張 敏,劉 歡

(北京航空航天大學化學學院,北京 100091)

1983年,貝爾實驗室的科學家首次發(fā)現(xiàn)了納米發(fā)光材料量子點,隨后被耶魯大學的物理學家命名為量子點(Quantum Dot,QDs),并沿用至今. QDs具有較小的尺寸(通常在10 nm以下),由于尺寸限域引起了介電限域效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng),從而表現(xiàn)出與大部分發(fā)光材料不同的物理化學性能[1,2]. QDs具有良好的光譜性能、光穩(wěn)定性和生物相容性等,在生物檢測、電子激光器以及發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)領(lǐng)域嶄露頭角[3～6],尤其是無機半導體量子點在LED器件的發(fā)展中有著重要的作用. 1993年,Nakamura等[7]成功利用氮摻雜的寬禁帶半導體材料氮化鋁鎵(AlGaN)和銦氮化稼(InGaN)獲得了具有商業(yè)應(yīng)用價值的藍光LED. 目前,以第一代半導體發(fā)光材料GaN(藍光)、GaAs(紅光)、GaP(綠光)為核心的固態(tài)顯示照明已廣泛應(yīng)用于室內(nèi)外照明,并逐步取代傳統(tǒng)照明中較耗能的白熾燈和熒光燈[8,9]. 1987年,Tang等[10]首次報道了具有雙層夾心結(jié)構(gòu)的高亮度、低驅(qū)動電壓的有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED). 作為LED的第二代產(chǎn)品,其整體結(jié)構(gòu)為多層薄膜的層層堆疊,其中有機發(fā)光材料作為核心發(fā)光層,兩側(cè)分別是電子傳輸層和空穴傳輸層. 當電流通過時,有機材料發(fā)光. OLED技術(shù)發(fā)展迅猛,在大尺寸和柔性O(shè)LED屏幕方面取得長足的進展. 三星、蘋果、華為等品牌手機屏幕以及可穿戴產(chǎn)品中也紛紛采用OLED屏幕.

作為第三代新型顯示器件,量子點發(fā)光二極管(QLED)目前尚處于實驗室研發(fā)階段. QLED多以無機半導體量子點為核心發(fā)光層,兩側(cè)分別被電子和空穴傳輸層覆蓋. 得益于QDs材料本身的優(yōu)異性能,QLED具有性能穩(wěn)定、發(fā)光效率高、發(fā)光光譜可調(diào)等優(yōu)點,可用于制造具有超薄結(jié)構(gòu)或柔性結(jié)構(gòu)的顯示器件,且具有廣視角、高亮度、低功耗等優(yōu)點. 美國QD Vision公司認為在同等畫質(zhì)下QLED的節(jié)能性可達到OLED屏的兩倍,同時發(fā)光率提升30%～40%. 但QDs屬于無機納米材料,第一代LED所用的氣相沉積生長法和OLED所用的蒸鍍技術(shù)均無法直接用于QDs的成膜.

目前,QD薄膜主要通過旋涂法、噴墨打印法、轉(zhuǎn)印法、霧化沉積等溶液法來制備[11～15]. 本文主要綜述了制備圖案化QD薄膜的各種溶液方法,并概述了每種方法薄膜制備的特點和優(yōu)勢,總結(jié)了目前器件的效率水平,還介紹了一種纖維輔助的溶液可控轉(zhuǎn)移的新方法,可實現(xiàn)大面積均勻的圖案化QD薄膜,為溶液法制備高性能QLED提出了全新的思路,以期能夠在高效/低成本制備高質(zhì)量QD薄膜上有所貢獻.

1 QDs的發(fā)光特性及其薄膜在QLED器件中的重要性

QDs是典型的納米發(fā)光材料,由于其小尺度(直徑一般小于10 nm)的特點,內(nèi)部電子和空穴的運動在三維尺度上受到束縛,產(chǎn)生量子化現(xiàn)象,從而表現(xiàn)出表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)和介電限域效應(yīng). 在QDs中,電子和空穴的波函數(shù)在空間上被限制為小于散裝材料的激子玻爾半徑的尺寸,從而導致QDs成為一類獨特的發(fā)射器,其發(fā)射波長可調(diào)節(jié),飽和發(fā)射顏色接近于發(fā)射波長,具有統(tǒng)一的亮度效率、固有的光穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性以及出色的溶液可加工性. 僅改變QDs的組分和尺寸便能夠產(chǎn)生不同顏色的光,且顏色具有較高的色純度,如圖1所示. ZnCdS-ZnS和CdZnSe 2種組分的QDs分別顯示藍色和紅色的光; 對于同一組分CdSe/ZnS的QDs,其尺寸從3 nm增加到8.3 nm,顏色從綠色向紅色變化[2,16～18].

