王少輝 項(xiàng)永金

摘 要：隨著科技的發(fā)展，電器設(shè)備使用越來越廣泛，功能越來越強(qiáng)大，體積也越來越小，對(duì)電源模塊的要求不斷增加。開關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點(diǎn)，在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)分析，開關(guān)電源電路多個(gè)器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導(dǎo)致開關(guān)芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產(chǎn)品各項(xiàng)性能有效提高，滿足電路設(shè)計(jì)需求，減少售后失效。

關(guān)鍵詞：開關(guān)電源；高壓瓷片電容；芯片；耐壓提升；可靠性

開關(guān)電源電路憑借良好的性能得到了廣泛應(yīng)用，作為開關(guān)電源電路的重要組成器件，開關(guān)芯片決定了開關(guān)電源的質(zhì)量。2019年后，由于空調(diào)高端智能化、綠色節(jié)能化、友好交互化，空調(diào)機(jī)型也在不斷變化，對(duì)電源設(shè)計(jì)要求更高，電源電路設(shè)計(jì)也越來越多樣化、復(fù)雜化；電源電路主題設(shè)計(jì)也在不斷變化，以前開關(guān)電源只是用在變頻外機(jī)，使用量較少，現(xiàn)開關(guān)電源電路已用于生產(chǎn)的所有產(chǎn)品。隨著開關(guān)電源電路的大量使用，因開關(guān)芯片導(dǎo)致的售后失效也呈逐年上升趨勢(shì)，每年因開關(guān)芯片失效導(dǎo)致控制器失效的維修成本不斷上升。

1 事件背景

變頻空調(diào)外機(jī)開關(guān)電源SK開關(guān)芯片在售后出現(xiàn)多單失效，核實(shí)發(fā)現(xiàn)高頻變壓器[1]輸入端連接的高壓瓷片電容有多單出現(xiàn)炸裂，未炸裂的瓷片電容測(cè)試也有短路失效。外觀檢查發(fā)現(xiàn)，連接開關(guān)電源芯片1腳的3個(gè)限流電阻、瓷片電容均出現(xiàn)大電流燒壞的現(xiàn)象，如圖1所示。因變頻外機(jī)板整個(gè)開關(guān)電源電路器件燒壞，導(dǎo)致外機(jī)不能工作，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量及品牌形象。

鎖定開關(guān)芯片失效及電阻燒毀與高壓瓷片電容有關(guān)，經(jīng)對(duì)高壓瓷片電容（型號(hào)：10 pF±5%/1 000 V）進(jìn)行確認(rèn)均為B廠家生產(chǎn)，經(jīng)核實(shí)該型號(hào)電容的生產(chǎn)為A（國外）和B（國產(chǎn)）兩個(gè)廠家，分析表明，電容本身存在缺陷導(dǎo)致內(nèi)部短路的可能性較大。

失效控制器主板集中在2018—2019年生產(chǎn)的機(jī)器，A、B廠家此編碼瓷片電容一直在使用，2019年總使用量差不多60多萬，B廠家售后沒有出現(xiàn)失效，售后瓷片電容失效全部是A廠家，分析表明，瓷片電容本身質(zhì)量異常導(dǎo)致開關(guān)芯片失效質(zhì)量異常可能性較大。

瓷片電容介質(zhì)耐壓很高，一般在電路中很難擊穿失效，對(duì)正常品瓷片電容測(cè)試極限耐壓，測(cè)試50PCS全數(shù)通過3倍額定電壓3 000 V，沒有出現(xiàn)擊穿失效。查看近幾年復(fù)核數(shù)據(jù)，均無單獨(dú)瓷片電容故障。統(tǒng)計(jì)瓷片電容各廠家供貨情況，B廠家主要在2018年開始批量使用。各廠家使用數(shù)量見表1。

2 開關(guān)芯片的失效故障原因及失效機(jī)理分析

分析表明，開關(guān)芯片失效及電阻燒毀與為電容本身存在缺陷導(dǎo)致內(nèi)部短路有關(guān)。開關(guān)芯片電路及開關(guān)芯片失效分析暫未發(fā)現(xiàn)異常，此次開關(guān)電源電路器件燒壞為B廠家瓷片電容導(dǎo)致。

