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高密度電阻率法在雄安新區(qū)起步區(qū)第四系地質(zhì)結(jié)構(gòu)精細(xì)劃分中的應(yīng)用研究

2021-05-11 09:04:02郭淑君于蕾任政委王春輝明圓圓
華北地質(zhì) 2021年1期
關(guān)鍵詞:第四系電法測(cè)區(qū)

郭淑君,于蕾,任政委,王春輝,明圓圓

(中國(guó)地質(zhì)調(diào)查局水文地質(zhì)環(huán)境地質(zhì)調(diào)查中心,河北保定071051)

雄安新區(qū)起步區(qū)是雄安新區(qū)主城區(qū),是未來(lái)的創(chuàng)新發(fā)展重點(diǎn)示范區(qū),深入的地球物理勘探工作為起步區(qū)詳細(xì)規(guī)劃提供了引領(lǐng)和重要數(shù)據(jù)支撐。選用高密度電阻率法開展工程建設(shè)層地質(zhì)結(jié)構(gòu)調(diào)查具有以下優(yōu)勢(shì):多個(gè)電極排列方式能一次性獲得一維或多維電測(cè)剖面,效率高;雄安新區(qū)起步區(qū)地形平坦,高密度電測(cè)剖面形態(tài)易辨別;探測(cè)深度涵蓋了淺地表,能彌補(bǔ)其他地球物理探測(cè)手段存在盲區(qū)的缺陷;垂向分辨率高,有利于精細(xì)刻畫地層地質(zhì)結(jié)構(gòu)[1-26]。

本研究對(duì)起步區(qū)0~200 m第四系地層內(nèi)發(fā)育的砂層透鏡體、可能發(fā)育的隱伏裂隙和塌陷等進(jìn)行了探測(cè)研究,利用高密度電阻率法精細(xì)地質(zhì)結(jié)構(gòu)斷面、高密度電阻率體深度切片、古河道砂體預(yù)測(cè)分布等系列成果推動(dòng)建立地質(zhì)結(jié)構(gòu)格架模型,為我國(guó)城市綜合地質(zhì)調(diào)查提供參考。

1 地質(zhì)概況

雄安新區(qū)屬于太行山東麓沖洪積平原,大清河水系,南擁著名濕地白洋淀。地質(zhì)構(gòu)造位于中朝準(zhǔn)地臺(tái)華北斷坳中的冀中臺(tái)陷,包含廊坊斷凹(IV2)、牛駝鎮(zhèn)斷凸(IV3)、保定斷凹(IV4)、高陽(yáng)臺(tái)凸(IV5)、饒陽(yáng)斷凹(IV6)、武清霸縣斷凹(IV7)6 個(gè)構(gòu)造單元(圖1),表現(xiàn)為一系列北東向的斷裂構(gòu)造,主要斷裂有NE向石家莊-保定斷裂、NE向牛東斷裂和NWW向徐水-大城斷裂。(圖1)。起步區(qū)全區(qū)為第四紀(jì)覆蓋,沉積厚度約250~300 m,與下伏第三紀(jì)新近紀(jì)地層平行不整合接觸[2],第四系各統(tǒng)基本發(fā)育齊全,地層以粘土、粉土、粉質(zhì)粘土、細(xì)砂、粉砂、中砂為主,砂土質(zhì)均勻,呈水平不等厚且不連續(xù)性條帶狀分布,層理較平穩(wěn),結(jié)構(gòu)松散。起步區(qū)內(nèi)地殼基本穩(wěn)定,第四紀(jì)以來(lái)尚未發(fā)現(xiàn)隱伏活動(dòng)斷裂,隱伏地裂縫很少且活動(dòng)性不明顯,地質(zhì)資源環(huán)境承載力很高,工程地質(zhì)條件良好,水文地質(zhì)條件穩(wěn)健,是白洋淀北部最穩(wěn)定的地帶[28-31]。

圖1 研究區(qū)及周邊地區(qū)基底構(gòu)造分區(qū)圖[27]Fig.1 The subarea map of basement structure in the study area and its surrounding area

研究區(qū)地面實(shí)測(cè)高程范圍為海拔4.2~8 m之間,據(jù)研究區(qū)區(qū)域井資料及第四系地質(zhì)資料分析可知,第四系地層含早、中、晚更新統(tǒng)及全新統(tǒng),全新統(tǒng)發(fā)育完整,分布比較廣泛,厚度比較穩(wěn)定(表1)。

表1 臨井第四系地層底界埋深Table 1 Bottom boundary of each series in Quaternary strata revealed by well data 單位:m