Fig.1 Luminescent material QDs[18] QDs with different chemical compositions show different color luminescences; and QDs with different sizes show different color luminescences. Copyright 2009,American Chemical Society.

鎘系QDs是各系列QDs中發(fā)展比較完善的,具有較高的QDs產(chǎn)率和穩(wěn)定性,如CdSe@ZnSe/ZnS,ZnCdS/ZnS,CdSe/CdS等[19,20]. 裸核結(jié)構(gòu)QDs表面活性大,易團聚,因此目前器件中常用的為核/殼結(jié)構(gòu)QDs[圖2(C)],其穩(wěn)定好,包覆層的存在不影響內(nèi)核發(fā)光. 為了避免使用有毒的鎘元素,研究者制備了無鎘系QDs,如CuInS/ZnS,InP/ZnSe/ZnS等[21]. 近年來,鈣鈦礦QDs如CsPbBr3和FAPbBr3等[22～24],由于其合成過程簡單,合成成本低,引起了廣泛關(guān)注并被應(yīng)用在LED器件中. 另外,還有地球含量最高的元素碳制備的碳量子點,如碳點(C-QDs)[25,26],近年來也受到關(guān)注并應(yīng)用于LED器件中. 本綜述主要關(guān)注鎘系QDs在QLED器件中的應(yīng)用進展.

Fig.2 QLED device,the QD layer is a light emitting layer[50] (A) QLED device structure; (B) QD films; (C) QD core-shell structure and surface ligand. Copyright 2019,WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,Weinheim.

QLED器件是多層結(jié)構(gòu),主要由兩端電極、傳輸層和發(fā)光層組成[圖2(A)]. 典型的QLED器件由電極導電玻璃ITO(Indium Tin Oxide)、空穴注入層PEDOT∶PSS、空穴傳輸層TFB、核心發(fā)光層QD薄膜及電子傳輸層ZnO和電極Al組成. 電子和空穴分別從QD層兩側(cè)注入到QD發(fā)光層,在電壓的激發(fā)下,復合輻射發(fā)光,產(chǎn)生光量子. 其中,QD薄膜作為器件的核心發(fā)光層[圖2(B)],通常由溶液法制備得到,QD薄膜的均勻性對器件性能非常重要. 目前,利用溶液法制備QD薄膜時,實現(xiàn)超平滑的QD圖案化薄膜以及大面積均勻的QD薄膜的制備仍面臨挑戰(zhàn).

2 常規(guī)制備QD薄膜的溶液法

對于QLED器件,均勻的QD薄膜及各層薄膜的均勻保證了器件結(jié)構(gòu)中每層材料之間的獨立性和相互性,有利于電荷在膜層之間的傳輸,從而提高整個器件的效率. 目前常用的制備QD圖案化薄膜的溶液法包括霧化沉積、轉(zhuǎn)印法、噴墨打印、纖維輔助法等.

2.1 旋涂法

Fig.3 Preparation of multilayer QD films by layer-to-layer spin coating[27]Copyright 2010,American Chemical Society.

旋涂法是目前各類薄膜制備的常用方法,簡單易操作,能夠滿足大部分材料一定面積的均勻成膜[27]. 在QLED器件的多層結(jié)構(gòu)薄膜制備中,從PEDOT∶PSS層到ZnO層均可通過旋涂法來實現(xiàn). 通過旋涂法可以制作厘米級尺寸的QD薄膜. 在旋涂的過程中采用靜態(tài)和動態(tài)的方式將液體涂覆或懸滴到基底上,利用旋涂機的高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力將薄膜鋪展到基底,可實現(xiàn)薄膜材料的層層組裝. 圖3示出了通過旋涂法制備全QD多層膜的過程,該方法通過將帶相反電荷的QD依次沉積到基板上來實現(xiàn)每層薄膜之間的靜電相互作用. 2014年,Jin等[28]通過旋涂法制備了紅色鎘系高效率發(fā)光QLED器件,單色器件外量子效率(EQE)達到20.5%. 2015年,Manders等[29]制備了綠色鎘系QLED器件,單色器件EQE達21%. 2017年,Liu等[30]利用旋涂法制備了藍色鎘系QLED器件,單色器件EQE為19%. 旋涂法在制備高性能QLED器件中展現(xiàn)了一定的優(yōu)勢,但旋涂法很難實現(xiàn)大面積均勻成膜,同時需要結(jié)合微加工模板才可實現(xiàn)紅綠藍(RGB,Red,Green,Blue)像素陣列的構(gòu)筑,過程中伴隨著大量QDs溶液(約90%)的浪費,極大增加了器件的制備成本.