2.1 開關(guān)芯片電路工作原理分析

開關(guān)芯片引腳功能圖，SK廠家開關(guān)芯片工作原理圖，如圖1所示。

開關(guān)芯片各引腳功能描述如表2所示。

2.2 瓷片電容的使用信息

經(jīng)查，此電容使用商用、家用、出口機(jī)器（較多），包括洗衣機(jī)，電路主要與電阻并聯(lián)于開關(guān)芯片D漏極與S＼OCP過流電路保護(hù)端，搭配SK廠家開關(guān)芯片。

其他廠家開關(guān)芯片沒有搭配瓷片電容，對(duì)比SK廠家3款開關(guān)芯片外圍電路，D-S極間串聯(lián)均為10 pF瓷片電容+10 Ω貼片電阻，電路無差異。

2.3 失效主板故障現(xiàn)象統(tǒng)計(jì)分析

根據(jù)售后失效故障現(xiàn)象，主要為瓷片電容炸裂、限流電阻燒壞、開關(guān)電源芯片炸裂或燒壞[2]，分析為開關(guān)電源芯片第1腳過流信號(hào)輸入腳連接限流電阻和瓷片電容的電路有大電流進(jìn)入，導(dǎo)致器件的損壞，且經(jīng)檢查器件焊接無異常。大電流產(chǎn)生的可能性如表3所示。

2.4 失效故障件分析

B廠家高壓瓷片電容主要故障為炸裂，本體上有炸裂紋，同時(shí)陶瓷芯片介質(zhì)已經(jīng)擊穿，擊穿位置位于陶瓷中部位置，焊接沒有問題。失效圖片如圖2所示。

瓷片電容本體炸開，可以看到明顯的孔洞。產(chǎn)品的擊穿位置都在電容器芯片內(nèi)部，而且擊穿位置燒痕明顯，材料出現(xiàn)明顯碳化，這是由于電容器耐壓失效時(shí)有大電流通過出現(xiàn)的現(xiàn)象，如圖3所示。

B廠家絕緣耐壓測(cè)試結(jié)果如表4所示。

3 故障失效電路設(shè)計(jì)核查及模擬分析

3.1 開關(guān)芯片應(yīng)用電路圖

開關(guān)芯片電路原理如圖4所示，高壓瓷片電容 C123是和R57貼片電阻串聯(lián)形成了“RC阻容模塊”，然后和電源芯片的MOSFET D-S兩極并聯(lián)，用于改善MOSFET在高速開關(guān)時(shí)的EMC性能。

用示波器檢測(cè)控制器通電時(shí)高壓瓷片電容兩端電壓，該高壓瓷片電容兩端正常工作電壓在405 V左右，當(dāng)壓縮機(jī)升頻到70 Hz時(shí)，電壓最高在502 V左右，遠(yuǎn)低于1 000 V工作電壓，如圖5所示。

經(jīng)模擬驗(yàn)證，將B廠家高壓瓷片電容兩端直接短路，并通電測(cè)試，出現(xiàn)開關(guān)電源芯片炸裂和限流電阻燒壞的情況，分析開關(guān)芯片失效與高壓瓷片電容質(zhì)量有關(guān)，如圖6所示。

為模擬高壓瓷片電容漏電的情況，在高壓瓷片電容兩端分別并聯(lián)151 kΩ、94 kΩ、47 kΩ、26 kΩ、2.5 kΩ五種電阻進(jìn)行通電驗(yàn)證，發(fā)現(xiàn)47 kΩ電阻在壓縮機(jī)頻率達(dá)到70 Hz后，運(yùn)行2 min出現(xiàn)電阻表面燒壞發(fā)黑的情況，2.5 kΩ電阻在壓縮機(jī)達(dá)到70 Hz頻率后，就出現(xiàn)電阻燒壞的情況，如圖7所示，同時(shí)限流電流也燒壞，與售后故障相似，但開關(guān)電源芯片已保護(hù)，并未出現(xiàn)損壞。即是在限流電阻承受大電流緩慢燒壞的過程中，開關(guān)電源芯片都能夠及時(shí)保護(hù)，進(jìn)一步證明售后故障現(xiàn)象應(yīng)該是瞬間高壓沖擊短路產(chǎn)生大電流導(dǎo)致。

對(duì)電路工作原理的分析以及結(jié)合模擬驗(yàn)證的情況，鎖定原因?yàn)楦邏捍善娙菹榷搪泛螅怪绷麟娐稰點(diǎn)電流經(jīng)過，并導(dǎo)致限流電阻燒壞、開關(guān)電源芯片炸裂。

