安 暉，操彬彬，栗芳芳，葉成枝，楊增乾，彭俊林，劉增利，呂艷明，陸相晚，張 敏，陳婷婷，金 珍，向 康，金鎮(zhèn)滿，李恒濱

(合肥鑫晟光電科技有限公司，安徽 合肥230001)

1 引 言

氧化銦錫薄膜(Indium Tin Oxide，ITO)因其導(dǎo)電、透明的特質(zhì)在TFT陣列基板中充當(dāng)著電極的重要角色[1]。ITO電極的制備過程中，通常會先低溫成膜，然后通過曝光、刻蝕形成圖案，最后利用退火對ITO薄膜進(jìn)行熱處理，將其轉(zhuǎn)化為低電阻、高透過率的多晶態(tài)[2-8]。在對盒前，TFT基板表面首先會涂覆配向膜(聚酰亞胺/Polyimide，PI)，隨后通過烘焙的熱處理方式對PI進(jìn)行固化。所以在HADS產(chǎn)品盒內(nèi)制程中通常存在3次熱處理工藝：1st ITO退火、2nd ITO退火以及PI烘焙。

在ITO退火與PI烘焙的熱處理工藝非常相似，溫度高、時(shí)間長(230 ℃干燥空氣中進(jìn)行，前者約30 min，后者約20 min)。此前已有研究表明PI的烘焙也可以對2nd ITO退火進(jìn)行有效的替代，省略2nd ITO退火后的產(chǎn)品的透過率、電阻等特性保持不變，極大提升了TFT產(chǎn)線的生產(chǎn)效率[7]。本文在此基礎(chǔ)上對HADS產(chǎn)品中1st ITO退火環(huán)節(jié)也同步開展了研究，嘗試?yán)肞I烘焙去補(bǔ)償1st ITO結(jié)晶，即對1st ITO退火考慮時(shí)間上的縮減甚至直接省略，更大化提升TFT產(chǎn)線的生產(chǎn)能力。此外，為了降低公共電極阻抗，部分產(chǎn)品將高導(dǎo)電率的銅質(zhì)公共電極走線直接堆疊布線在1st/公共電極ITO的表面，然而銅質(zhì)走線在與1st ITO同步高溫退火時(shí)極易氧化失效，故該類產(chǎn)品也需要對1st ITO退火進(jìn)行規(guī)避，所以1st ITO退火省略的實(shí)現(xiàn)也具備極高的應(yīng)用價(jià)值?？紤]到1st ITO結(jié)晶方式的變更可能會對產(chǎn)品產(chǎn)生某些影響，因此重點(diǎn)對產(chǎn)品透過率等特性進(jìn)行了測試和分析。

2 實(shí) 驗(yàn)

圖1為整個(gè)實(shí)驗(yàn)流程中的關(guān)鍵步驟，步驟①～③中分別示意了1st ITO退火、2nd ITO退火以及PI烘焙進(jìn)行時(shí)的膜層結(jié)構(gòu)(像素開口區(qū))，各步驟中熱處理?xiàng)l件均同實(shí)際生產(chǎn)工藝：230 ℃、干燥空氣。關(guān)鍵膜層1st和2nd ITO的厚度均選用70 nm，采用磁控濺射的方法制備，設(shè)備型號為AKT Pivot DT，成膜時(shí)濺射功率13 kW，氣壓0.3 Pa，反應(yīng)氣氛為氬氣(Ar，流量為600 mL/min)、氫氣(H2，流量為600 mL/min)以及氧氣(O2，流量為5 mL/min)，成膜過程中玻璃基板接近常溫。為排除彩膜、對盒制程等對LCD產(chǎn)品透過率特性的影響，因此選擇在步驟③完成后即進(jìn)行相關(guān)測試。

步驟④中利用Small MCPD光譜設(shè)備對產(chǎn)品的光學(xué)透過率進(jìn)行測試，利用頂部探頭采集底部光源透過中間樣品的光束，計(jì)算可見光(380～780 nm)范圍內(nèi)各波長對應(yīng)的透過率值。底部光斑直徑接近20 μm，小于單個(gè)像素內(nèi)的開口面積。在其它膜層條件保持不變的情況下，產(chǎn)品的透過率特性只受ITO變化的影響。

