謝 飛,林茂松,朱玉玉,2
(1.西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院,綿陽 621010;2.電子科技大學(xué) 自動(dòng)化工程學(xué)院,成都 610054)
紅外熱成像無損檢測(NDT)因具有快速,無接觸,非交互,能夠在大的檢測區(qū)域上進(jìn)行實(shí)時(shí)測量而廣泛的應(yīng)用于航天,航空,機(jī)械,醫(yī)療,石化,電力等領(lǐng)域。以前的研究主要集中在光學(xué)熱成像無損檢測的原理,各種應(yīng)用和信號(hào)處理算法[1~3]。然而,很少引入激勵(lì)源的設(shè)計(jì)。由于寬頻率范圍(通常為0.01Hz至幾百kHz)和高功率(通常為幾百W至幾kW)的要求,設(shè)計(jì)和開發(fā)用于熱成像的激勵(lì)源是非常具有挑戰(zhàn)性的。常用的方法是使用高壓線性放大器,但缺點(diǎn)是它受增益帶寬積(GBP)的限制,可能導(dǎo)致效率低下[4]。近年來,數(shù)字控制電源轉(zhuǎn)換器已被證明能夠提供高效的電能管理能力,廣泛應(yīng)用于工業(yè),電力牽引系統(tǒng),可再生能源系統(tǒng),分布式發(fā)電和汽車領(lǐng)域[5]。因此,本文提出了一種在數(shù)字控制策略下具有高性能的激勵(lì)源的結(jié)構(gòu)拓?fù)洹Q兄屏艘慌_(tái)最大輸出功率為2.0kW,頻帶范圍為0.01Hz~100kHz,用于驅(qū)動(dòng)鹵素?zé)舻臉訖C(jī)。
在熱成像無損檢測技術(shù)中,不同激勵(lì)方式?jīng)Q定了不同實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)采集方式。在光學(xué)熱成像技術(shù)中,被檢測試件受到光學(xué)熱源(如閃光燈或鹵素?zé)簦┑募?lì),試件表面被加熱,產(chǎn)生的熱波向試件內(nèi)部傳遞,若試件中存在缺陷則熱波的傳遞受阻,最終導(dǎo)致零件表面溫度分布不均,這種溫度變化由紅外熱像儀記錄,得到時(shí)序熱像圖,提取并分析熱像圖中信息從而獲得缺陷的特征信息[6]。同步觸發(fā)器從PC接收“啟動(dòng)”命令,然后觸發(fā)紅外攝像機(jī)和激勵(lì)源同步工作。其實(shí)驗(yàn)示意圖如圖1所示。
圖1 光學(xué)熱成像實(shí)驗(yàn)示意圖
在鎖相熱成像中,預(yù)設(shè)電流是幅度調(diào)制電流,其通過將低頻正弦信號(hào)與高頻信號(hào)組合形成,該高頻信號(hào)可如下表示:
式(1)中Im是電流的最大值,flock和fcarr分別表示鎖相頻率和載波頻率。圖2是鎖相模式下激勵(lì)源電流示意圖。
根據(jù)熱波理論,缺陷的探測深度取決于熱擴(kuò)散的長度,可以表示為:
圖2 鎖相模式下激勵(lì)源電流示意圖
其中α為熱擴(kuò)散系數(shù)(m2?s),flock為鎖相頻率,k為材料的導(dǎo)熱率(W?mK),ρ為材料密度(kg?m3),cp為比熱容(J?(kg.K))。對(duì)于特定材料,μth的值由鎖相頻率確定。樣品被周期性加熱,樣品表面上的溫度也周期性地變化。由于頻率的變化幾乎等于鎖相頻率,可以通過傅里葉分析來抑制諸如非均勻加熱,環(huán)境反射和表面發(fā)射率變化之類的干擾[7]。對(duì)于具有不同結(jié)構(gòu)和特性的特定樣品,激勵(lì)源的鎖相頻率應(yīng)手動(dòng)設(shè)置。鎖相頻率的范圍通常在0.01Hz至幾十kHz之間調(diào)節(jié),載波頻率范圍是幾十到幾百Hz[8]。
整個(gè)激勵(lì)源系統(tǒng)主要由FPGA系統(tǒng)、半橋電路、全橋電路、多級(jí)驅(qū)動(dòng)電路、輔助電源電路、觸摸式液晶屏及鹵素?zé)舻葮?gòu)成。其主電路拓?fù)鋱D如圖3所示,Vin采用一電壓輸出能力可達(dá)250VDC、電流輸出能力達(dá)直流10A的桌面電源;半橋電路部分包含輸入電容Cin1、兩大功率MOSFET以及濾波電感Lf、濾波電容Cf;全橋電路部分由輸入電容Cin2、四MOSFET組成;輔助電源電路為系統(tǒng)提供+5V與+12V的輔助電壓;觸摸式液晶屏控制FPGA產(chǎn)生信號(hào)經(jīng)多級(jí)驅(qū)動(dòng)電路放大后用以驅(qū)動(dòng)Q1~Q6,鹵素?zé)舸釉赩out兩端。
圖3 激勵(lì)源主電路拓?fù)鋱D
該電路包括一個(gè)半橋電路和一個(gè)LC低通濾波器,如圖4所示,可以看作是降壓電路。當(dāng)Q1導(dǎo)通且Q2關(guān)斷時(shí),Vin對(duì)電感器Lf充電。并提供給負(fù)載,Vo1=Vin。當(dāng)Q1關(guān)閉且Q2導(dǎo)通時(shí),Lf放電和環(huán)路電流通過Q2體二極管續(xù)流,Vo1=0V。在穩(wěn)定狀態(tài)下,Vo1的平均電壓由下式給出:
