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自旋極化輸運(yùn)的方法討論

2019-04-19 12:07:08李慧周鳴宇吳世永
教育教學(xué)論壇 2019年17期

李慧 周鳴宇 吳世永

摘要:電子自旋注入和自旋相關(guān)輸運(yùn)是自旋電子學(xué)中被廣泛研究的課題。本文將介紹在自旋電子學(xué)器件上具有廣泛應(yīng)用前景的不同結(jié)構(gòu)中物理原理相關(guān)的材料問題,如F/I/S隧穿、F/I/F隧穿、Andreev反射。

關(guān)鍵詞:F/I/S隧穿;F/I/F隧穿;Andreev反射

中圖分類號:G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A 文章編號:1674-9324(2019)17-0223-02

一、F/I/S隧穿

參考文獻(xiàn):

[1]馮端,金國鈞.凝聚態(tài)物理[M].北京:高等教育出版社,2013:329-340.

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