圖1 實(shí)驗(yàn)流程圖Fig.1 Flow diagram of experiment

3 結(jié)果及討論分析

3.1 ITO退火時(shí)間縮減/省略對透過率的影響

鑒于ITO同時(shí)具備導(dǎo)電、透明的關(guān)鍵特性，首先對退火時(shí)間縮減與ITO方塊電阻的關(guān)系進(jìn)行了驗(yàn)證，測試結(jié)果如圖2所示。正常退火(230 ℃/空氣)10 min后，ITO的方塊電阻逐漸趨于穩(wěn)定，接近70 nm厚度ITO的規(guī)格參考值31 Ω/□，所以單從導(dǎo)電方面而言ITO的退火時(shí)間具備較大的縮減優(yōu)化空間，可考慮縮減至10 min左右。由于無氧、有氧氛圍中的熱處理都能非常有效地提升ITO的結(jié)晶和導(dǎo)電[3,8]，因此在后工段PI烘焙長達(dá)20 min熱處理的補(bǔ)償作用下[7]， 尤其對于上述1st/公共電極ITO表面并聯(lián)銅質(zhì)走線的情況而言，1st ITO退火時(shí)間上的縮減或省略對產(chǎn)品公共電極導(dǎo)電效果的影響會相對較小，但對產(chǎn)品透過率的影響還需重點(diǎn)討論與分析。

圖2 退火時(shí)間對ITO (70 nm)方塊電阻值的影響Fig.2 Effect of anneal time to Rs of ITO (70 nm)

基于生產(chǎn)效率的提升，充分利用后工段PI烘焙對兩道ITO退火的補(bǔ)償作用，對ITO退火由時(shí)間縮減到直接省略設(shè)計(jì)了階梯實(shí)驗(yàn)，產(chǎn)品透過率的測試結(jié)果如表1和圖3所示。在兩道ITO退火都縮減至10 min時(shí)產(chǎn)品的透過率基本不變。進(jìn)一步地將2nd ITO退火省略，產(chǎn)品的透過率也未發(fā)生明顯變化，這與此前的研究結(jié)論基本相符[7]。最后選擇將1st ITO退火直接省略，產(chǎn)品的透過率則發(fā)生了明顯的降低(各波長透過率的平均值下降約4%)。

表1 ITO退火由時(shí)間縮減到省略的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及產(chǎn)品透過率

Tab.1 DOE of ITO anneal and the corresponding transmittance

1st ITO退火/min 2nd ITO退火/min PI烘焙/min 透過率均值/%目前方案30302084.61實(shí)驗(yàn)110102084.58實(shí)驗(yàn)210省略2084.33實(shí)驗(yàn)3省略102080.74實(shí)驗(yàn)4省略省略2080.52

圖4 鈍化絕緣層與PI膜對熱處理氣氛的阻隔作用差異Fig.4 Comparison for air isolation between passivation and polyimide during heat-treatment

綜合比較直接退火對ITO的熱處理、(1stITO退火省略時(shí))2nd ITO退火/PI烘焙對1st ITO的熱處理、(2nd ITO退火省略時(shí))PI烘焙對2nd ITO的熱處理三種情況之間的差異，如圖4所示。低溫成膜的ITO內(nèi)含有較多非透明的亞氧化物成分(InO、SnO等)，高溫時(shí)與空氣(主要為氧氣)反應(yīng)后可轉(zhuǎn)變?yōu)橥该鞯腎n2O3、SnO2[4,6]，因此直接退火可以氧化提升ITO薄膜的透明度，故產(chǎn)品透過率高。鑒于ITO退火由30 min縮減至10 min時(shí)，產(chǎn)品的透過率基本不變，可以推斷上述氧化反應(yīng)在退火10 min前已達(dá)到飽和狀態(tài)。而對于1st ITO退火省略和2nd ITO退火省略兩種情況而言，1st ITO與后段熱處理氣氛之間首先會被鈍化絕緣層所阻隔，而2nd ITO與后段熱處理氣氛之間則被PI膜所阻隔：前者膜厚高且致密(主要為SiNx等成分，厚度約450 nm)，后者膜厚低(約90 nm)且在烘焙時(shí)會伴隨著有機(jī)溶劑的揮發(fā)(緩慢固化的過程)。因此，鈍化絕緣層會阻隔后段熱處理氣氛與1st ITO的接觸，導(dǎo)致1st ITO無法被外界空氣氧化，造成1st ITO透明度差、產(chǎn)品透過率低；而PI烘焙時(shí)的高溫空氣在PI未完全固化時(shí)則有機(jī)會形成滲透并與2nd ITO結(jié)合反應(yīng)，即2nd ITO的透明度仍可以在烘焙時(shí)被氧化提升，故2nd ITO退火省略對產(chǎn)品的透過率影響小[7]。

