楊風(fēng)(云南省生態(tài)環(huán)境工程評估中心,云南 昆明 650032)
隨著當(dāng)今社會工業(yè)的發(fā)展,處理水污染問題成為一項新的挑戰(zhàn)。不同于傳統(tǒng)的污水處理方法,半導(dǎo)體光催化劑因為其綠色、簡便的合成方法,所需能源為易得的太陽能,較好的穩(wěn)定性和再生性成為了一種新的處理水污染問題的方法。ZnS因具有獨特的光電性質(zhì)、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性以及耐光腐蝕性,因而在光催化降解污廢水方面有著廣闊的發(fā)展前景。文章簡要綜述了ZnS及其改性材料在光催化性能方面的研究。
ZnS是一種直接帶隙的半導(dǎo)體材料,具有六方閃鋅礦(β-ZnS)和立方纖鋅礦(α-ZnS)兩種晶體結(jié)構(gòu)。其中閃鋅礦能在室溫下穩(wěn)定存在,帶隙寬度為3.54eV。纖鋅礦結(jié)構(gòu)為ZnS的高溫相,可通過閃鋅礦結(jié)構(gòu)在高溫下轉(zhuǎn)變得到(該相變溫度會隨著ZnS的納米化而減小),其帶隙寬度為3.71eV[1]。
化學(xué)浴沉積法合成ZnS納米材料是通過將絡(luò)合劑(如氨水、檸檬酸鈉、酒石酸等)溶于水,然后加入鋅鹽,充分?jǐn)嚢桎\離子與絡(luò)合劑絡(luò)合,然后與硫源(如硫代硫酸鈉、硫化鈉、硫脲等)混合,硫源會在一定pH和溫度下分解產(chǎn)生硫離子,與鋅離子發(fā)生沉淀反應(yīng)得到ZnS?;瘜W(xué)浴沉積法的反應(yīng)條件容易控制且成本低廉,是一種適合大規(guī)模制備的方法。田勇[2]使用硫酸鋅、硫脲為原料,以氨水為絡(luò)合劑制備了ZnS多孔納米球,所合成納米球為立方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。
化學(xué)氣相沉積法將氣態(tài)反應(yīng)物在通入反應(yīng)室中進(jìn)行反應(yīng),生成物通過冷凝沉積落在基底上分離得到固體納米材料。化學(xué)氣相沉積法可以通過控制反應(yīng)氣壓、氣體流速等因素來間接控制納米微粒的成核生長過程,因而在制備納米半導(dǎo)體材料中得到廣泛應(yīng)用。謝云龍等[3]利用石墨烯還原,通過化學(xué)氣相沉積法制備出具有閃鋅礦和纖鋅礦兩種晶體結(jié)構(gòu)的硫化鋅納米線。
水-溶劑熱合成法是以水溶液或有機溶劑為反應(yīng)體系,在高溫高壓下使得那些難溶于水的物質(zhì)通過溶解或反應(yīng)生成該物質(zhì)的溶解產(chǎn)物,并使其達(dá)到一定的過飽和度而進(jìn)行結(jié)晶的方法。常鵬等[4]利用水熱反應(yīng)制備出纖鋅礦結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)一維納米線。近年來,在水熱合成法基礎(chǔ)上疊加微波的方法衍生出微波水熱法,與水熱法相比,微波具有較強的穿透能力,可以實現(xiàn)分子水平上的攪拌,同時能使物體表面和中心能夠同時被加熱,受熱均勻,升溫速率快,大大縮短了反應(yīng)時間。殷立雄等[5]采用微波水熱法制備了納米ZnS,同時考察了微波水熱的溫度對納米ZnS尺度和微觀形貌的影響,結(jié)果表明溫度為170℃可獲得分散性較好的納米ZnS粒子 。
溶膠-凝膠法是以Zn鹽和硫源為前驅(qū)體,加入絡(luò)合劑、表面活性劑等添加劑,在液相下將這些原料均勻混合,形成穩(wěn)定的透明溶膠體系,溶膠經(jīng)陳化膠粒間緩慢聚合,形成三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的凝膠,再經(jīng)過干燥、燒結(jié)固化得到產(chǎn)物 ZnS納米材料。溶膠-凝膠法具有良好的化學(xué)均勻性,操作簡單,對設(shè)備要求低,并且可以通過添加劑的選擇調(diào)控產(chǎn)物形貌[6]。
ZnS半導(dǎo)體材料光催化機理主要是在光照條件下,當(dāng)光子能量大于ZnS的帶隙能時,其處于價帶上的電子會吸收來自光照的能量,從而躍遷到空的導(dǎo)帶上去,因而在價帶上形成了帶正電的空穴,其具有氧化性,從而可以氧化降解有機污染物。其中電子與空穴會移動到材料的表面,該過程中帶正電的空穴會與水溶液中的氫氧根發(fā)生反應(yīng),生成羥基自由基,帶負(fù)電的電子會與水溶液中的氧氣發(fā)生反應(yīng),形成超氧負(fù)離子。通過這些反應(yīng)形成的羥基自由基與超氧負(fù)離子都具有強氧化性,也可降解有機污染物[7]。