2.2 噴墨打印法

噴墨打印法制備QD薄膜從一定程度上解決了旋涂法不能制備圖案化QD薄膜的問題. 如圖4(A1和A2),該方法利用機械噴嘴將液滴噴出,滴落到基底上,隨著溶劑的揮發(fā)液滴干燥形成薄膜,通過調(diào)節(jié)噴嘴噴墨的速度和溶劑的性質(zhì)控制“墨滴”滴落的位置和間距,再利用溶劑的蒸發(fā)干燥制備QD薄膜點陣列、條帶陣列及復雜的圖案,被認為是極有潛力的制備QD圖案化薄膜的方式. 從制備過程可以看出,液滴在揮發(fā)過程中無外力干擾,因此咖啡環(huán)現(xiàn)象是阻礙均勻成膜的因素,這也就導致了噴墨打印制備QD薄膜質(zhì)量不高的問題,使通過噴墨打印制備的QLED器件效率通常不高[31～33].

Fig.4 Preparation of patterned QD films by inkjet printing[13,31,32](A1),(A2) Inkjet printing schematics and related array patterns,Copyright 2016,Society for Information Display; (B1)—(B3) the green and red QLED arrays by inkjet printing,Copyright 2015,American Chemical Society; (C1)—(C3) QD array and single pattern 3D topography by inkjet printing,Copyright 2016,American Chemical Society.

如圖4(B1)～(B3)所示,通過控制噴嘴和溶液的成分精準控制QD圖案化薄膜的厚度和尺寸,可制備亞微米級高分辨率的QLED器件[32]. 通過對溶劑組分的調(diào)整,如圖4(C1)～(C3),將20%的環(huán)己基苯(Cyclohexylbenzene,CHB)混合到1,2-二氯苯(1,2-dichlorobenzene,o-DCB)中,抑制了咖啡環(huán)的形成,形成了均勻的點陣列和條帶陣列QD薄膜[13],其器件的電流效率(Current Efficiency,CE)峰值為4.5 cd/A. 2017年,Peng等[34]采用噴墨打印技術(shù)制備了像素密度為120 PPI(Pixels per inch)像素的2英寸對角全彩AM-QLED顯示器件,顯示器件的最大亮度為400 cd/m2,色域為109%. 噴墨打印在制備RGB像素陣列上有一定優(yōu)勢,但液滴的咖啡環(huán)現(xiàn)象依然是噴墨打印中成膜不均的關(guān)鍵因素,造成薄膜質(zhì)量不高,制備得到的器件效率偏低,從而制約著該印刷方式的發(fā)展. 目前,通過改變噴墨打印條件和溶劑的組成、改進儀器等方式可以在一定程度上抑制或減弱噴墨打印制備QD薄膜過程中咖啡環(huán)的出現(xiàn),但依然很難獲得超平滑的QD薄膜.

