劉 笛

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，沈陽(yáng)110032）

1 引 言

存儲(chǔ)器電路在網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)安全、分布式計(jì)算、高速數(shù)據(jù)采集、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)智能化、太空數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、電子信息對(duì)抗等領(lǐng)域被廣泛使用。特別是大容量、高可靠存儲(chǔ)器電路在飛機(jī)、衛(wèi)星和火箭上的需求越來(lái)越大。我國(guó)的存儲(chǔ)器電路產(chǎn)品，一般以單芯片塑封為主，有效存儲(chǔ)容量與封裝面積的比例不高，不能滿足尖端行業(yè)對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求。一些封裝廠商采用多芯片3D 堆疊封裝的方法，可以大幅度提高存儲(chǔ)容量與封裝面積的比例，但提出的3D 封裝方案基本上也都是以塑封為主[1-3]。3D 塑封方案雖然在存儲(chǔ)容量上有所提升，但由于塑封自身特點(diǎn)，在可靠性上存在不足之處?？偠灾?，現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)產(chǎn)品很難同時(shí)滿足航空航天等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)器產(chǎn)品的大容量和高可靠需求。

故此研究一種大容量存儲(chǔ)器電路高可靠堆疊封裝方法，以陶瓷外殼完成存儲(chǔ)器芯片的3D 封裝。不但可提高單只電路的儲(chǔ)存容量，還可以滿足國(guó)內(nèi)外各類(lèi)尖端行業(yè)對(duì)儲(chǔ)存器產(chǎn)品的高可靠性需求。

2 儲(chǔ)存器3D-SiP 產(chǎn)品可靠性設(shè)計(jì)

2.1 3D-SiP方案設(shè)計(jì)

對(duì)于高可靠3D 堆疊，行業(yè)內(nèi)還沒(méi)有公認(rèn)的最優(yōu)解決方案,各個(gè)封裝廠商根據(jù)自己的優(yōu)勢(shì)采用不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)用戶的需求，主要途徑有4 個(gè)：

第一：塑封方案，如圖1所示。在3D 堆疊方面，塑封較為容易實(shí)現(xiàn)。但塑封本身存在氣密性、熱應(yīng)力等問(wèn)題，在高可靠領(lǐng)域仍然不具備優(yōu)勢(shì)。

圖1 軍品3D 塑封方案外觀示意圖

第二：類(lèi)3D-Plus 模塊灌封方案，如圖2所示。依靠多層基板和多層芯片疊裝灌封，再通過(guò)側(cè)面金屬化、互連和涂漆保護(hù)，完成模塊封裝。該種方案可以實(shí)現(xiàn)更為復(fù)雜的堆疊互連，但與塑封類(lèi)似，所完成的模塊產(chǎn)品在可靠性上存在先天不足。另外這種方案的造價(jià)也很高。

圖2 類(lèi)3D-Plus 模塊灌封方案

第三：基于TSVRDLBGA 植球的晶圓級(jí)3D 堆疊方案，如圖3所示。這種方案技術(shù)含量較高，成本也較高。同時(shí)，如果需要TSV 通孔，芯片在設(shè)計(jì)時(shí)需要先預(yù)留出通孔空間。

圖3 基于TSVRDLBGA 晶圓級(jí)3D 堆疊方案

第四：基于LTCC 基板或者基于陶瓷外殼的管殼基板一體化的堆疊方案，如圖4所示。

圖4 管殼基板一體化堆疊方案

四種方案相比，能實(shí)現(xiàn)氣密封裝的是方案3 和方案4，此兩種方案都有達(dá)到宇航級(jí)要求的潛力?？紤]到技術(shù)成熟度和自主可控，方案4 更佳。

2.2 3D-SiP工藝設(shè)計(jì)

所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品采用陶瓷氣密封裝，如圖5所示。外殼采用CQPF 封裝形式，引腳可以從外殼底面引出，也可以從外殼側(cè)面引出，按照用戶習(xí)慣選擇。電路設(shè)置64 只外引腳。外殼具有多層鍵合指，鍵合指高度按照芯片堆疊后的高度設(shè)計(jì)，使芯片PAD 點(diǎn)高度與鍵合指高度基本保持一致。

圖5 3D 封裝陶瓷外殼及互聯(lián)關(guān)系設(shè)計(jì)

