弗勞恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多個(gè)元件

德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所（Fraunhofer IAF）的研究人員成功將電流傳感器、溫度傳感器以及功率晶體管、續(xù)流二極管以及柵極驅(qū)動(dòng)器都集成到了基于氮化鎵（GaN）的半導(dǎo)體芯片上，從而顯著地提升了用于電壓轉(zhuǎn)換器的GaN功率集成電路的功能。此次研究進(jìn)展將為研發(fā)更緊湊、更高效的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器鋪平道路。

Fraunhofer IAF一直致力于研究電力電子領(lǐng)域的單片集成技術(shù)，其首次成功將電流和溫度傳感器、600V功率晶體管、續(xù)流二極管和柵極驅(qū)動(dòng)器都集成至一個(gè)GaN功率集成電路上。作為GaN研究項(xiàng)目的一部分，研究人員對(duì)GaN功率集成電路的全部功能進(jìn)行了功能驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了電力電子系統(tǒng)集成技術(shù)的突破。（電子工程世界）

研究人員在硅上開(kāi)發(fā)納米激光器

卡迪夫大學(xué)（Cardiff University）的研究人員近日發(fā)現(xiàn)可以將小于人類(lèi)頭發(fā)寬度1/10的微小發(fā)光納米激光器集成到硅芯片設(shè)計(jì)中。光子帶邊激光器能夠以超高速運(yùn)行并有可能幫助電子行業(yè)從光學(xué)計(jì)算到遙感和尋熱提供一系列新應(yīng)用。

Diana Huffaker教授是Cardiff University化學(xué)半導(dǎo)體研究所的科學(xué)主任，這個(gè)研究所位于卡迪夫大學(xué)物理與天文學(xué)院。“硅是半導(dǎo)體行業(yè)中使用最廣泛的材料，這是第一個(gè)展示光子帶邊激光器如何直接集成在圖案化的絕緣體上硅平臺(tái)上的演示。然而難以將緊湊型光源集成在該材料上。我們的研究通過(guò)開(kāi)發(fā)集成在硅平臺(tái)上的極小激光器來(lái)突破這一障礙，適用于各種硅基電子，光電和光子平臺(tái)”。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

全球首個(gè)硅基氮化鎵單片集成FHD 微型 LED顯示器問(wèn)世

英國(guó)普萊西（Plessey）公司宣布與硅基背板合作伙伴賈斯帕顯示公司（JDC）在研發(fā)單片集成微型LED顯示器過(guò)程中邁出了重要一步。Plessey與JDC持續(xù)開(kāi)展合作，其中包括大額投資一套完整的配套設(shè)備，幫助實(shí)現(xiàn)晶圓對(duì)晶圓的粘合技術(shù)。搭配JDC的eSP70硅專(zhuān)利背板技術(shù)，Plessey成功實(shí)現(xiàn)其硅基氮化鎵單片集成微型LED外延片的晶圓級(jí)粘合，從而開(kāi)發(fā)出包含可尋址LED的微型LED顯示器。

Plessey的微型LED顯示器單色全高清（1920×1080）電流驅(qū)動(dòng)像素陣列組成。每個(gè)顯示器需要200多萬(wàn)個(gè)獨(dú)立的微型LED像素點(diǎn)與控制背板的電極做連接。JDC的背板為每個(gè)像素點(diǎn)提供獨(dú)立的10 bit單色控制。而將完整的LED晶圓粘合到CMOS背板上，晶圓之間包含了1億多個(gè)微級(jí)鍵。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

韓國(guó)三星首次研發(fā)5nm半導(dǎo)體工藝

三星電子已成功研發(fā)出5nm半導(dǎo)體工藝，并正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻（EUV）的7nm芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問(wèn)題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也日趨激烈。

三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)的5nm精密工藝采用了比現(xiàn)有的ArF更優(yōu)越的EUV技術(shù)。與ArF工藝相比，EUV短波長(zhǎng)，能夠更加準(zhǔn)確地畫(huà)出精密半導(dǎo)體的電路。半導(dǎo)體的電路越設(shè)計(jì)越薄，芯片的尺寸變小，耗電量也同時(shí)減小，發(fā)熱也降低，因此精密工藝尤為重要。