2.3 轉(zhuǎn)印法

轉(zhuǎn)印法制備QD薄膜是通過將溶液旋涂到基底上,再將特殊的轉(zhuǎn)移工具按壓到制備的QD薄膜上,利用壓力將QD薄膜轉(zhuǎn)移,然后再次壓印到目標基底上. 通過多次轉(zhuǎn)印可實現(xiàn)高分辨的QD圖案化薄膜. 如圖5(A)所示,Kim等[12]采用PDMS(Polydimethylsiloxane)復型的方式制備帶有溝槽的PDMS模板,將QD溶液旋涂到該基板上,在凹槽內(nèi)和凸起內(nèi)均涂覆QD薄膜,將該薄膜轉(zhuǎn)移到基底上,最終凸起表面的QD薄膜被轉(zhuǎn)印到基底上,而凹槽內(nèi)的則被留下,形成陣列結(jié)構(gòu)的QD圖案化薄膜. Kim等[35]通過轉(zhuǎn)印的方式制備了RGB三色像素陣列結(jié)構(gòu)QD圖案,實現(xiàn)了大面積全彩QLED屏幕的制備. Choi等[36]用凹版轉(zhuǎn)印技術(shù)制備出超薄的可穿戴QD發(fā)光二極管器件[圖5(B)],圖案的分辨率可達到2460 PPI. 利用這種方式可實現(xiàn)高分辨QD圖案化薄膜的制備,并可實現(xiàn)RGB像素陣列的大面積制備,缺點是制備過程繁雜,需要配合微加工工藝,且過程不易操控,轉(zhuǎn)移過程QD損失影響薄膜質(zhì)量,增加了QLED器件的制備成本.

Fig.5 Preparation of QD patterns by transfer printing[12,36] (A) Monochrome QDs film prepared by transfer printing,Copyright 2008,American Chemical Society; (B) high-resolution QD pattern by intaglio transfer printing,Copyright 2015,Nature Publishing Group.

2.4 其它薄膜制備方法

Fig.6 Preparation of QD films by other methods[15,37](A) Direct 3D printing of QLED; (B) QLED prepared by 3D printing,Copyright 2014,American Chemical Society; (C) preparation of QD films by mist deposition,Copyright 2008,American Institute of Physics.

3D打印是一種新型技術(shù),通過逐層打印的方式將不同類型的材料打印并完全集成到具有活動屬性的設(shè)備組件中. Kong等[37]通過充分整合不同功能的材料,包括半導體無機納米顆粒、彈性體基質(zhì)、有機電荷傳輸層、固體和液體金屬引線以及UV-黏合劑透明襯底層,制備了首個3D打印的具有純粹和可調(diào)諧色彩發(fā)射特性的QLED器件,如圖6(A,B). 霧化沉積是較早使用的薄膜沉積方法. Ruzyllo等[15]通過使用一組掩膜板配件和連續(xù)霧化沉積實現(xiàn)了多色的QD薄膜矩陣列的制備. 在制備過程中,以氮氣作為動力來源驅(qū)動液體輸運到霧化器中,在霧化器中液體經(jīng)過多次的撞擊而形成霧狀,霧化器入口處產(chǎn)生的霧氣流由氮氣流攜帶通過3個級聯(lián)腔室,QD彌散霧滴以高速掃過霧化器壁和質(zhì)量撞擊器之間的狹窄通道,最終沉積在提前準備好的基底表面[圖6(C)]. 這種霧化沉積的方式由于操作繁瑣,成膜質(zhì)量受霧化液體尺寸的影響,在QLED制備中并不常用.

3 纖維誘導的溶液可控轉(zhuǎn)移制備高質(zhì)量QD薄膜

纖維在自然界及人類的生活中普遍存在,如蜘蛛絲、蠶絲、動物毛發(fā)等自然纖維和人造纖維. 纖維對液體表現(xiàn)出優(yōu)異的動態(tài)浸潤行為,是可以操控液體的開放體系. Princen等[38～40]、Stone等[41]以及Li等[42]分別研究了單根和雙根纖維的浸潤性,提出纖維的半徑、液滴的體積和表面張力以及間距等均會影響液滴在纖維表面浸潤狀態(tài),并且液體在纖維上具有一定的驅(qū)動能力. 我們課題組[43～45]受毛筆可以可控、均勻、連續(xù)地輸運低黏度液體到基底形成圖案化表面的啟發(fā),系統(tǒng)研究了毛筆可控輸運液體的界面物理化學行為,揭示了其物理化學機制是新生毛發(fā)的多尺度非對稱的微觀結(jié)構(gòu)誘導的多重驅(qū)動力協(xié)同作用下液體的限域動態(tài)平衡,其中纖維的錐狀結(jié)構(gòu)和彈性形變是可控輸運液體的重要參數(shù). 我們發(fā)展了纖維誘導的液體可控輸運,實現(xiàn)了可控制備超平滑的量子點圖案化薄膜,為低成本構(gòu)筑高性能QLED提供了新思路.