產(chǎn)品采用國(guó)內(nèi)堆疊封裝比較常用的雙腔管殼設(shè)計(jì)方案，在上下兩個(gè)獨(dú)立的腔體內(nèi)分別堆疊芯片[4]。各芯片采用引線鍵合的方式與陶瓷外殼完成電連接。各芯片間的互聯(lián)關(guān)系由陶瓷外殼中間層內(nèi)部布線完成，并引出至管殼外引腳。電路組裝結(jié)構(gòu)如圖6所示。

圖6 3D 封裝陶瓷外殼及互聯(lián)關(guān)系設(shè)計(jì)

組裝過(guò)程中，為了控制芯片貼裝精度和芯片粘接材料的流淌范圍，選用不導(dǎo)電膠膜作為粘接材料。為了實(shí)現(xiàn)疊層芯片的低弧度鍵合、避免鍵合引線與上下層芯片發(fā)生短路，選用BSOB 引線鍵合技術(shù)。為了降低電路的組裝過(guò)程溫度，最后的封蓋方式選用平行縫焊工藝。該電路3D 堆疊工藝的核心步驟是多層芯片的粘接和鍵合，晶圓減薄工藝和平行縫焊密封工藝也較為關(guān)鍵，整體工藝流程如圖7所示。

圖7 3D 堆疊封裝工藝選擇及組裝流程

2.3 高可靠產(chǎn)品考核試驗(yàn)設(shè)計(jì)

按照用戶的需求，該電路質(zhì)量等級(jí)至少滿足一般民用和工業(yè)級(jí)要求，研制目標(biāo)瞄準(zhǔn)宇航級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。為此，所設(shè)計(jì)的考核試驗(yàn)條件參照GJB548B-2005相關(guān)要求。針對(duì)樣品電路進(jìn)行了考核試驗(yàn)。表1 中列出了一些關(guān)鍵的考核項(xiàng)目和條件。

表1 關(guān)鍵考核試驗(yàn)及條件

3 3D-SiP封裝典型失效模式及優(yōu)化方案

3.1 芯片疊層粘接中的熱應(yīng)力

熱匹配是3D 封裝要考慮的重要因素，縱向多芯片的堆疊更是如此。早期研制過(guò)程中，考慮到目檢可以觀察到粘接劑從芯片四周溢出的輪廓，在芯片下方懸空的部分進(jìn)行了不導(dǎo)電膠的填充和加固。將硅片切割成與待封裝芯片同等尺寸的大小，堆疊至兩層、三層、四層，按照表1 中的關(guān)鍵試驗(yàn)項(xiàng)進(jìn)行摸底試驗(yàn)。結(jié)果表明，填充了不導(dǎo)電膠的電路發(fā)生了熱失配現(xiàn)象，在溫度循環(huán)后，上層芯片均發(fā)現(xiàn)了不同程度的裂紋，裂紋沿底層芯片邊緣位置延展，逐步擴(kuò)展，最終橫向貫穿整個(gè)芯片，如圖8所示。

圖8 芯片堆疊出現(xiàn)裂紋

建立3D-SiP 器件的有限元模型，對(duì)溫度循環(huán)熱應(yīng)力進(jìn)行仿真分析。第一層和第二層芯片之間不導(dǎo)電膠填充區(qū)域模型網(wǎng)格劃分如圖9所示，材料屬性如表2所示。

圖9 不導(dǎo)電膠填充區(qū)域模型網(wǎng)格劃分

表2 材料屬性表

如圖10所示為堆疊樣品第一、第二層芯片在溫度循環(huán)試驗(yàn)中的熱應(yīng)力分布情況。從仿真結(jié)果看，填充不導(dǎo)電膠之后，在溫度循環(huán)試驗(yàn)過(guò)程中，上層芯片最大應(yīng)變?yōu)?4.4MPa，如圖10(a)所示。如果不填充，上層芯片相同位置的應(yīng)變則為3.7MPa，如圖10(b)所示，相對(duì)減小了91.7%；上層芯片最大應(yīng)力位置出現(xiàn)在芯片中央，數(shù)值為15.9MPa，比填充不導(dǎo)電膠的最大應(yīng)力減小64.1%。因此，在后續(xù)的產(chǎn)品中，皆采用芯片懸空堆疊的方法，并且注意膠膜的選型，以保證外殼、芯片、粘接劑等材料間的熱匹配性。