4 同規(guī)格A、B廠家電容性能對(duì)比分析

4.1 A與B廠家瓷片電容對(duì)比分析

對(duì)2個(gè)廠家瓷片電容進(jìn)行對(duì)比分析，除本體尺寸外，其他無明顯差異，見表5。B廠家的陶瓷芯片比A廠家薄0.5 mm，但直徑大0.9 mm。在此種情況下容易因生產(chǎn)過程受力導(dǎo)致裂紋，引起耐壓不足，B廠家芯片厚度為0.3 mm，A廠家芯片厚度為0.8 mm；其余極限耐壓、焊接質(zhì)量等無異常。

瓷片電容生產(chǎn)過程原理如圖8所示。

4.2 瓷片電容極限耐壓測(cè)試

1）驗(yàn)證采用50 V的獨(dú)石電容，沒能擊穿復(fù)現(xiàn)故障，單獨(dú)測(cè)試獨(dú)石電容的極限耐壓可以達(dá)到1.3 kV左右（測(cè)試阻抗只有20 kΩ左右），遠(yuǎn)超該電路上的電壓（極限500 V左右）；

2）對(duì)B和A廠家的瓷片電容進(jìn)行測(cè)試，其中B廠家出現(xiàn)4 pcs擊穿的情況，單獨(dú)擊穿電容測(cè)試絕緣電阻只有100 kΩ級(jí)。

5 瓷片電容失效的解決方案

B廠家電容器屬于NPO溫度特性的電容器，電容器的芯片尺寸為：芯片厚度0.3 mm，芯片直徑5 mm；正常情況下電容器成品破壞電壓為6 kV左右。但是該電容器芯片使用的是國產(chǎn)材料，受限于國產(chǎn)材料純度不高、均勻性不好、工藝參數(shù)波動(dòng)較大等因素，導(dǎo)致國產(chǎn)電容器芯片余量范圍不穩(wěn)定，可靠性存在一定隱患。該規(guī)格的國產(chǎn)NPO材質(zhì)的芯片耐壓范圍在（3～6）kV，進(jìn)口（A廠家）NPO材質(zhì)芯片耐壓范圍在（5～6）kV，進(jìn)口芯片的質(zhì)量穩(wěn)定性和一致性較好。國產(chǎn)芯片要想達(dá)到進(jìn)口芯片相同的質(zhì)量，就必須增大安全系數(shù)，加大芯片的尺寸，增加芯片厚度將減少芯片結(jié)構(gòu)性缺陷，提升芯片的耐壓等級(jí)和質(zhì)量穩(wěn)定性。增加尺寸后，電容器耐壓范圍可以提升到（5～8）kV，可有效提升電容器耐壓性能和可靠性。

1）提升瓷片電容耐壓國產(chǎn)瓷片電容極限耐壓在（3～5）kV，提升達(dá)到（5～6）kV。

2）瓷片電容尺寸整改

分析發(fā)現(xiàn)B廠家的電容芯片相對(duì)較薄且面積大，在制程中較容易產(chǎn)生受損裂紋缺陷，導(dǎo)致耐壓能力降低甚至擊穿，增大瓷片電容尺寸。

3）整改后制品性能對(duì)比

新制品規(guī)格書確認(rèn)電容芯片厚度已更改，電容極限耐壓提升到（5～6）kV，且各項(xiàng)性能顯著提升。分析測(cè)試表明，新制品能達(dá)到額定電壓2 kV，極限電壓達(dá)到（10～12）kV，性能測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比A廠家無差異。新制品性能測(cè)試數(shù)據(jù)如表6所示。

6 失效整改總結(jié)及意義

通過產(chǎn)品實(shí)際應(yīng)用過程中的問題反饋，本文從開關(guān)芯片的失效機(jī)理、失效因素、應(yīng)用電路、器件可靠性等多方面進(jìn)行分析，對(duì)瓷片電容單體物料各項(xiàng)性能進(jìn)行優(yōu)化，顯著提高M(jìn)OSFET在高速開關(guān)時(shí)的EMC性能。為了保證開關(guān)電源電路的可靠性，通過提高瓷片電容的極限耐壓及各項(xiàng)性能參數(shù)，解決了器件在實(shí)際應(yīng)用中可靠性的問題，經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用取得顯著效果。

參考文獻(xiàn)：

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