3.1 纖維誘導的液體可控輸運制備超平滑圖案化QD薄膜

受毛筆可控輸運液體的啟發(fā),我們課題組[43,45,46]開發(fā)了兩根并列錐狀纖維的基本輸運單元,實現(xiàn)了微米尺度寬的納米薄膜的可控制備,其中線寬分辨率可達10 μm,且該方法可以有效克服咖啡環(huán)現(xiàn)象,適用于多種液體材料,如高分子、納米銀線等[47,48]. 如圖7(A)所示,通過調(diào)節(jié)纖維陣列的移動速度與基底的角度和溶液的濃度及揮發(fā)性等,可實現(xiàn)纖維對QDs溶液的可控輸運. 當纖維方向性移動時,液體在纖維上受到拉普拉斯力FL,黏滯阻力Fa以及重力G的協(xié)同作用,使液體在轉(zhuǎn)移過程中可以實現(xiàn)限域動態(tài)平衡,因此液體既能穩(wěn)定地儲存在纖維陣列中,同時又可以可控地轉(zhuǎn)移到基底,形成各種圖案化薄膜. 值得一提的是,纖維的錐狀結(jié)構(gòu)引起的拉普拉斯力差可以有效平衡由于溶劑的不對稱蒸發(fā)而引起的馬蘭格尼流(Marangoni flow),從而可以保持QDs納米粒子在溶液中的均勻分布,利于形成超平滑的QD薄膜,如圖7(B)所示. 原子力顯微鏡(AFM)表征表明該方法制備得到的QD薄膜的粗糙度約為1 nm,如圖7(C)所示. 在2 mm×2 mm的QLED器件發(fā)光面積上,綠色、紅色、藍色的器件電流效率(CE)峰值分別為72.38,26.03和4.26 cd/A,外部量子效率峰值(EQE)分別為17.40%,18.96%和6.20%,表現(xiàn)出良好的器件性能[49]. 圖7(D)～(F)示出了該方法所制備的紅綠藍QLED器件的電致發(fā)光.

Fig.7 Fibrous controllable liquid transfer for preparation of the ultrasmooth QD films[49](A) Schematic cartoons of the dynamic balance of QDs during the solution transfer process guided by the conical fibers; (B) Fluorescence microscope images of the as-prepared green QD film under UV irradiation; (C) the RMS(the root mean squared roughnesses) value of the QD film is about 1 nm; (D)—(F) electroluminescent images of the green,red,and blue QLED devices,respectively. Copyright 2018,American Chemical Society.

3.2 纖維誘導的液體定量可控輸運制備超平滑QD薄膜

為了進一步實現(xiàn)連續(xù)、定量的供液,我們課題組[50]提出了一種利用纖維液橋誘導的液體可控輸運的新方法. 通過使用兩端放置在平行毛細管中拉緊的纖維,實現(xiàn)了將QD溶液連續(xù)可控地轉(zhuǎn)移到基底,從而制備得到超平滑的QD薄膜. 如圖8(A)所示,將纖維的兩端放入毛細管內(nèi),沿著纖維的引導,在水平纖維和基底之間形成液橋,而同時QD溶液可以被大量穩(wěn)定地存儲在垂直放置的毛細管內(nèi). 以一定速度定向移動液橋可以直接在基底上制備得到超平滑的QD薄膜. 該方法的顯著優(yōu)點在于: 供液過程是可以定量的,實驗證明QD溶液的消耗量與制備得到的QD薄膜面積成正相關(guān),如圖8(C)和(D)所示. 通過溶液的多次轉(zhuǎn)移控制薄膜的厚度,在經(jīng)過溶液4次轉(zhuǎn)移之后QD薄膜厚度達到95 nm,也是器件中QD層薄膜的厚度. 通過此方法制備的QLED器件表現(xiàn)優(yōu)越的性能. 由紅色、綠色和藍色QD薄膜制備的QLED器件的最大亮度分別為50200,326500,10960 cd/m2. 最大電流效率(CE)分別為11.656,80.890,2.465 cd/A,最大外量子效率(EQE)分別為8.493%,17.991%,3.699%. 通過多次印刷,可以將紅色、綠色和藍色QD溶液依次轉(zhuǎn)移到同一目標區(qū)域上,從而制備白色QLED器件,器件最大亮度為57190 cd/m2,最大電流效率為15.868 cd/A,如圖8(B)所示. 同時制備了較大面積的綠色QD薄膜,面積約為1.3 cm× 2 cm,其QLED器件EQE為11.56%. 這種纖維輔助的溶液輸運方式為定量制備大面積平滑的QD薄膜提供了新的思路.

