2018年6月5日，中國(guó)電科二所為我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶體材料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破，這兩項(xiàng)“批量生產(chǎn)”技術(shù)水平都達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。2018年年初，該所突破了SiC單晶的低應(yīng)力控制技術(shù)、本征深能級(jí)點(diǎn)缺陷控制技術(shù)等系列關(guān)鍵技術(shù)，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底材料的工程化和6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底的研發(fā)，經(jīng)驗(yàn)證與美國(guó)Cree襯底水平相當(dāng)，一舉突破國(guó)外對(duì)我國(guó)高純半絕緣碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)的長(zhǎng)期封鎖。當(dāng)時(shí)，中國(guó)電科二所已自制SiC單晶生長(zhǎng)爐100臺(tái);計(jì)劃全年生產(chǎn)4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底4000～5000片，已與客戶簽訂4000片供貨合同。