三星電子方面表示，此次開(kāi)發(fā)的“5nm工藝”通過(guò)最優(yōu)化的單元儲(chǔ)存設(shè)計(jì)，將比已有的7nm減少25%的面積大小，同時(shí)電量使用率提高20%，性能提高10%。（科技部）

韓國(guó)公司開(kāi)發(fā)硅基液晶微顯示器

韓國(guó)公司RaonTech宣布開(kāi)發(fā)了一款基于硅基液晶（LCoS）技術(shù)的0.37英寸全高清（1920×1080）微顯示器，主要定位需求不斷上升的可穿戴式裝置市場(chǎng)，包括頭戴式顯示器（HMD）和抬頭式顯示器（HUD）。

據(jù)了解，RaonTech是一家專(zhuān)門(mén)研究AR/VR/MR微顯示器解決方案和手機(jī)電視片上系統(tǒng)（SoC）的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體（fablesssemiconductor）公司，產(chǎn)品包括高清微顯示面板、超低功率控制芯片等。

RaonTech表示，公司開(kāi)發(fā)的微顯示器由液晶和基于硅晶圓的特殊鏡子組成，采用一個(gè)三原色LED來(lái)驅(qū)動(dòng)。LED能夠通過(guò)這個(gè)特殊的鏡子增加小尺寸顯示器的像素密度。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

英飛凌90億歐元將收購(gòu)賽普拉斯

英飛凌科技股份公司與賽普拉斯半導(dǎo)體公司近期公布雙方已經(jīng)簽署的最終協(xié)議，英飛凌將會(huì)以每股23.85美元現(xiàn)金收購(gòu)賽普拉斯，總企業(yè)價(jià)值為90億歐元。

并購(gòu)賽普拉斯之后，英飛凌將會(huì)強(qiáng)化推動(dòng)結(jié)構(gòu)增長(zhǎng)的核心，并將公司的技術(shù)應(yīng)用至更廣泛的領(lǐng)域。這將加速?gòu)?qiáng)化公司近年盈利增長(zhǎng)的基礎(chǔ)。賽普拉斯擁有包括微控制器、軟件和連接組件等具差異化的產(chǎn)品組合，與英飛凌具領(lǐng)先地位的功率半導(dǎo)體、傳感器和安全解決方案優(yōu)勢(shì)高度互補(bǔ)。結(jié)合雙方的技術(shù)資產(chǎn)將能為電動(dòng)馬達(dá)、電池供電裝置和電源供應(yīng)器等高增長(zhǎng)應(yīng)用領(lǐng)域提供更全面先進(jìn)的解決方案。英飛凌的安全專(zhuān)長(zhǎng)加上賽普拉斯的連接技術(shù)將使公司加速進(jìn)入工業(yè)和消費(fèi)市場(chǎng)的全新物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域。在汽車(chē)半導(dǎo)體方面，微控制器和NOR閃存的擴(kuò)大組合將提供巨大潛力，尤其是在先進(jìn)的駕駛輔助系統(tǒng)和汽車(chē)全新電子架構(gòu)上的應(yīng)用日益重要。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

研發(fā)用于多域戰(zhàn)場(chǎng)的新型氮化鎵晶體管

諾斯羅普·格魯曼公司設(shè)計(jì)了下一代基于氮化鎵（GaN）的技術(shù)，該技術(shù)被稱(chēng)為“超級(jí)晶格場(chǎng)效應(yīng)晶體管”（SLCFET），它主要應(yīng)用于多域戰(zhàn)場(chǎng)空間領(lǐng)域（這一概念涉及通過(guò)安全和彈性網(wǎng)絡(luò)連接傳感器和射擊器）。

SLCFET是基于GaN的超晶格來(lái)產(chǎn)生平行的、堆疊的電流通道，每個(gè)通道都由三維的柵門(mén)控制，由于其形狀類(lèi)似于城堡的頂部而得名。它旨在為下一代軍用射頻（RF）系統(tǒng)提供卓越的超寬帶頻率性能。

諾斯羅普·格魯曼公司正在其先進(jìn)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（ATL，現(xiàn)在是美國(guó)國(guó)防部信任的代工廠）開(kāi)發(fā)一種技術(shù)，使他們能夠在生產(chǎn)軍事規(guī)格的微電子芯片時(shí)，能夠保持GaN、砷化鎵、硅和碳化硅的廣泛工藝，這其中涉及到了抗輻射加固技術(shù)。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所）

