Vishay推出體積最小的應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)艙的汽車級(jí)IHLP電感
Vishay宣布,推出迄今體積最小的汽車級(jí)IHLP超薄、大電流電感-IHLP-1212Ax系列之IHLP-1212AZ-A1和IHLP-1212AB-A1。Vishay Dale IHLP-1212AZ-A1和IHLP-1212AB-A1電感器采用3.3mm×3.3mm1212外形尺寸,節(jié)省下一代高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和傳感器應(yīng)用空間,工作溫度+125℃,高度極低僅為1.0mm,IHLP-1212AB-5A工作溫度達(dá)+155℃,高度為12mm。
日前發(fā)布的器件符合AEC-Q200*準(zhǔn),用于DC/DC轉(zhuǎn)換器儲(chǔ)能時(shí)頻率可達(dá)5MHz,同時(shí),電感器在自諧振頻率范圍內(nèi)的大電流濾波應(yīng)用中具有出色的噪音衰減性能。電感器可在高溫下工作,適用于濾波和DC/DC轉(zhuǎn)換,應(yīng)用包括ADAS、傳感器、車載娛樂/導(dǎo)航系統(tǒng),以及中等強(qiáng)度電流濾波應(yīng)用的噪聲抑制。
IHLP-1212AZ-A1、IHLP-1212AB-A1和IHLP-1212AB-5A引腳封裝采用100%無鉛(Ph)屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu),蜂鳴噪聲降至超低水平,對(duì)熱沖擊、潮濕、機(jī)械振動(dòng)有很強(qiáng)的抵御能力,可無飽和處理高瞬態(tài)電流尖峰。電感器符合RoHSfnVishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
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Microchip推出數(shù)據(jù)中心計(jì)算的串行存儲(chǔ)器控制器
Microchip宣布進(jìn)入存儲(chǔ)器基礎(chǔ)設(shè)施市場,推出業(yè)內(nèi)首款商用串行存儲(chǔ)器控制器,擴(kuò)展其數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品組合。SMC10008×25G使CPU和其他以計(jì)算為中心的SoC能夠在相同封裝尺寸內(nèi)使用并行連接DDR4 DRAM的四倍存儲(chǔ)器通道。Microchip的串行存儲(chǔ)器控制器不僅能為計(jì)算密集型平臺(tái)提供更高的存儲(chǔ)器帶寬和介質(zhì)獨(dú)立性,同時(shí)還具備超低時(shí)延的特性。
SMC10008×25G通過符合8位開放式存儲(chǔ)器接口(OMI)的25 Gbps道與CPU連接,通過72位DDR4 3200接口與存儲(chǔ)器連接,從而大幅減少每個(gè)DDR4存儲(chǔ)器通道所需的主機(jī)CPU,SoC引腳數(shù)量,允許更多的存儲(chǔ)器通道并增加可用的存儲(chǔ)器帶寬。
支持OMI的CPU或SoC可以使用具有不同成本、功耗和性能指標(biāo)的大量介質(zhì)類型,而無需為每種類型集成單獨(dú)的存儲(chǔ)器控制器。相比之卜,目前的CPU和SoC存儲(chǔ)器接口通常以特定的接口速率鎖定在特定的DDR接口協(xié)議,例如DDR4。SMC 10008×25G是Microchip產(chǎn)品系列中第一款支持介質(zhì)獨(dú)立的OMl接口的存儲(chǔ)器基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品。
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序工作負(fù)載需要基于OMI的DDIMM存儲(chǔ)器產(chǎn)品,以提供與當(dāng)今基于并行DDR的存儲(chǔ)器產(chǎn)品相同的高性能帶寬和低時(shí)延效果。Microchip的SMC 10008×25G采用創(chuàng)新的低時(shí)延設(shè)計(jì),與傳統(tǒng)的基于LRDIMM的集成式DDR控制器相比,其時(shí)延增量不到4ns,這表明基于OMI的DDIMM產(chǎn)品的帶寬和時(shí)延性能與類似的LRDIMM產(chǎn)品幾乎相同。
網(wǎng)址,www.microchip.com/smartmemory
Semtech發(fā)布面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的LoRa智能家居器件