由上可知，鈍化絕緣層的阻隔作用是造成1st ITO退火省略時(shí)產(chǎn)品透過率下降的根本原因，所以現(xiàn)階段工藝條件下1st ITO的退火無法直接省略，但在確保其足夠氧化的前提下可對退火時(shí)間進(jìn)行一定的縮減。

3.2 1st ITO退火工序省略時(shí)的透過率提升

兩層ITO退火同時(shí)省略將極大提升TFT產(chǎn)線的生產(chǎn)效率，并且1st ITO退火的省略還可以有效避免此前所述的銅氧化現(xiàn)象(如圖5所示，某型號產(chǎn)品銅質(zhì)公共電極走線在與1st/公共電極ITO同步退火后表層氧化嚴(yán)重)，但產(chǎn)品透過率水平的大幅降低則成為當(dāng)前的制約因素。

圖5 銅金屬在1st ITO退火中的氧化Fig.5 Copper oxidation after 1st ITO anneal

針對此前實(shí)驗(yàn)結(jié)果首先嘗試從優(yōu)化結(jié)晶減少多晶ITO內(nèi)晶界散射的機(jī)制對透過率進(jìn)行補(bǔ)償[4]，將2nd ITO退火時(shí)間恢復(fù)至30 min，期望延長后段熱處理來提升1st ITO的結(jié)晶效果。測試結(jié)果如圖6所示，各波長透過率的平均值接近81%，對比此前實(shí)驗(yàn)3、4結(jié)果提升效果并不顯著，并且繼續(xù)增加2nd ITO退火時(shí)間也未有明顯增加。這也側(cè)面說明PI烘焙20 min的熱處理已基本保證了前層ITO從非晶向多晶的轉(zhuǎn)變[7]，故額外增加2nd ITO退火時(shí)間對1st ITO晶格的再優(yōu)化效果甚微，并且也違背了生產(chǎn)效率提升的初衷，所以1st ITO退火省略時(shí)的透過率提升還需從ITO的“氧化”機(jī)制著手。

圖6 2nd ITO退火時(shí)間對產(chǎn)品透過率的影響Fig.6 Effect of 2nd ITO anneal time to the transmittance

ITO退火過程中對亞氧化物的氧化作用本質(zhì)上與成膜過程中減少亞氧化物的產(chǎn)生是相似的，由于濺射設(shè)備中反應(yīng)氣氛主體為氬氣、氫氣以及氧氣，因此考慮提升氧氣流量來增加ITO成膜過程中原子、分子與氧的反應(yīng)強(qiáng)度，以此獲得高透明度ITO薄膜[9-10]。

由于PI烘焙20 min的作用已基本促進(jìn)ITO的結(jié)晶，故實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)時(shí)選擇將兩道ITO退火都直接省略(最大化提升產(chǎn)能)，在保持2nd ITO等其它條件都不變的情況下只調(diào)整1st ITO濺射時(shí)氧氣的通入流量。測試結(jié)果如圖7和圖8所示。隨著氧氣流量的增加透過率逐漸上升，在氧氣流量為11 mL/min左右時(shí)已非常接近正常水平(透過率均值約84.1%)，但繼續(xù)增加氧氣流量時(shí)透過率則基本保持不變，輕微的下降可能是富余的氧吸附在晶界或缺陷處增加了對光線的散射[9-10]。由此可知，通過成膜“補(bǔ)氧”的方式即增加1st ITO濺射時(shí)的氧氣流量也可以達(dá)到類似退火的氧化效果，從源頭減少了ITO薄膜中亞氧化物含量，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品透過率的提升。

圖7 1st ITO成膜時(shí)氧氣流量對產(chǎn)品透過率的影響Fig.7 Effect of oxygen gas flow during 1st ITO sputtering to the transmittance

圖8 1st ITO成膜時(shí)不同氧氣流量的產(chǎn)品透過率光譜Fig.8 Transmittance spectrum of 1st ITO with different oxygen gas flow during sputtering

圖9 成膜時(shí)的氧氣流量對1st ITO方塊電阻值的影響Fig.9 Effect of oxygen gas flow during 1st ITO sputtering to 1st ITO Rs