我國(guó)科學(xué)家研制出新型銻化物半導(dǎo)體量子阱激光器

在國(guó)家973計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金委重大項(xiàng)目等支持下，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牛智川研究員團(tuán)隊(duì)深入研究銻化物半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)物理、異質(zhì)結(jié)低維材料外延生長(zhǎng)和光電器件的制備技術(shù)等，突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新設(shè)計(jì)金屬光柵側(cè)向耦合分布反饋（LC—DFB）結(jié)構(gòu)，成功實(shí)現(xiàn)了2μm波段高性能單模激光器，邊模抑制比達(dá)到53dB，是目前同類(lèi)器件的最高值；而且輸出功率達(dá)到40mW，是目前同類(lèi)器件的3倍以上。

在銻化物量子阱大功率激光器方面，紙絕緣薄膜電容器（FP）腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實(shí)現(xiàn)1.62W和16W的室溫連續(xù)輸出功率，綜合性能達(dá)到國(guó)際一流水平并突破國(guó)外高端激光器進(jìn)口限制性能的規(guī)定條款。（科技部）

復(fù)旦大學(xué)發(fā)明新的單晶體管邏輯結(jié)構(gòu)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)成員劉春森在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)觀察硅片表面。他們發(fā)明了讓單晶體管“1個(gè)人干2個(gè)人的活”的新邏輯結(jié)構(gòu)，使晶體管面積縮小50%，存儲(chǔ)計(jì)算的同步性也進(jìn)一步提升。如果成功產(chǎn)業(yè)化，將推動(dòng)集成電路向更輕、更快、更小、功耗更低方向發(fā)展。這一新的邏輯架構(gòu)可以通過(guò)器件級(jí)存算一體路徑破解數(shù)據(jù)傳輸阻塞瓶頸問(wèn)題，突破了現(xiàn)有邏輯系統(tǒng)中馮·諾依曼架構(gòu)的限制。（新華網(wǎng)）

大連理工研制出新型氮化鎵納米線(xiàn)氣體傳感器

日前，大連理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授黃輝團(tuán)隊(duì)發(fā)明了無(wú)漏電流“納米線(xiàn)橋接生長(zhǎng)技術(shù)”，解決了納米線(xiàn)器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問(wèn)題，研制出高可靠性、低功耗及高靈敏度的納米線(xiàn)氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測(cè)以及應(yīng)力應(yīng)變檢測(cè)等。

為解決納米線(xiàn)排列定位難、電極接觸面積小等一系列問(wèn)題為此，黃輝團(tuán)隊(duì)首次研究了納米線(xiàn)橋接生長(zhǎng)中的寄生沉積效應(yīng)，發(fā)明了一種橋接生長(zhǎng)方法，結(jié)合氣流遮擋效應(yīng)與表面鈍化效應(yīng)，解決寄生沉積問(wèn)題。研究人員采用新的刻槽方案和凹槽結(jié)構(gòu)，避免凹槽底部的材料沉積，實(shí)現(xiàn)納米線(xiàn)的橋接生長(zhǎng)。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

金剛石薄膜材料電化學(xué)傳感研究獲進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心聯(lián)合研究部薄膜材料與界面課題組研究員姜辛、副研究員黃楠指導(dǎo)博士研究生翟朝峰，利用CVD、PVD和電化學(xué)氧化技術(shù)研制出一種新型金剛石/碳納米墻負(fù)載氧化銅的三維網(wǎng)狀電化學(xué)傳感電極并用于葡萄糖分子的檢測(cè)工作。該電化學(xué)傳感電極表現(xiàn)出寬的線(xiàn)性檢測(cè)范圍、高靈敏度、低檢測(cè)極限以及良好的選擇性、優(yōu)異的重現(xiàn)性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性，進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，該電極在實(shí)際分析人體血清時(shí)呈現(xiàn)出良好的回收率，具有很高的生物分子識(shí)別能力。

分析表明，優(yōu)異的電化學(xué)傳感性能主要源于具有優(yōu)異物理化學(xué)性質(zhì)的金剛石/碳納米墻薄膜電極。一方面，碳納米墻由數(shù)十層近乎垂直于襯底生長(zhǎng)的石墨烯片層構(gòu)成，不僅具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和大的比表面積，還具有豐富的高電化學(xué)活性的石墨棱邊、易于傳質(zhì)的開(kāi)孔結(jié)構(gòu)、不易團(tuán)聚、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定等特點(diǎn)。另一方面，高楊氏模量的金剛石以納米片的形式貫穿整個(gè)薄膜電極，進(jìn)一步提高電極在應(yīng)用過(guò)程中的機(jī)械結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