Fig.8 Preparation of QD films guided by the fibrous liquid bridge[50](A) Schematic illustration of the liquid transfer process guided by the fibrous liquid bridge; (B) the as-prepared white QLED operated at 4 V and the corresponding normalized electroluminescence spectrum; (C) the printing area(cm2) and liquid consumption volume(μL) shows a quasi-linear correlation; (D) as-prepared green QD films with areas of 2,4,6,8,10,and 12 cm2,showing a rather fair homogeneous distribution and well-defined profiles. Copyright 2019,WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,Weinheim.

Fig.9 Schematic diagram of QLED device

4 QD薄膜對QLED器件的影響

4.1 薄膜制備對器件結(jié)構(gòu)中載流子平衡作用

有效的電荷注入是制備高性能QLED器件的關(guān)鍵. 高質(zhì)量薄膜材料的層層堆積及相鄰膜層之間沒有混合和交連對于高性能的QLED器件是非常重要的. QDs尺寸較小,納米粒子表面的相互作用使在溶液法制備薄膜的過程中很容易發(fā)生團聚,造成薄膜的不均勻. 通常較好的QD薄膜,通過原子力顯微鏡測定其薄膜表面粗糙度一般在2～3 nm 以下,薄膜表面無明顯針孔,載流子能夠高效傳輸?shù)桨l(fā)光層. Jin等[28]研究發(fā)現(xiàn),平衡載流子的注入對于實現(xiàn)高效的器件非常重要. 如圖9所示,通過在QD層上增加絕緣層聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)來阻礙部分電子的注入,使QD薄膜兩端的空穴和電子達到平衡,可提高器件的EQE效率到20.5%[48]. 通過控制QD薄膜中電致發(fā)光復合區(qū)與QD-ZnO界面的距離,制備得到的紅色QLED器件的EQE達到18%[51].

Fig.10 Advances in device efficiency EQE in recent years[49] EQE peak change of QLED devices from 2012 to 2018. Copyright 2018,American Chemical Society.

4.2 器件效率

EQE是常用的QLED性能表征參數(shù). 近5年來,溶液法組裝制備的QLED器件的EQE性能從最初的10%以下上升到目前的20%以上,如圖10所示. 截止2018年,單色QLED器件中,紅色QLED的EQE最高為20.5%(點1),綠色QLED器件的EQE最高為21%(點2)[29,49]. 2019年,Shen等[52]報道了單色EQE分別已經(jīng)達到21.6%(紅色),22.9%(綠色)和8.05%(藍色),同時實現(xiàn)了器件的高亮度,解決了QLED高效同時兼具高亮顯示和照明的發(fā)展瓶頸.

5 總結(jié)與展望

本文綜述了近年來溶液法制備QD薄膜的研究進展、QD材料的性質(zhì)及在QLED器件中的應(yīng)用. 由于核心發(fā)光層QD材料的特殊性,使器件在色彩飽和度和分辨率上展現(xiàn)優(yōu)勢,而QLED器件也相比傳統(tǒng)的液晶顯示(Liquid Crystal Display,LCD)器件在結(jié)構(gòu)和性能上都有較大提升. QLED器件以其優(yōu)異的性能而在照明和顯示屏幕領(lǐng)域顯示出巨大應(yīng)用前景,已成為發(fā)光器件中的研究熱點,受到許多研究者的關(guān)注. 但通過簡單高效的量子點薄膜的制備方式來實現(xiàn)像素點內(nèi)的均勻成膜以及大面積薄膜的制備仍是QLED器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn). 利用好QDs溶液本身的物理化學性質(zhì),實現(xiàn)可控、連續(xù)、均勻成膜是實現(xiàn)QLED器件高性能的關(guān)鍵,其中涉及到許多流體的界面物理化學行為,包括浸潤、去浸潤、組裝、取向等,需要不斷地改進和優(yōu)化薄膜制備方式來實現(xiàn)目標薄膜的制備.