圖4 正弦生成電路
其中ton是Q1的導(dǎo)通時(shí)間,toff是Q1的關(guān)斷時(shí)間。T是開關(guān)周期,α是占空比。在該設(shè)計(jì)中,根據(jù)正弦模式,開關(guān)頻率1/T設(shè)置為100kHz,占空比α從10%變化到90%。根據(jù)正弦模式,該電路可以工作在連續(xù)電流模式(CCM)和不連續(xù)電流模式(DCM)。為了獲得更小的紋波電壓,它應(yīng)該在CCM中工作,同時(shí)需要選擇合適的電感器Lf。假設(shè)IL是電感電流的平均值,?iL是電感電流的紋波值,IL和?iL可表示為:
其中α=Uo/Vin,L是濾波器電感器Lf的值。結(jié)合式(4)和式(5)應(yīng)滿足如下關(guān)系式:
為了滿足式(6)并考慮一個(gè)阻值R≈50的鹵素?zé)簦_關(guān)周期T=10μs且占空比的最小值為10%,電感器的最小值為225μH。
圖5顯示了使用FPGA芯片的SPWM和PWM信號(hào)生成邏輯框圖?;谧匀徊蓸臃椒╗9,10],可以通過比較預(yù)先設(shè)置的正弦和三角信號(hào)的離散值來生成SPWM信號(hào)。通過使用DDS模塊生成正弦信號(hào),該DDS模塊由頻率調(diào)諧字(M)寄存器,相位累加器和正弦查找表(Sin-LUT)組成。
圖5 SPWM和PWM信號(hào)生成邏輯的框圖
頻率調(diào)整器(M)在時(shí)鐘(Fref)控制下被添加到相位累加器,然后相位累加器的值被用作偏移地址以查找Sin-LUT以獲得正弦的幅度值正弦頻率等于相位累加器的溢出頻率。
其中N=33是相位累加器的位,fref=1kHz,頻率分辨率為1.16415×10-7Hz,時(shí)鐘Fclk=100MHz被除法器分頻以產(chǎn)生PWM信號(hào)。
所提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在實(shí)驗(yàn)樣機(jī)上得到驗(yàn)證。樣機(jī)圖和參數(shù)分別如圖6和表1所示。本節(jié)介紹從樣機(jī)中獲得的各種實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
表1 系統(tǒng)的參數(shù)和型號(hào)
圖6 樣機(jī)圖
在輸入電壓等于250VDC和25Ω的電阻負(fù)載的條件下測試激勵(lì)源。鎖定頻率在不同的預(yù)設(shè)頻率下測量,該頻率在0.01Hz~10Hz之間變化,如表2所示??梢钥闯觯畲笳`差控制在0.2%以內(nèi)。
表2 鎖相頻率的測量
鎖相熱成像模式下的輸出波形通過傅立葉變換處理,結(jié)果如圖7所示??梢钥闯?,輸出不僅包括基波分量,還包括諧波分量和直流分量。根據(jù)式(8),平均輸出功率約為535W,而基波分量的功率達(dá)到總輸出功率的90.5%。
圖7 時(shí)域和頻域中的波形
為了驗(yàn)證所提出的激勵(lì)源的有效性,已經(jīng)進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn),其中鉛-鋼樣品通過工業(yè)EP粘合劑粘合。這種結(jié)構(gòu)樣品經(jīng)常用于核工業(yè),需要檢測該樣品的內(nèi)部缺陷。使用具有不同直徑的若干人造缺陷來模擬脫粘缺陷,如圖8(a)所示??梢钥闯霎?dāng)flock(鎖定)被選擇為0.05Hz時(shí),已經(jīng)很好地檢測到缺陷。圖8(b)和圖8(c)分別示出了時(shí)域中的幅度圖像和Sp1點(diǎn)的溫度演變圖。
圖8 測試樣品和測試結(jié)果
設(shè)計(jì)了一種用于熱成像無損檢測的功能激勵(lì)源,可以滿足光學(xué)熱成像的激勵(lì)要求。已經(jīng)研究了所提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),工作原理和電路的設(shè)計(jì)過程。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了頻率范圍為0.01Hz~100kHz的2kW樣機(jī)。已經(jīng)驗(yàn)證了激勵(lì)源的性能指標(biāo),例如頻率精度,鎖相熱成像模式中的諧波能量含量。此外,采用所提出的方法和樣機(jī)對(duì)具有粘結(jié)結(jié)構(gòu)的鉛-鋼樣品的內(nèi)部缺陷進(jìn)行了檢測,檢測結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的激勵(lì)源安全可靠。