此外，對上述1st ITO退火省略情況下ITO的導(dǎo)電性能也同步進(jìn)行了測試，結(jié)果如圖9所示。隨著成膜氧氣流量的增加，1st ITO的方塊電阻呈現(xiàn)先下降再上升的變化趨勢。在PI烘焙的作用下1st ITO由非晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?，晶粒的生長減少了晶界對載流子的散射作用，遷移率大幅提高，因此1st ITO的方塊電阻整體處在相對較低的水平。隨著成膜時(shí)氧氣流量的增加，1st ITO中亞氧化物含量減少，缺陷也隨之減少，會進(jìn)一步降低對載流子的散射作用，并且更多的Sn2+被氧化為Sn4+，可以提供更多的導(dǎo)電電子，從而提升導(dǎo)電能力；但另一方面，非化學(xué)配比的In2O3-x亞氧化物也會同步減少，造成氧空位數(shù)目的減少，降低載流子濃度。另外，氧含量過高時(shí)富余的氧離子吸附在晶界或缺陷處也會增大對載流子的散射作用[3,9]。在上述多種機(jī)制的綜合作用下，氧氣流量增加至8～11 mL/min時(shí)，1st ITO體內(nèi)載流子濃度和遷移率達(dá)到最佳的平衡狀態(tài)，方塊電阻(Rs)已趨近于正常水平，即PI烘焙與成膜“補(bǔ)氧”的共同作用也可以達(dá)到類似有氧退火對1st ITO的結(jié)晶與氧化效果；但繼續(xù)增加氧氣流量時(shí)，氧空位的大幅減少以及氧富離子的散射作用則逐漸成為制約導(dǎo)電的主導(dǎo)因素，電阻開始呈現(xiàn)上升的趨勢。

由于1st ITO退火省略時(shí)增加1st ITO成膜時(shí)的氧氣流量可明顯提升產(chǎn)品透過率，因此考慮在2nd ITO退火省略的情況下也同步增加2nd ITO成膜時(shí)的氧氣流量，期望獲得產(chǎn)品透過率特性的進(jìn)一步提升。測試結(jié)果如圖10所示。其中1st ITO成膜時(shí)氧氣流量為11 mL/min，兩層ITO退火均省略(最大化提升產(chǎn)能)。隨著2nd ITO成膜氧氣流量的增加產(chǎn)品透過率并沒有發(fā)生明顯的提升，可以推測PI烘焙已足夠?qū)?nd ITO(成膜氧氣流量5 mL/min)內(nèi)的亞氧化物氧化，此時(shí)的氧化反應(yīng)也已基本達(dá)到飽和平衡狀態(tài)，因此提升成膜時(shí)的氧化強(qiáng)度難以在烘焙氧化反應(yīng)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步減少ITO內(nèi)的亞氧化物含量，故在PI烘焙的氧化作用下可考慮保持2nd ITO成膜條件不變，減少富余氧離子的散射對透過率及導(dǎo)電的影響。

圖10 2nd ITO成膜時(shí)的氧氣流量對產(chǎn)品透過率的影響Fig.10 Effect of oxygen gas flow during 2nd ITO sputtering to the transmittance

4 結(jié) 論

綜上所述，PI烘焙20 min的熱處理作用足以補(bǔ)償TFT中ITO由非晶向多晶的轉(zhuǎn)變，但PI烘焙對ITO退火的替代作用還需確保產(chǎn)品的透過率特性，而ITO對產(chǎn)品透過率的影響除結(jié)晶外主要由其體內(nèi)的亞氧化物含量決定。

(1)直接退火10 min左右，ITO體內(nèi)的亞氧化物已得到較為充分的氧化，故兩層ITO退火都縮減至10 min時(shí)產(chǎn)品的透過率特性保持不變；

(2)2nd ITO表面覆蓋的PI膜相對較薄并且烘焙時(shí)致密性差，所以PI烘焙時(shí)的高溫空氣也可以有效地氧化2nd ITO，故2nd ITO退火省略時(shí)產(chǎn)品仍可以保持高水平的透過率特性；

(3)1st ITO表面覆蓋的鈍化絕緣層致密性高，嚴(yán)重阻隔了1st ITO與外界空氣的接觸，造成1st ITO無法被后工段的PI烘焙/2nd ITO退火所氧化，故1st ITO退火省略時(shí)產(chǎn)品的透過率大幅降低。通過增加1st ITO成膜過程中的氧氣流量來減少ITO體內(nèi)亞氧化物的產(chǎn)生，也可以實(shí)現(xiàn)1st ITO退火省略情況下產(chǎn)品的高透過率特性。

最終1st ITO退火同2nd ITO退火都可以被PI烘焙所替代并同時(shí)確保產(chǎn)品具備高的透過率特性，最大化實(shí)現(xiàn)了前后熱處理工序的綜合利用，有效提升了TFT產(chǎn)線的生產(chǎn)效率。