納米粒子的微觀結(jié)構(gòu)、尺寸直接決定其表面積和活性位點,對光催化性能有很大的影響,因此對硫化鋅的微觀形貌進(jìn)行調(diào)控是改善其光催化性能最直接有效的手段。一般的調(diào)控其形貌的手段是通過改變其制備實驗過程中的反應(yīng)條件,如反應(yīng)時間、溫度、pH、氣壓及流速(氣相法)等[8-9]。反應(yīng)物的成分、含量的不同也會對形貌產(chǎn)生影響。滕偉秀[10]選用九水硫化鈉和硫脲兩種不同的硫源采用水熱法制備硫化鈉,通過XRD、TEM和 SEM 的表征說明了以硫脲為硫源的硫化鋅結(jié)晶性能較好且尺寸均勻,并通過降解亞甲基藍(lán)對其光催化性能進(jìn)行表征,確定了最佳的水熱反應(yīng)時間為8h。模板法也是常用的調(diào)控納米材料微觀形貌的手段之一,即采用具有納米結(jié)構(gòu)、形狀可控的物質(zhì)作為模板,將納米材料沉積到模板的孔中或表面而后移去模板,從而納米材料獲得與模板具有相同形貌及尺寸的過程。劉婷婷[11]以端氨基超支化聚酰胺(AEHPA)為模板,使用醋酸鋅和雙硫腙水熱法制備了ZnS微球,并通過紫外光照射下催化降解羅丹明B證明其具有良好的光催化性能。除此之外,還可以通過添加表面活性劑對納米材料的形貌進(jìn)行調(diào)控。韓君竹[12]對MoS2/ZnS復(fù)合材料添加了不同類型的表面活性劑(CTAB、SDBS、PVP),發(fā)現(xiàn)三種表面活性劑對材料的團聚性和形貌都有不同程度的影響,其中加入PVP的材料更加不易團聚,且形貌、尺寸更均勻。
根據(jù)上述提到的光催化的機理,我們可以得出提高光催化效率的方法,其一為降低禁帶寬度,使得處于價帶上的電子在較低能量的光照下就發(fā)生躍遷。其二為加快電子和空穴移動到表面的速度,使得更容易形成新的空穴,加快了空穴和電子產(chǎn)生的速率[13]。為了提升光催化劑對可見光的利用率,促進(jìn)電子和空穴的分離,研究人員進(jìn)行了大量工作,開發(fā)完善了許多方法,例如:貴金屬沉積、離子摻雜、半導(dǎo)體復(fù)合等。
3.3.1 貴金屬沉積
貴金屬沉積指在半導(dǎo)體材料表面生長貴金屬,可通過共沉淀法、溶膠—凝膠法等方法實現(xiàn)。當(dāng)具有不同費米能級的貴金屬沉積到半導(dǎo)體材料表面時,電子由費米能級高的半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移到貴金屬表面,抑制了光生電子與空穴的復(fù)合,使得光催化效率提升[14]。
3.3.2 離子摻雜
在半導(dǎo)體材料中引入其他元素會使其帶隙中增加雜質(zhì)能級,使其禁帶寬度變小,并且離子可以捕獲電子,在一定程度上降低電子與空穴的復(fù)合幾率,從而大大提升催化性能。滕偉秀[1]使用Ni2+、Co2+、Mn2+離子分別對ZnS進(jìn)行摻雜,通過UV-vis表征得出被摻雜后的樣品其禁帶寬度均有不同程度的降低,并且禁帶寬度隨著摻雜的離子的含量增加而減小。而后通過光催化降解亞甲基藍(lán),說明了其摻雜離子后的樣品光催化性能遠(yuǎn)高于純ZnS,其中摻雜了Co2+的樣品光催化性能最好。
3.3.3 半導(dǎo)體復(fù)合
半導(dǎo)體復(fù)合是指將兩種及以上的半導(dǎo)體結(jié)合在一起,當(dāng)兩種禁帶寬度不同的半導(dǎo)體相結(jié)合時會形成名為異質(zhì)結(jié)的新構(gòu)型,使得光生電子能夠在不同的半導(dǎo)體之間躍遷,從而使光生電子和空穴位于不同的半導(dǎo)體上,有效抑制了電子和空穴的復(fù)合。艾尼娃·木尼熱等[15]使用水熱法制備了 ZnS-紅磷(ZnS-HRP)復(fù)合材料,并通過光催化降減RhB和Cr(VI)考察其光催化活性,40min 對RhB和Cr(VI)光降解率分別是99.2%和99.7%。
近年來,針對ZnS存在的問題,研究人員進(jìn)行了大量的研究工作,通過對硫化鋅基光催化材料的改性,大大提升了其光催化性能。但距離其實際的應(yīng)用,仍然有許多問題有待解決,需要深入研究催化反應(yīng)機理,設(shè)計簡單、廉價的合成方法,使催化劑能更好地應(yīng)用于污廢水處理中。