美國(guó)和意大利研究人員發(fā)表研究報(bào)告稱(chēng)，他們開(kāi)發(fā)出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲(chǔ)器件，其體積很小，耗能也非常低，很可能有助于解決目前人工智能（AI）發(fā)展所遭遇的“內(nèi)存瓶頸”問(wèn)題。

在新研究中，研究團(tuán)隊(duì)使用了柱狀反鐵磁材料，這是以前科學(xué)家從未探索過(guò)的幾何形狀。研究表明，生長(zhǎng)在重金屬層上的、直徑低至800納米的反鐵磁鉑錳（PtMn）柱，通過(guò)極低電流后可以在不同的磁態(tài)之間可逆地轉(zhuǎn)換。通過(guò)改變寫(xiě)入電流的振幅，即可實(shí)現(xiàn)多級(jí)存儲(chǔ)特性。

研究人員指出，基于反鐵磁鉑錳柱制成的存儲(chǔ)器件體積僅為現(xiàn)有的基于反鐵磁材料存儲(chǔ)設(shè)備的1/10，而更重要的是，新型器件的制造方法與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造規(guī)范兼容，這意味著存儲(chǔ)設(shè)備制造商可以輕松采用新技術(shù)，而無(wú)需購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備。

研究人員指出，新型磁存儲(chǔ)器件很小，耗能很低，有望使反鐵磁存儲(chǔ)器走向?qū)嶋H應(yīng)用，并幫助解決AI的“內(nèi)存瓶頸”問(wèn)題。目前，他們正努力尋求進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸，改善數(shù)據(jù)寫(xiě)入耗能的方法，以盡快將新技術(shù)投入實(shí)際應(yīng)用。