本報訊?1月10日，2019年度國家科學技術獎在北京揭曉。三安光電及中科院半導體研究所等單位聯(lián)合完成的“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業(yè)化”項目獲國家科技進步獎一等獎。該項目歷時十余年，形成具有我國自主知識產權的高光效、長壽命半導體照明成套技術，關鍵指標達國際領先。項目成果實現大規(guī)模產業(yè)化推廣，在北京奧運會、“十城萬盞”示范工程等重大工程實現示范應用。

多年來，半導體照明產品面臨電光轉化效率低、長期工作可靠性差、標準缺失等難題。該項目主要面對這些難題，從半導體照明材料、芯片、封裝、模組與應用全鏈條開展產研聯(lián)合技術攻關，最終形成了具有自主知識產權的高光效長壽命半導體照明全套技術。

項目主要完成人、中科院半導體研究所研究員李晉閩介紹，目前，我國已有近50%的傳統(tǒng)光源被LED產品所取代，每年累計實現節(jié)電約2800億度，相當于3個三峽水利工程的發(fā)電量。

三安光電副總經理蔡文必表示，以氮化物基發(fā)光二極管（LED）為核心器件的新一代半導體照明光源具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保的特點，是全球最有發(fā)展前景的高技術產業(yè)之一。隨著各國

淘汰白熾燈計劃進一步實施，LED通用照明市場將呈現爆發(fā)式增長。此次項目成果包括p型氮化物摻雜與量子阱結構設計、微納圖形化襯底及成核技術、新型緩沖層的高質量氮化物外延技術、激光誘導光提取技術等多項外延芯片技術率先在三安光電進行推廣與量產，促進三安光電作為全球知名外延芯片廠的技術發(fā)展，實現了我國半導體照明芯片由完全依賴進口發(fā)展到自主可控全面國產化，LED芯片及應用產品出口至歐美多個國家，實現了自主研制的半導體照明芯片取代進口，促進半導體照明終端產品大規(guī)模的推廣應用。