圖10 堆疊樣品熱應(yīng)力分布仿真

3.2 雙面疊層引線鍵合中的質(zhì)量控制

引線鍵合過(guò)程中，涉及到雙面鍵合、低弧鍵合、懸臂鍵合等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，其中部分區(qū)域還應(yīng)用到了Die-To-Die 引線鍵合技術(shù)，因此，應(yīng)從工藝參數(shù)、設(shè)備選型、劈刀定制、外殼設(shè)計(jì)等多個(gè)方面進(jìn)行協(xié)同設(shè)計(jì)?？紤]到金絲在上述工藝技術(shù)中具有良好表現(xiàn)，鍵合方案采用金絲球鍵合工藝。

本項(xiàng)目以BSOB 作為核心鍵合技術(shù): 預(yù)先在芯片焊盤(pán)植一個(gè)金球形成凸點(diǎn)，線弧第一點(diǎn)落在管殼鍵合指或基板上，第二點(diǎn)落在芯片焊盤(pán)的金凸點(diǎn)上。BSOB 技術(shù)使芯片端弧高明顯降低，可達(dá)到80 微米以下，同時(shí)避免了引線-芯片短路。此外，預(yù)先形成的金凸點(diǎn)有效保護(hù)了芯片焊盤(pán)，減小了芯片受損的可能性[5-6]。如圖11所示為采用了BSOB 技術(shù)的樣品。

圖11 BSOB 鍵合技術(shù)實(shí)物圖

芯片疊層為鍵合帶來(lái)了兩個(gè)問(wèn)題：

(1) 鍵合溫度梯度。由于芯片堆疊，加熱臺(tái)預(yù)熱溫度傳導(dǎo)受到阻礙，使得上層芯片溫度低于下層芯片溫度，形成溫度梯度。

(2) 鍵合壓力緩沖。疊層封裝的上層芯片邊緣懸空，懸空部分對(duì)劈刀施加的能量起到分散減弱的作用，不利于鍵合。

問(wèn)題主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面，一個(gè)是短尾（Short Tail,SHTL），另一個(gè)是引線焊盤(pán)不粘（Non-Stick On Pad,NSOP）。應(yīng)對(duì)措施是優(yōu)化鍵合參數(shù)，針對(duì)不同層芯片采用不同的鍵合工藝方案，每一層都在功率、壓力和時(shí)間之間尋找最優(yōu)匹配。

由于高可靠的要求，在鍵合后，對(duì)電路抽樣進(jìn)行300℃、1h 的高溫烘焙，確保鍵合質(zhì)量的可靠性。

3.3 雙面平行縫焊的焊接應(yīng)力

國(guó)內(nèi)雙腔管殼多采用雙面金錫焊料環(huán)熔封或單面金錫焊料環(huán)熔封、單片平行縫焊等工藝。鑒于芯片貼裝的工藝溫度較低，在設(shè)計(jì)密封溫度梯度時(shí)不宜采用熔封工藝，以免對(duì)芯片粘接的可靠性造成影響。據(jù)了解，采用雙面平行縫焊密封工藝在國(guó)內(nèi)幾乎沒(méi)有先例，技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)在于密封過(guò)程工藝參數(shù)的優(yōu)化，避免溫度和應(yīng)力造成的陶瓷管殼裂紋，以及焊接應(yīng)力在考核試驗(yàn)中的釋放所導(dǎo)致的漏氣[7]。

應(yīng)對(duì)措施是減小平行縫焊功率，增大電極X、Y向移動(dòng)速度，縮短焊接總功率[8]。采用工藝優(yōu)化方案后，電路在考核試驗(yàn)后可依舊保持良好性能。

4 結(jié)束語(yǔ)

提出大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路的3D-SiP 封裝方案，采用疊層芯片粘接、BOSB 鍵合及雙面平行縫焊工藝等可靠性設(shè)計(jì)及工藝優(yōu)化，極大提高了陶瓷外殼內(nèi)堆疊芯片的數(shù)量，使單一電路的存儲(chǔ)容量達(dá)到世界一流水平，可適用于大數(shù)據(jù)和云計(jì)算等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)以及高可靠性如飛機(jī)、雷達(dá)和衛(wèi)星等領(lǐng)域。