本報訊 記者陳炳欣報道：6月20日，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工。湖北省委書記、省人大常委會主任應(yīng)勇宣布項目（土建）開工。湖北省委副書記、省長王曉東致辭。紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。

長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠，規(guī)劃總產(chǎn)能30萬片/月，總占地面積1968畝。

長江存儲一期工程于2016年年底開工，目前進展順利。2019年9月，長江存儲發(fā)布64層3D NAND閃存，目前產(chǎn)品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并陸續(xù)推向市場。2020年4月，長江存儲再次發(fā)布128層3D NAND閃存，預(yù)計將于2020年年底至2021年年初實現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品已基本追平國際先進水平，其中型號X2-6070產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)首款128層QLC（每個存儲單元可存儲4bit數(shù)據(jù)），可提供1.33Tb的單顆存儲容量，具有當(dāng)前全球已知型號的產(chǎn)品中最高存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

在技術(shù)研發(fā)方面，長江存儲發(fā)布的Xtacking技術(shù)架構(gòu)在2018年全球FMS（閃存峰會）上獲得大獎。相比傳統(tǒng)的3D NAND閃存架構(gòu)，Xtack-mg可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。日前，長江存儲已發(fā)布Xtack-ing2.0技術(shù)。

當(dāng)前社會已經(jīng)進入數(shù)字經(jīng)濟時代，人們對存儲器的需求持續(xù)增加，3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)前景被長期看好。今年以來，盡管受新冠肺炎疫情的影響，NAND閃存市場依然表現(xiàn)出較強的韌性。根據(jù)集邦咨詢的報告，2020年第一季度NAND閃存出貨量與上季度大致持平，其中服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，第二季度遠(yuǎn)程服務(wù)等應(yīng)用持續(xù)帶動數(shù)據(jù)中心需求。

中國是全球最大的存儲器市場。數(shù)據(jù)顯示，在移動通信和計算用SSD領(lǐng)域，中國對NAND的需求占比全球市場份額將從2017年的30%和25%，提升到2021年的50%和30%。中國既有市場需求，也有必要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)。長江存儲一期的良好運營以及二期項目的開工建設(shè)為中國存儲產(chǎn)業(yè)打下了良好的基礎(chǔ)。

趙偉國表示：“國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越?！坳P(guān)漫道真如鐵，而今邁步從頭越。我們要增強責(zé)任感、緊迫感，知難而進、迎難而上，為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展、為湖北經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展作出新的更大貢獻。”