2 地球物理前提

根據(jù)測(cè)區(qū)內(nèi)鉆孔電阻率測(cè)井資料對(duì)第四系地層視電阻率進(jìn)行統(tǒng)計(jì)(表2),電阻率值低值到高值變化代表地層巖性從粘土、粉質(zhì)粘土、粉土、粉砂、細(xì)砂、中砂、粗砂的漸變,代表測(cè)井資料和地質(zhì)資料的基本認(rèn)識(shí)。在此基礎(chǔ)上,開展高密度電阻率法的地球物理前提試驗(yàn),從反演電阻率斷面(圖2)結(jié)果可以看出,電性特征隨地層深度、巖性的變化有明顯變化;迭代反演的RMS誤差很小,說(shuō)明反演精度高,對(duì)地層的空間認(rèn)識(shí)清晰、精細(xì);砂體聚集的層段呈閉合高阻表現(xiàn),在砂與粉土等交互頻繁的層段呈層狀不連續(xù)低阻表現(xiàn),根據(jù)電性結(jié)構(gòu)特征,可以明顯區(qū)分各層位的地質(zhì)界線。這為高密度電阻率法在研究區(qū)的開展提供了物性前提。

表2 研究區(qū)第四系地層視電阻率統(tǒng)計(jì)表Table 2 Statistical table of apparent resistivity of Quaternary Strata in study area

圖2 地球物理前提試驗(yàn)G01測(cè)線電性剖面Fig.2 Electrical profile of G01 line in geophysical prerequisite test

3 工作方法與技術(shù)

3.1 方法原理

高密度電阻率法以巖、土介質(zhì)導(dǎo)電性差異為基礎(chǔ),人工施加穩(wěn)定電流場(chǎng),研究地下傳導(dǎo)電流分布規(guī)律。野外測(cè)量時(shí),采用陣列勘探,測(cè)量參數(shù)為電極間電位差,反演參數(shù)為電阻率/電導(dǎo)率。視電阻率可表示為ρ=K ΔV/I,ρ 為視電阻率(Ω·m),K 為裝置系數(shù)(m),ΔV為觀測(cè)點(diǎn)位差(V),I為供電電流(A)。對(duì)于地面電極,裝置系數(shù)K 可表示為K=。影響地下介質(zhì)電阻率的因素包括巖性、孔隙度、含水量、孔隙中流體的種類和性質(zhì)、溫度等。

3.2 采集方式

用WDJD-2高密度電法儀進(jìn)行二維剖面、溫納α裝置測(cè)量,電偶極矩10 m(圖3)。

當(dāng)測(cè)線較長(zhǎng)時(shí),單一剖面不能覆蓋,便采用以下方式采集:先單獨(dú)采集多個(gè)子剖面,處理時(shí)將子剖面數(shù)據(jù)拼接成一條長(zhǎng)剖面數(shù)據(jù)?;《炔淮蟮膹澢L(zhǎng)測(cè)線,同樣采用該方式采集。但拼接處理時(shí),子剖面的起始電極坐標(biāo)以第一子剖面為零起點(diǎn)的測(cè)線距離坐標(biāo),同時(shí)對(duì)部分重疊排列、無(wú)重疊部分排列的網(wǎng)格對(duì)應(yīng)節(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)取值[32]。

圖3 二維高密度電阻率法溫納α布極方式Fig.3 The configuration of 2D high-density resistivity method

測(cè)區(qū)內(nèi)布置東西橫向測(cè)線13條、南北縱向測(cè)線8條,呈網(wǎng)格狀(圖4),利用高密度電阻率精細(xì)剖面探測(cè)為基礎(chǔ),網(wǎng)格狀布置測(cè)線反演剖面為拓展,實(shí)現(xiàn)由面到體的轉(zhuǎn)化,對(duì)研究區(qū)第四系地質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行掌控。

圖4 測(cè)區(qū)測(cè)線布置示意圖Fig.4 Layout of survey line in survey area

3.3 數(shù)據(jù)處理成圖

采用軟件Res2dinv對(duì)二維高密度電法數(shù)據(jù)處理的流程:數(shù)據(jù)編輯→地形校正→初始設(shè)置→正演設(shè)置→反演設(shè)置→反演結(jié)果輸出→Surfer成圖(圖5)。

圖5 二維高密度電阻率法數(shù)據(jù)處理流程Fig.5 Data processing flow chart

在實(shí)際工程應(yīng)用中,可針對(duì)某些具體構(gòu)造體,對(duì)高密度電法二維面積性數(shù)據(jù)進(jìn)行三維反演成圖[33]:首先進(jìn)行反演數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,二維測(cè)線形成三維矩陣網(wǎng)格;然后利用反演軟件Res3dinv進(jìn)行三維反演,輸出成圖。本次高密度電法二維測(cè)線探測(cè)的深度范圍在地下200 m,而測(cè)線由排列拼接而成,測(cè)線長(zhǎng)達(dá)數(shù)千米,且測(cè)線間距離較遠(yuǎn),約1~2 km,可進(jìn)行統(tǒng)計(jì)性成圖,待增加測(cè)線密度后再做三維反演。