Semtech公司宣布推出全新的LoRa智能家居器件(LLCC68d),從而將LoRa的市場應(yīng)用范圍從行業(yè)類低功耗廣域網(wǎng)(LPWAN)擴(kuò)展到智能家居、社區(qū)和消費(fèi)者應(yīng)用。該收發(fā)器可為室內(nèi)和鄰近區(qū)域的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備提供低功耗和廣泛的覆蓋,以連接用于安全防護(hù)、環(huán)境監(jiān)測和提供便利等應(yīng)用場景的傳感器和執(zhí)行器。
這款新型收發(fā)器將面向可多年運(yùn)行的電池供電的傳感器。它具有600nA的休眠電流和4.6mA的工作接收電流功耗等級(jí)。借助其對(duì)低功耗局域網(wǎng)(LAN)使用場景LoRa調(diào)制模式,以及針對(duì)傳統(tǒng)使用場景的(G)FSK調(diào)制的支持,該器件可與現(xiàn)有的LoRaWAN網(wǎng)絡(luò)兼容,并且還可以支持專有通信協(xié)議。
該射頻芯片適用于符合無線電管理規(guī)定的系統(tǒng),包括但不限于ETSI EN300220、FCC CFR 47 Part 15、中國監(jiān)管要求和日本ARIB T-108。其從150MHz到960 MHz的連續(xù)頻率覆蓋范圍可以支持全球所有主要的sub-GHz免授權(quán)(ISM)頻段。
網(wǎng)址:www.semtech.com
瑞薩電子推出領(lǐng)先性能15Mbps光電禍合器
瑞薩電子株式會(huì)社宣布推出三款全新15Mbps光電耦合器,用于應(yīng)對(duì)工業(yè)及工廠自動(dòng)化設(shè)備的惡劣工作環(huán)境。在追求更高電壓、緊湊型系統(tǒng)的趨勢下,需要更嚴(yán)格的國際安全標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)保解決方案,而這些解決方案則要求更小IC及更低功耗。RVIS9x60A系列擁有最佳的低閾值輸入電流(IFHL)額定值:RVIS9160A(SO5)工作電流為2.0mA,RVIS9060A(LS05)為2.2mA,RVIS9960A(LSDIPB)為3.8mA。
低功耗RV1S9x60A光電耦合器功能夠有效地抑制電源發(fā)熱,將其安裝在IGBT或MOSFET功率器件附近,可在高溫125℃條件下進(jìn)行操作,同時(shí)可節(jié)省電路板空間。這些設(shè)備主要針對(duì)DC-AC功率轉(zhuǎn)換器、交流伺服電機(jī)、可編程邏輯控制器、機(jī)械臂、太陽能和風(fēng)能輸入功率調(diào)節(jié)器以及用于儲(chǔ)能和充電的電池管理系統(tǒng)。
RVIS9x60A光電耦合器具有高達(dá)50kV/μs(min)的高共模抑制比(噪聲容限),可在傳輸高速信號(hào)的同時(shí)保護(hù)微控制器和其它UO邏輯電路免受高壓峰值影響。RV1S9x60A系列還提供各種封裝,每個(gè)加強(qiáng)型隔離(高達(dá)690Vrms)的最小封裝面積、最小爬電距離為42mm-14.5mm,以確保安全操作。
網(wǎng)址:renesas.com
意法半導(dǎo)體推出雙接口安全微控制器
意法半別本新推出的ST3IP450雙接口安全微控制器采用最新的40nm閃存工藝以及強(qiáng)化的RF射頻技術(shù),為銀行卡、身份證、交通卜、付費(fèi)電視等非接觸式智能卜帶來優(yōu)異的連接穩(wěn)健性和讀寫性能。
ST31P450基于經(jīng)過市場檢驗(yàn)的32位Arm SecurCore SC000安全處理器,符合ISO 7816和ISO 14443 A類智能卡和非接觸式智能卡標(biāo)準(zhǔn),支持MIFARE全系軟件庫,包括MIFARECIassic、MIFAREPlus和MIFAREDESFire。意法半導(dǎo)體的40nm閃存技術(shù)可以將芯片做得極小,適用于銀行卡等雙接口應(yīng)用場景,增強(qiáng)的安全性可提高交易安全性和防偽功能。
升級(jí)的RF性能讓無線連接變得極其穩(wěn)定可靠,讓非接觸式交易變得更快捷。此外,ST31P450的新低功耗加密引擎可最大限度地降低能耗預(yù)算,當(dāng)射頻場強(qiáng)較弱時(shí),在保證優(yōu)異的讀寫性能的同時(shí)還能執(zhí)行加密運(yùn)算。 ST31P450還配備優(yōu)化的裝載固件,讓卜片發(fā)行商發(fā)卡后的維護(hù)服務(wù)變得更輕松。
ST31P450安全微控制器及其相關(guān)的加密庫有望在未來幾個(gè)月內(nèi)取得Common Criteria EAL5+以及EMVCo和CUP(中國銀聯(lián))的安全認(rèn)證。
網(wǎng)址:www.st.com/ST31P450