鄭小保,徐威,張國棟
(1.中國電子科技集團(tuán)公司第二十二研究所,山東 青島 266107;2.中國移動(dòng)通信集團(tuán)設(shè)計(jì)院有限公司山東分公司,濟(jì)南 250001)
離子遷移譜(Ion Mobility Spectrometry,IMS)技術(shù)是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來的一門檢測技術(shù),主要用來分析混合氣體中存在的微量氣體成分,特別適合于一些揮發(fā)性有機(jī)化合物的痕量探測,如毒品、爆炸物、化學(xué)戰(zhàn)劑和大氣污染物等。但是實(shí)際得到的IMS信號(hào)的遷移率受環(huán)境因素影響比較大,提高IMS信號(hào)遷移率的探測精度,減少誤判一直是 IMS技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。
IMS信號(hào)的遷移率隨周圍環(huán)境因素的變化而變化,遷移管的構(gòu)造、電場強(qiáng)度、溫度、氣壓和濕度等一些因素都會(huì)對(duì)它產(chǎn)生影響。一般采用精確控制或測量遷移環(huán)境的做法來提高遷移率的探測精度,但有些是不易控制的,有些精確測量的成本比較高。利用修正技術(shù),對(duì) IMS信號(hào)的峰位置進(jìn)行校正,減弱外界因素對(duì) IMS技術(shù)中離子遷移率的影響,一方面保證物質(zhì)的正確識(shí)別,另一方面還可以降低設(shè)備的實(shí)現(xiàn)難度及成本。
離子遷移率是單位強(qiáng)度電場作用下的離子平均遷移速度,用K表示,其單位為 m2/(V·s),計(jì)算公式為:
式中:E為電場強(qiáng)度;為離子的速度
離子遷移率和中性遷移氣體分子之間的基本關(guān)系最早由法國科學(xué)家 Langevin給出,但是計(jì)算出的遷移率值和實(shí)驗(yàn)值差別非常大。之后,陸續(xù)有人對(duì)這一理論進(jìn)行了修改,并不斷提出了新的理論。迄今為止,傳統(tǒng)弱場下最為成功的離子遷移率理論是由Mason等提出的,由式(2)表示:
式中:e為離子所帶電荷,;N為中性遷移氣體分子的密度,;k為玻爾茲曼常數(shù),;μ為折合質(zhì)量,,其中m為離子的質(zhì)量,M為遷移氣體分子的質(zhì)量,effT為離子的有效溫度(K),在單一溫度近似情況下,它就是遷移管內(nèi)中性氣體分子的溫度;α為校正因子,在mM>情況下,α一般小于0.02;Deff()TΩ是碰撞截面,其值取決于有效溫度導(dǎo)致的離子團(tuán)形狀。
從式(2)可以看到:遷移率K反比于碰撞截面以及遷移氣體的密度,為了消除遷移氣體密度的影響以及調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)條件下,常采用約化遷移率:
式中:P為環(huán)境大氣壓;T為遷移管溫度。約化遷移率相當(dāng)于把遷移率對(duì)環(huán)境氣壓和環(huán)境溫度進(jìn)行了歸一化,一般認(rèn)為它是常數(shù),只與離子和遷移氣體分子的性質(zhì)以及它們之間的相互作用有關(guān)。實(shí)際上,遷移管的構(gòu)造、電場強(qiáng)度、溫度、氣壓和濕度等一些因素仍會(huì)對(duì)它產(chǎn)生影響。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,一般需針對(duì)所使用的遷移管及其工作條件對(duì)約化遷移率進(jìn)行相應(yīng)的修正。
實(shí)際應(yīng)用中,離子的遷移率是依據(jù)測定它通過遷移區(qū)的時(shí)間獲得的,因此離子的遷移時(shí)間t是一個(gè)非常重要的參數(shù),常被用來直接標(biāo)定離子的遷移率。只有在實(shí)際測得的離子遷移時(shí)間和樣本庫中存儲(chǔ)的離子遷移時(shí)間差別不是很大時(shí),才能判定所測樣品中含有某種物質(zhì)。離子遷移率和離子遷移時(shí)間的關(guān)系為:
式中:L為遷移管中遷移區(qū)的長度;E為遷移管中的電場強(qiáng)度;V為遷移區(qū)兩端電壓;t為物質(zhì)的遷移時(shí)間。對(duì)同一臺(tái)儀器,遷移區(qū)的長度、遷移區(qū)兩端所加的電壓均為常數(shù),即Kt×常數(shù)。所以對(duì)未知樣品的約化遷移率一般通過式(5)計(jì)算得到:
式中:0K′與0K分別為待測和己知樣品的約化遷移率;t′與0t分別為其對(duì)應(yīng)的遷移時(shí)間。
式中:L為遷移管遷移區(qū)的長度;V為遷移區(qū)兩端電壓;P為環(huán)境大氣壓;T為遷移管溫度;t為遷移時(shí)間;t0為約化遷移時(shí)間。
