛盾,通過繞過矛盾需求方法進(jìn)行解決。與邏輯芯片7432 和比較器LM393 采用系統(tǒng)電源供電,掉電時電壓低,導(dǎo)致RAM存儲器用戶數(shù)據(jù)被修改。在這個問題中,可以繞過集成芯片供電電源問題解決這個矛盾。

LM393 和74HC32 是關(guān)鍵缺點,可以作為被裁掉組件。芯片電壓比較器LM393 電壓比較器有用功能是接受穩(wěn)壓和電壓取樣環(huán)節(jié)信號,傳遞信號給邏輯運(yùn)算環(huán)節(jié)74HC32,邏輯運(yùn)算74HC32 有用功能是接受電壓比較器輸出信號,接受超系統(tǒng)CPU的控制信號,同時傳遞信號給存儲器RAM。選擇合適裁剪規(guī)則。然后運(yùn)用功能再分配原則,選擇一個新的功能載體,裁剪模型如表2所示。鑒于以上分析,采用裁剪規(guī)則A,電壓比較器與邏輯運(yùn)算環(huán)節(jié)同時裁剪,如圖5所示。

圖5 裁剪電壓比較器和邏輯運(yùn)算環(huán)節(jié)后的系統(tǒng)功能模型

表2 裁剪后產(chǎn)生的裁剪模型

在上述模型基礎(chǔ)上繼續(xù)裁剪電壓取樣環(huán)節(jié),功能模型如圖6 所示。根據(jù)裁剪后模型,加入三極管來控制存儲器的讀寫,形成了方案1,如圖7 所示。當(dāng)VCC 為典型值5 V 時候,穩(wěn)壓管穩(wěn)壓3.6 V,電阻R5上端電壓為1.4 V,Q1導(dǎo)通,這樣Q1 集電極為低電平,這樣Q2 截止,Q2 集電極為高電平,存儲器6264 片選信號CE2 高電平有效,來自CPU 的控制信號是高電平,禁止存儲器寫入;當(dāng)來自CPU 的控制信號是低電平時,容許存儲器寫入。當(dāng)VCC 為小于5 V,穩(wěn)壓管穩(wěn)壓3.6 V,電阻R5 上端電壓小于1.4 V;當(dāng)VCC 電壓繼續(xù)降低,當(dāng)電阻R5上端電壓小于0.7 V時,Q1截至,這樣Q1集電極為高電平,這樣Q2導(dǎo)通,Q2 集電極為低電平,存儲器6264 片選信號CE2 為低電平,存儲器6264 片無效,無論來自CPU的控制信號是高電平還是低電平時,都禁止存儲器寫入;這樣起到存儲器掉電保護(hù)作用。

圖6 裁剪電壓取樣環(huán)節(jié)后的功能模型

圖7 采用三極管的存儲器掉電保護(hù)改進(jìn)電路

3.2 物場模型構(gòu)建及求解

物場模型是一種將工程系統(tǒng)進(jìn)行圖形化的描述方法。物場分析方法,是指從物質(zhì)和場的角度來分析和構(gòu)造工程系統(tǒng)的理論和方法學(xué),是阿奇舒勒提出的一種解決問題的方法。然后從76 個標(biāo)準(zhǔn)解中找出解決方案,具體流程如圖8 所示[8]。

圖8 物場模型標(biāo)準(zhǔn)解應(yīng)用

針對系統(tǒng)掉電時,芯片供電存在不足,S1 為系統(tǒng)電源,S2 為集成芯片74HC32 或LM393,兩者之間通過電場F1 相互作用,但其作用是不足的,構(gòu)建物場模型如圖9(a)所示,這是一個不足物場模型。從76 個標(biāo)準(zhǔn)解中選擇第二類標(biāo)準(zhǔn)解,增強(qiáng)物場模型,完善不足作用。

(1)引入第二個場或者第二個場和第三個物質(zhì),代替原有場或者原有場和物質(zhì),完善不足作用。其物場模型如圖9(b)所示。 將芯片LM393供電電源換成一個動態(tài)場,當(dāng)系統(tǒng)上電時,可以給RC 電路充電,當(dāng)系統(tǒng)掉電時,RC 可以放電。其電路原理如圖10所示。

圖9 引入物質(zhì)和場解決方案物場模型

圖10 引入RC的存儲器掉電保護(hù)改進(jìn)電路

(2)采用鏈?zhǔn)轿飯瞿P停隨3 和F2,增強(qiáng)物場模型,完善不足作用。物場模型如圖11 所示。增加S3(備用電池)和F2(電場),當(dāng)系統(tǒng)掉電時,采用備用電池給芯片供電。其電路原理如圖12所示。

圖11 鏈?zhǔn)轿飯瞿P徒鉀Q方案

圖12 增加備用電池的存儲器掉電保護(hù)改進(jìn)電路

4 方案評估與實施

通過分析和求解可以得出3種方案,具體如下。

方案1:利用裁剪工具進(jìn)行分析和物理矛盾問題模型進(jìn)行解決問題,該系統(tǒng)電路簡單,穩(wěn)定性高,成本低,具有較好的經(jīng)濟(jì)效益。

方案2:利用物場模型,引入備用電池和電場,增強(qiáng)物場模型。該系統(tǒng)提高芯片供電穩(wěn)定性,但電路稍微復(fù)雜,成本增加。

方案3:利用物場模型,引入RC 時延電路,將靜態(tài)電場轉(zhuǎn)換為動態(tài)電場,增強(qiáng)物場模型。該系統(tǒng)一定程度上可提高芯片供電穩(wěn)定性,但由于時延電路動態(tài)性,穩(wěn)定性須待提高,電路較為復(fù)雜。

綜上所述,選擇方案1。

5 結(jié)束語

本文選題來自于實際工程問題,利用TRIZ創(chuàng)新理論與方法研究了數(shù)控機(jī)床掉電重啟用戶程序丟失問題。根據(jù)工程問題描述,通過功能分析、因果分析等對該實際工程問題進(jìn)行了深入剖析,明確了關(guān)鍵問題,找到了產(chǎn)品丟失數(shù)據(jù)的原因;運(yùn)用裁剪工具與物理矛盾解決方法與創(chuàng)新原理、物場模型及分析查找標(biāo)準(zhǔn)解的方法,提出了3種解決方案,最后通過分析對比選擇最終解決方案,改進(jìn)了數(shù)控系統(tǒng)存儲器掉電保持電路,解決了RAM存儲器6264掉電數(shù)據(jù)被修改問題,并且在實際應(yīng)用中得到驗證。采用該新保護(hù)電路以來,效果明顯,至今再也沒有出現(xiàn)過同類型問題,減少了維修工作量,增強(qiáng)了用戶對產(chǎn)品的信心。利用TRIZ 創(chuàng)新方法解決工程實際問題的成功案例,為以后的實際問題提供了一種新思路。

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