文/吳孟璇

硅制造領(lǐng)域的進步提供了設(shè)計大型復(fù)雜系統(tǒng)的能力，功率已經(jīng)成為芯片設(shè)計中的一個重要參數(shù)。特別是芯片在移動設(shè)備中的廣泛應(yīng)用，功耗挑戰(zhàn)日益突出，已成為制約芯片發(fā)展的關(guān)鍵問題。硅芯片技術(shù)一直迅速發(fā)展，據(jù)預(yù)測這種趨勢至少可以持續(xù)到2026年，器件的尺寸將減小到6nm，因此，硅芯片有很好的發(fā)展前景，將成為微電子技術(shù)的主流發(fā)展。隨著硅芯片技術(shù)進入納米級，芯片設(shè)計時，該領(lǐng)域不再是單一客觀考慮功耗所帶來的挑戰(zhàn)，芯片開發(fā)已成為一個的核心問題。一方面使用大多數(shù)便攜式電池供電設(shè)備，芯片的功耗決定了設(shè)備的時間，另一方面，系統(tǒng)芯片技術(shù)已經(jīng)開發(fā)出來，所有組件都集成到單個芯片中，但是由于一些處理單元的功率傳遞熱量，導(dǎo)致芯片溫度升高，硅片故障，降低可靠性。功耗限制已成為微電子技術(shù)發(fā)展的主要制約因素。

1 功耗分析和系統(tǒng)級優(yōu)化

理想靜態(tài)功耗電路為零，但實際上靜態(tài)功耗不是零，這是由于晶體管中存在關(guān)態(tài)漏電流。芯片的總功耗還涉及很多因素，如：工作頻率，電源電壓，轉(zhuǎn)換因子等，低功耗設(shè)計應(yīng)該從上述因素入手，在芯片的設(shè)計中使用不同的策略消除或減少上述因素對功耗的影響，實現(xiàn)更好的低功耗效果。

系統(tǒng)級優(yōu)化的基本思想是用最少元素或元素最小工作量來完成低能耗狀態(tài)任務(wù)，從而達到降低系統(tǒng)能耗的目的。

2 算法和結(jié)構(gòu)級優(yōu)化

算法級和結(jié)構(gòu)級通過選擇合適的算法降低跳躍率，主要來自系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和編碼電路。并行結(jié)構(gòu)是將數(shù)據(jù)路徑分解為完成兩個通道的工作，因此每條數(shù)據(jù)路徑的頻率是原來的一半，時間延遲為數(shù)據(jù)路徑加倍。電路線是采用插入寄存器的方法來減小組合路徑的長度，以提高電路的速度。數(shù)字系統(tǒng)中總線的基本特性是負(fù)載較大且線路較長，因此總線通常有較大的電容器，電容參數(shù)幾乎不可能改變。那么它是降低總線總線功耗的唯一方法，并且在完成相同功能的前提下降低總線上總線的有效頻率，唯一的辦法就是改變傳輸數(shù)據(jù)的編碼在公交車上。公共總線編碼形式有：二進制碼，格雷碼，總線反碼和二進制補碼。數(shù)據(jù)總線是隨機的，地址總線的地址向量較大，它們具有傳輸?shù)奶匦?，因此不同總線的算法不同。

3 器件結(jié)構(gòu)分析

超低氧芯片實現(xiàn)應(yīng)從多種器件結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計努力，傳統(tǒng)的MOSFET器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化機制主要通過材料、器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)等方面來降低器件的漏電流，或者在不改變器件特性的情況下確保漏電流改善，降低消耗比例。薄柵極氧化層厚度會使柵極隧道漏電流增大，從而增加功耗，使用金屬柵極技術(shù)在一定程度上增加了柵極的物理厚度，降低了漏電流。采用高遷移率的溝道材料可以有效地改善器件特性。另一方面，另一項研究指出超低功耗器件結(jié)構(gòu)是利用超低電壓閾值器件，如：懸門柵場效應(yīng)晶體管，利用超陡子閾值這一特性，在芯片的超低功耗具有非常廣闊的應(yīng)用前景。

4 低功耗芯片設(shè)計

由于漏電流增大，靜態(tài)功耗已成為一個不容忽視的重要部分，靜態(tài)功耗降低電路是為了降低漏電流，這是主要的亞閾值漏電流，為了得到較低的器件功耗，閾值電壓應(yīng)盡可能的大，但從電路運行速度的角度來看，希望閾值盡可能低。為了有效地解決功率和速度之間的矛盾，多閾值技術(shù)已經(jīng)逐漸被廣泛使用。

減小芯片的特征尺寸，降低電路電源電壓，以有效保證器件和電路的速度，降低電源電壓同時降低閾值電壓，但會導(dǎo)致漏電流減小而噪音幅度會受到影響?；逭{(diào)制技術(shù)和動態(tài)閾值器件確保器件工作在較低的閾值電壓，關(guān)斷閾值電壓很高，從而有效地解決了這種功率和速度，超低電壓工作電路具有良好的兼容性，在很多電路中都被應(yīng)用。

超低工作電壓技術(shù)對降低功耗有一定的好處，如何獲得電流驅(qū)動能力來確保設(shè)計在低電源電壓情況下是個面臨的問題。自舉電路是在超低電壓增加電路速度的技術(shù)，此已被廣泛使用。電路工作時，從電源獲取能量，正常情況下這些能量只能使用一次，先前分析的動態(tài)閾值和超陡閾值等都是降低單個能量消耗的。為了充分利用能量獲取功率，需要采取措施引入循環(huán)，即能量回收技術(shù)。利用能量回收技術(shù)，電路采用交流電壓的時鐘來控制整個工作流程，交流電壓對節(jié)點電容進行儲能，從而實現(xiàn)能量回收，降低功耗。

5 結(jié)論

綜上所述，功耗芯片技術(shù)已經(jīng)納入納米尺度，功率增長已逐漸成為制約芯片發(fā)展的主要問題。低功耗芯片的實現(xiàn)是一個系統(tǒng)工程，需要考慮優(yōu)化器件，考慮系統(tǒng)和電路在功率和性能過程之間的平衡。本文對功耗分析和系統(tǒng)級優(yōu)化、算法和結(jié)構(gòu)級優(yōu)化、器件結(jié)構(gòu)分析、低功耗芯片設(shè)計等方面進行了研究。