3.4 地質(zhì)解釋

結(jié)合井資料、第四紀(jì)地質(zhì)研究結(jié)果,分析電阻率反演斷面圖(圖6~7),勾畫出地下各層位垂向的厚度變化、橫向上延伸情況,建立新生界第四系各統(tǒng)的相互關(guān)系,斷面上精細(xì)反映各層位的埋深及起伏形態(tài)、斷裂構(gòu)造及構(gòu)造單元等特征。

圖6 Z5測(cè)線電阻率斷面圖(上)及地質(zhì)解釋圖(下)Fig.6 Z5 Line resistivity profile(above)and geological interpretation(below)

圖7 Z6測(cè)線電阻率斷面圖(上)及地質(zhì)解釋圖(下)Fig.7 Z6 Line resistivity profile(above)and geological interpretation(below)

表3 鉆孔GB016錄井、測(cè)井與Z5線高密度電法探測(cè)效果對(duì)比表Table 3 Comparison between GB016 borehole logging data,apparent resistivity logging data and high density resistivity result of Z5

由圖4、圖6可知,Z5測(cè)線在測(cè)區(qū)的西北部,南北向布設(shè)。測(cè)線300~2 400 m地下-20~-60 m層發(fā)育四個(gè)“砂層透鏡體”;測(cè)線南尾部地層處于低值區(qū),含砂量大幅減??;全測(cè)線第四系地層各統(tǒng)表現(xiàn)為水平層狀分布,起伏不大;測(cè)線600 m附近探測(cè)結(jié)果與相隔200 m 的GB016 井資料較吻合,見鉆孔錄井、測(cè)井、高密度電法探測(cè)效果對(duì)比表(表3)。

對(duì)比顯示,高密度電法探測(cè)地下-102 m深范圍內(nèi)結(jié)果可靠,因?yàn)榕帕械讓臃囱輸?shù)據(jù)少或無(wú)數(shù)據(jù)、排列相接的地方也缺少數(shù)據(jù),-102 ~-160 m范圍內(nèi)結(jié)果較可靠。

由圖4、圖7可知,Z6測(cè)線在測(cè)區(qū)的西南部,南北向布設(shè)。斷面電阻率值較低,全測(cè)線第四系地層各統(tǒng)表現(xiàn)為水平層狀分布,起伏不大,解釋結(jié)果與附近的GB022井、GB028井資料均較吻合,見鉆孔GB022錄井、測(cè)井、高密度探測(cè)效果對(duì)比表(表4)。

經(jīng)對(duì)比,高密度電法探測(cè)地下-133 m深范圍內(nèi)結(jié)果可靠,-133~-165 m范圍內(nèi)結(jié)果較可靠,-165~-200 m范圍內(nèi)結(jié)果可靠性一般。

對(duì)測(cè)區(qū)0~200 m深度內(nèi)反演的高密度電阻率值進(jìn)行三維建模,通過(guò)水平為主、任意向?yàn)檩o的切片綜合研究(圖8),分析認(rèn)為:

表4 鉆孔GB022錄井、測(cè)井與Z6線高密度電法探測(cè)效果對(duì)比表Table 4 Comparison between GB022 borehole logging data,apparent resistivity logging data and high density resistivity result of Z6

(1)在-65 m 以上深度,電阻率值范圍為5~70 Ω·m,高值較多。推測(cè)有大層段含水的細(xì)、中砂,即多個(gè)連續(xù)互通的大型“砂層透鏡體”,其內(nèi)電阻率值范圍為50~70 Ω·m 。

(2)在-65 m以下深度,電阻率值范圍為10~50 Ω·m,高值減少。推測(cè)粘土、亞粘土、亞砂土與粉細(xì)砂、粉砂等頻繁交互沉積,形成不等厚互層。

對(duì)測(cè)區(qū)0~200 m深度內(nèi)反演電阻率進(jìn)行砂體提取,通過(guò)水平為主、任意向?yàn)檩o的切片綜合研究(圖9),認(rèn)為第四系Q2-Q3的砂體高阻區(qū)集中在-65 m以淺的西北部,且推斷古河道主要呈由NNE至SSW流向、條帶狀分布。條帶分叉多、匯聚點(diǎn)較多,總體呈現(xiàn)辮狀河形態(tài)。測(cè)區(qū)南部電阻率低,地表常為淺水洼地,說(shuō)明周邊的白洋淀水發(fā)達(dá),由本文結(jié)果可知測(cè)區(qū)第四系有穩(wěn)定的沉積環(huán)境,為經(jīng)久形成白洋淀濕地提供了良好儲(chǔ)水條件。

