張心怡

DRAM第一季度價格回暖，“存儲三雄”三星、美光、海力士圍繞DRAM的新一輪競爭已經開始。三星將EUV導入DRAM.DDR5及LPDDR5等新產品的崛起，透露哪些迭代趨勢？在寒意猶存的第二季度，三大內存企業(yè)的產能布局有什么側重點，聚焦哪些市場方向？

DRAM邁向EUV時代

三星首度在DRAM生產引入EUV，既有利于降低生產成本，也有利于提升差異化競爭能力。

三星于近期宣布，已經成功出貨了一百萬個基于EUV技術的10nm級（D1x）DDR4模塊，成為首個在DRAM生產中使用EUV的企業(yè)。目前三星的EUV DDR4模塊已經完成了壘球范圍的客戶評估，將為高端PC、手機、企業(yè)服務器、大數(shù)據(jù)等應用使用更先進的EUV技術開啟大門。

EUV光刻是邏輯IC 7nm及以下制程的關鍵技術，能夠提升產能，降低單片生產成本。EUV波長僅為13.5nm，遠遠小于DUV光刻機的193nm，能實現(xiàn)更高的分辨率，打造更小更快的芯片。臺積電的7nm加強版N7+以及后續(xù)的6nm、5一、3nm工藝都將使用ELv設備，三星也從7nm節(jié)點開始使用EUV設備并將一直沿用到3nm工藝的開發(fā)。

三星首度在DRAM生產引入EUV，既有利于降低生產成本，也有利于提升差異化競爭能力。集邦咨詢在文字答復記者采訪時表示，DRAM進入iOnm級時代，制程所需的光罩數(shù)越來越高，EUV可有效減少光罩數(shù)量來壓低成本。隨著DRAM向更先進的節(jié)點發(fā)展，EUV會變成不可或缺的工具，不過現(xiàn)階段供應商仍處于試產階段，達到較高的經濟效益才會將EUV導人量產。

賽迪智庫集成電路所分析師黃陽棋向記者指出，從技術必要性來看，當前DRAM先進節(jié)點為1Znm（第三代10nm等級制造工藝），即使再進步兩代依舊沒有必須使用EUV的要求。但是三星宣稱EUV能夠使生產效率翻倍，從而大幅降低成本，使得其他廠商必須跟進，否則將在競爭中處于劣勢。在未來DRAM競爭中，EUV是一個必須的選項，這是市場競爭的結果。

海力士也注意到EUV對DRAM的重要性。2019年10月，海力士在聲明中稱，為滿足微型化電子設備及存儲單元對大容量、高密度數(shù)據(jù)存儲的需求，導人EUV勢在必行，海力士在韓國利川的M16工廠有望為EUV設備設立單獨區(qū)域。海力士預計，EUV將在2020年部分用于IYnm（第二代10nm等級制造工藝）及以下DRAM的生產。

美光則在第一季度財報中指出，其在中國臺灣生產基地的凈室已經具備EUV能力。

除了制程技術，海力士、美光還聚焦封裝方案創(chuàng)新。海力士與科技公司Xperi旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術授權協(xié)議，獲得DBI Ultra 2.5D/3D互連技術授權，該技術通過化學鍵而非銅柱實現(xiàn)芯片互聯(lián)，能實現(xiàn)16層堆疊，顯著提升帶寬和存儲密度。美光的uM-CP封裝方案將低功耗DRAM芯片與NAND芯片以及其主控相結合，與雙芯片解決方案相比節(jié)省40%空間，目前已經送樣。

LPDDR5引領新一輪產品競爭

在小米采用LPDDR5的實測結果中，LPDDR5綜合場景下較LP-DDR4續(xù)航提升約10%。

今年2月，美光宣布交付壘球首款LPDDR5（低功耗DDR5）DRAM芯片。小米創(chuàng)始人兼董事長雷軍表示，小米10全線采用LPDDR5內存，供應商為美光和三星。根據(jù)美光提供的參數(shù)，LPDDR5相較LPDDR4整機省電5% - 10%，續(xù)航延長5% - 10%。在小米采用LPDDR5的實測結果中，LPDDR5綜合場景下較LP-DDR4續(xù)航提升約10%，游戲場景（王者榮耀）省電約20%，徽信語音和視頻場景省電約10%。