假定在某一段時(shí)間內(nèi)P、V和T為常數(shù),則某物質(zhì)的遷移時(shí)間可以表示為t=t0×A,A為在一段時(shí)間內(nèi)由P、V和T決定的常數(shù)。選定一種物質(zhì)作為校正物,其約化遷移時(shí)間為t1。假定得到了校正物和未知物質(zhì)在一定環(huán)境下的遷移時(shí)間分別為t1′和t2′,其校正物的約化遷移時(shí)間t1為已知。根據(jù)t1=t1′A1,就可以計(jì)算出此時(shí)的A1,則可進(jìn)一步得到未知物質(zhì)的約化遷移為實(shí)際測量值,很容易得到未知物質(zhì)的約化遷移時(shí)間,這樣就對(duì)未知物質(zhì)的遷移時(shí)間做了校正,可以對(duì)物質(zhì)進(jìn)行準(zhǔn)確判斷。
通過式(6)可以對(duì)遷移管兩端的電壓V、環(huán)境大氣壓P和遷移管溫度T的變化進(jìn)行校正。
用CTZ-1型微量炸藥探測儀上實(shí)際采集的TNT(樣品)信號(hào)對(duì)本校正方法進(jìn)行實(shí)際驗(yàn)證。性能樣機(jī)的基本參數(shù):遷移管管長為70 mm,單幀遷移譜信號(hào)長度為40 ms。
以如下采樣參數(shù)下的數(shù)據(jù)得到的空氣離子遷移時(shí)間作為標(biāo)校物的標(biāo)準(zhǔn)遷移時(shí)間,其約化遷移時(shí)間的參數(shù)為 1。標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境:遷移溫度為 75 ℃,環(huán)境溫度為 15 ℃,壓強(qiáng)為 1.01 MPa,遷移區(qū)兩端電壓為4000 V。此環(huán)境下空氣的離子遷移時(shí)間為14.16 ms,樣品的離子遷移時(shí)間為 19.56 ms。樣品質(zhì)量濃度為10 ng/μL。
其他環(huán)境不變,高壓從3600~4000 V變化時(shí),TNT樣品和空氣的IMS信號(hào)遷移時(shí)間如圖1所示。遷移時(shí)間基本隨著遷移區(qū)電壓的變化呈線性變化。
從圖2可以看出,校正后的TNT的離子遷移時(shí)間基本為一條直線。校正前 TNT的離子遷移時(shí)間平均誤差為1.024 ms,校正后TNT的離子遷移時(shí)間平均誤差減少為0.038 ms。經(jīng)過修正后的IMS信號(hào)峰位置的平均誤差減少了96%,基本上去除了電壓變化對(duì)峰位置的影響,大大提高了判斷的準(zhǔn)確性。
圖1 IMS信號(hào)遷移時(shí)間和遷移電壓之間的關(guān)系Fig.1 Relationship between migration time and migration voltage of IMS signal
圖2 遷移電壓變化時(shí)修正前后的TNT信號(hào)Fig.2 TNT signal before and after correction when the migration voltage changes
其他環(huán)境不變,遷移溫度在50~120 ℃變化時(shí),TNT的離子遷移時(shí)間和空氣的離子遷移時(shí)間如圖 3所示。遷移時(shí)間基本隨著遷移區(qū)溫度的變化呈線性變化。
圖3 IMS信號(hào)遷移時(shí)間和遷移溫度之間的關(guān)系Fig.3 Relationship between migration time and migration temperature of IMS signal
從圖4可以看出,校正后的TNT信號(hào)基本為一條直線,校正前 TNT的離子遷移時(shí)間平均誤差為1.14 ms,校正后平均誤差減少到0.54 ms。經(jīng)過校正后的TNT的離子遷移時(shí)間平均誤差減少了53%,使峰位置的精確判斷得到了較大的提高,減少了虛警和誤判,提高了IMS的性能。
圖4 遷移溫度變化時(shí)修正前后的TNT信號(hào)Fig.4 TNT signal before and after correction when the migration temperature changes
通過對(duì)校正算法的討論,實(shí)現(xiàn)了對(duì)探測物質(zhì)離子遷移時(shí)間的校正,有效降低了外界環(huán)境對(duì)離子遷移率的影響,為 IMS信號(hào)的校正技術(shù)提供了一個(gè)思路。最后通過實(shí)際驗(yàn)證證明了該方法的有效性,為該校正技術(shù)在IMS信號(hào)處理中的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。