4 結(jié)果探討

斷面探測(cè)范圍內(nèi),認(rèn)為總體沉積韻律是上粗下細(xì),第四系各統(tǒng)底界地伏不大,未發(fā)現(xiàn)明顯的活動(dòng)斷層,未發(fā)現(xiàn)填充或新型隱伏地裂縫、塌坑等,驗(yàn)證本測(cè)區(qū)是起步區(qū)中很穩(wěn)定的地區(qū),是生態(tài)宜居一類地區(qū):

(1)全新統(tǒng)Q4:底界埋深-5~-14 m,整體電阻率值低,地表局部高值。判斷巖性為松散填土、連續(xù)沉積的粉土,測(cè)區(qū)內(nèi)全部發(fā)育。人類活動(dòng)如筑路、鋪設(shè)管道等影響了所測(cè)的全新統(tǒng)地層電阻率表征。

圖8 電阻率深度切片圖Fig.8 Depth-dependent slice map of resistivity data

圖9 古河道砂體分布切片圖Fig.9 Slice map of sand distribution in Palaeochannel

(2)晚更新統(tǒng)Q3:底界埋深-45~-55 m,測(cè)區(qū)北部電阻率值高,水平層狀連續(xù)性好。判斷巖性為含大量砂體,如粉砂、細(xì)砂、中砂,特別是-25~-40 m深度之間存在連續(xù)含水的“砂層透鏡體”。測(cè)區(qū)南部電阻率值低,判斷巖性為細(xì)砂、粉砂、粉土互層,“砂層透鏡體”較少。大型“砂層透鏡體”的存在說(shuō)明在晚更新世,測(cè)區(qū)水系發(fā)達(dá),古河道廣泛發(fā)育。

(3)中更新統(tǒng)Q2:底界埋深-65~-100 m,測(cè)區(qū)整體電阻率值較低,局部有層段高值。判斷巖性為很濕或飽和密實(shí)粉土、粉質(zhì)粘土,局部含不連續(xù)砂層,地層交互關(guān)系明顯,有規(guī)律性極強(qiáng)的沉積韻律。砂質(zhì)含量的增加說(shuō)明在早更新世之后,測(cè)區(qū)水系發(fā)育,古河道較多。

(4)早更新統(tǒng)Q1:底界埋深-140~-180 m,亦或更深,整體電阻率值低,局部高值。判斷巖性為密實(shí)飽和的含砂粉質(zhì)粘土層,局部發(fā)育中、粗砂。

5 結(jié)論

(1)在0~200 m深探測(cè)范圍內(nèi),由高密度電阻率分布情況可以推斷出第四系各統(tǒng)地層發(fā)育完整,地質(zhì)結(jié)構(gòu)為層狀水平延展,砂體空間分布集中在測(cè)區(qū)西北,中、晚更新統(tǒng)古河道呈辮狀河帶狀分布,流向?yàn)镹NE-SSW,砂體與粘土沒(méi)有明顯分層跡象,兩者空間分布關(guān)系頻繁、高度漸變,古地理沉積環(huán)境穩(wěn)定,斷面未發(fā)現(xiàn)明顯斷裂、破碎等問(wèn)題,為起步區(qū)工程建設(shè)的順利開展提供佐證。

(2)剖面工作是密集的二維測(cè)線、多排列的組合銜接,工作量特別大,仍難以把握第四系地層更為細(xì)致的分布特征,即便是準(zhǔn)三維結(jié)果,也因探測(cè)目標(biāo)大、電極距大等因素,難以把發(fā)育較小、隱伏的地裂縫探測(cè)出來(lái)。若想判斷地下存在的極小范圍的隱伏地裂縫、塌坑等,則需進(jìn)一步減小電極距,加密測(cè)線,多種地球物理方法綜合“確診”,形成完善的城市工程地質(zhì)空間地球物理綜合探測(cè)體系。

(3)為與雄安新區(qū)高效建設(shè)、低碳發(fā)展的模式相匹配,將在“透明雄安”地質(zhì)信息服務(wù)平臺(tái)等各大信息系統(tǒng)中實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)輸入、可視化共享高密度電阻率等地球物理數(shù)據(jù)得到的“云地層”,讓多用戶同步借用,助力雄安新區(qū)建設(shè)發(fā)展。

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