日前，中國科學(xué)院電工研究所王秋良團隊成功研制出中心磁場高達32.35特斯拉(T)的全超導(dǎo)磁體。該磁體采用了自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創(chuàng)造的32.0 T超導(dǎo)磁體的世界紀錄，標(biāo)志著我國高場內(nèi)插磁體技術(shù)已經(jīng)達到世界領(lǐng)先水平。

此前低溫超導(dǎo)磁體產(chǎn)生的磁場強度上限為23.0 T左右。此次，王秋良團隊設(shè)計并建造了全新的超導(dǎo)線圈和支撐結(jié)構(gòu)，提高了線圈的整體工程電流密度和局部安全裕度，并采用軸向彈性支撐結(jié)構(gòu)和綁扎裝置，提高了超導(dǎo)接頭抵抗局部拉應(yīng)力集中的能力，使極高場內(nèi)插磁體的電磁安全裕度和應(yīng)力安全裕度都得以大幅提高。經(jīng)測試，此次建造的極高磁場超導(dǎo)磁體在液氦浸泡條件下產(chǎn)生了32.35 T的中心磁場，并且實現(xiàn)了在32.35 T全超導(dǎo)磁體的穩(wěn)定運行，其關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)均已滿足綜合極端條件實驗裝置國家重大科技基礎(chǔ)實施項目對極端強磁場的技術(shù)要求。

此項研究成果將服務(wù)于世界一流水平的綜合極端條件實驗裝置用戶，為我國物質(zhì)科學(xué)探索新物態(tài)、新現(xiàn)象、新規(guī)律等基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究提供最先進的強磁場實驗條件。