MXene基高比能超級(jí)電容器研究獲進(jìn)展

近日，中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所二維材料與能源器件研究組研究員吳忠?guī)浥c中科院金屬研究所研究員王曉輝團(tuán)隊(duì)合作，采用二維金屬碳化物MXene為負(fù)極，碳納米管為正極，具有氧化還原活性的對(duì)苯二酚為正極電解液添加劑，構(gòu)建了氫離子“搖椅”式高比能超級(jí)電容器。

然而，目前報(bào)道的大部分是水系對(duì)稱(chēng)型超級(jí)電容器，存在工作電壓窗口較窄（一般為0.6V）的問(wèn)題，導(dǎo)致獲得的能量密度較低。因此，為充分發(fā)揮MXene的高比容量的特點(diǎn)，急需發(fā)展高電壓超級(jí)電容器，以獲得高的能量密度。（中國(guó)科學(xué)院）

智能變色半導(dǎo)體研究方面取得新進(jìn)展

中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、結(jié)構(gòu)化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室郭國(guó)聰課題組的王明盛研究小組新近致力于通過(guò)光致變色調(diào)制半導(dǎo)體高溫電學(xué)性質(zhì)。該團(tuán)隊(duì)先前提出通過(guò)熱顯色降低載流子濃度從而降低電導(dǎo)率的學(xué)術(shù)思路，但由于電導(dǎo)率隨溫度的增加而增加的固有規(guī)律占據(jù)優(yōu)勢(shì)，所研究的變色半導(dǎo)體在高溫下的變色和顯色態(tài)電導(dǎo)率相差很小。

為解決這個(gè)問(wèn)題，王明盛帶領(lǐng)的研究小組最近提出通過(guò)T—型光致變色半導(dǎo)體的逆向熱褪色過(guò)程來(lái)“節(jié)流”的學(xué)術(shù)思路：尋找一種能夠發(fā)生光致電子轉(zhuǎn)移的變色半導(dǎo)體，其電子轉(zhuǎn)移后載流子（電子和空穴）遷移率更高，但在高溫下能夠快速發(fā)生逆向電子轉(zhuǎn)移，在褪色的同時(shí)，使載流子（電子和空穴）遷移率變低。文獻(xiàn)報(bào)道，紫精基光致變色材料通常能夠發(fā)生熱褪色，且紫精離子可以通過(guò)陽(yáng)離子—p相互作用構(gòu)筑有機(jī)半導(dǎo)體。（中國(guó)科學(xué)院）

安徽銅陵支持集成電路產(chǎn)業(yè)加快創(chuàng)新發(fā)展

日前，安徽銅陵出臺(tái)《支持集成電路產(chǎn)業(yè)加快創(chuàng)新發(fā)展若干政策》，重點(diǎn)從招商引資、金融支撐、研發(fā)投入、資源共享、做大做強(qiáng)、配套支持等6方面進(jìn)行支持。

2019年，銅陵市將圍繞支持集成電路上市企業(yè)落戶(hù)、集成電路項(xiàng)目投資以及產(chǎn)業(yè)鏈配套招商進(jìn)行相應(yīng)獎(jiǎng)補(bǔ)，關(guān)鍵進(jìn)口設(shè)備在原有補(bǔ)助基礎(chǔ)上再加大扶持力度。同時(shí)，加強(qiáng)金融支撐，鼓勵(lì)縣區(qū)成立基金扶持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過(guò)政府資金引導(dǎo)及杠桿撬動(dòng)效應(yīng)，吸引社會(huì)資本進(jìn)入集成電路行業(yè)，為行業(yè)發(fā)展提供資金保障。同時(shí)對(duì)外地基金投資本地集成電路企業(yè)進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)；支持為集成電路項(xiàng)目在銅落戶(hù)進(jìn)行擔(dān)保；對(duì)集成電路企業(yè)給予貸款貼息，降低企業(yè)貸款成本。（銅陵日?qǐng)?bào)）