在美光宣布小米將搭載其首款量產的LPDDR5后僅4個小時，努比亞創(chuàng)始人兼總裁倪飛在社交賬號宣布紅魔5G全系列標配LPDDR5，配圖為三星LPD-DR5產品圖。兩天后，Realme副總裁徐起宣布realme真我X50 Pro全系標配三星LPDDR5。

小米10系列和reahne真我X50 Pro的LPDDR5內存最高為12GB，不過消費者有望在下半年見到搭載16GB LPD-DR5的手機。今年2月，三星宣布面向下一代高端手機的16 GB LPDDR5開始量產，數(shù)據(jù)傳輸速率達到5500Mh/s，是LPDDR4X版本的1.3倍。相比8GBIPDDR4. 16GB LPDDR5能降低20%的功耗并提供兩倍的性能。三星計劃在平澤工廠繼續(xù)擴產LPDDR5，并在第二季度規(guī)模量產基于第三代10nm工藝的16GB LPDDR5。美光科技移動產品事業(yè)部市場副總裁Chnstopher Moore也表示，預計2020年下半年就會出現(xiàn)16GB內存的手機，美光已經接到很多16GB內存需求。

相比LPDDR5，DDR5的規(guī)模量產和應用步伐稍緩，但領軍內存企業(yè)都在加緊布局。海力士計劃今年量產DDR5，三星計劃2021年基于Dla工藝大規(guī)模量產DDR5，美光1Znm制程的DDR5寄存型DIMM （RDIMM）已開始出樣。據(jù)悉，海力士DDR5內存頻率最高達8400MHz，單顆最大內存容量為64GB，相比DDR4帶寬翻倍。集邦咨詢向記者表示，DDR5的進程比LPD-DR5更晚，主要應用場景以計算機、服務器產品為主，但需要配合主流CPU的規(guī)格，預計到2021年的下半年才能在市場上看到一定數(shù)量的產品。

產能向先進制程和新產品傾斜

三大DRAM供應商今年的發(fā)展方向為持續(xù)朝向1Y、1Znm制程做轉進。

2019年，內存價格經歷至暗時刻。三星2019年盈利較2018年下降52.8%，海力士2019年盈利同比下降87%，美光同比下降23%。集邦咨詢向記者表示，在產能擴增放緩的情況下，三大DRAM供應商今年的發(fā)展方向為持續(xù)朝向1Y、iZnm制程做轉換。在比拼技術的同時，也要比拼產品質量、良率和轉換進度。

海力士計劃2020年重點提升1Ynm DRAM產量。海力士首席技術官Jin-seok Cha表示，海力士今年的投資會聚焦在向tYnm的技術遷移以及96層和128層NAND，采用1Ynm的DRAM占比將提升40%。iZnm也將于年內正式投入批量生產。

三星也將為新產品建立產線。為了更好地滿足市場對下一代DDR5及LP-DDR5 DRAM不斷增長的需求，三星除導入EUV技術，還將于今年下半年在韓國平澤市建立第二條半導體產線。

美光則跟據(jù)市場需求調整產能結構。美光在第二季度財報指出，受新冠肺炎疫情影響，遠程辦公、游戲、宅經濟導致數(shù)據(jù)中心DRAM需求走高，隨之上升的需求還有筆記本電腦，手機和個人電子設備的DRAM需求則低于預期。美光表示，對DRAM和SSD的供應將更多從智能手機轉移到數(shù)據(jù)中心市場。黃陽棋表示，今年手機內存原本預計會有隨著5G換機所帶來的高速增長，但由于受到疫情影響，手機出貨量不及預期，也會影響到內存行業(yè)全年的增長不及預期。服務器將會是今年內存增長的主要動力。