錢益心
摘要:本文利用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM),使用不同型號(hào)的探針,主要研究壓電材料鈦酸鋇極化條件下正壓力對(duì)摩擦力,粘附力的關(guān)系,同時(shí)也通過(guò)對(duì)比鈦酸鋇和硅片的摩擦力大小,觀察電子耗散對(duì)摩擦力的影響,并得出重要結(jié)論:對(duì)于鐵電材料鈦酸鋇而言,電子對(duì)摩擦力的影響不容忽視。
關(guān)鍵詞:原子力顯微鏡;鈦酸鋇;摩擦力
引言
摩擦學(xué)是一個(gè)古老的學(xué)科,人類在遠(yuǎn)古時(shí)期就學(xué)會(huì)摩擦生火,但是并沒有認(rèn)識(shí)到摩擦的本質(zhì)。
但真正系統(tǒng)提出聲子耗散模型的是1991年J.Krim[1]用石英晶振天平測(cè)量吸附在金表面的單層Kr薄膜的摩擦力和1994年Robbins等人[2]用分子動(dòng)力學(xué)探討聲子對(duì)摩擦的影響。他們認(rèn)為由于兩個(gè)物體的相對(duì)位移,會(huì)使物體的晶格原子有微小彈性變形,由于運(yùn)動(dòng)是單向的,滑動(dòng)處原子的勢(shì)能在滑動(dòng)方向上并不是對(duì)稱的,則該類原子在位移方向上會(huì)有躍遷位移的非對(duì)稱項(xiàng),這部分彈性變形能將以聲子方式向周圍介質(zhì)耗散。
聲子耗散由晶格振動(dòng)引起的,一般只有幾個(gè)納米。電子耗散既可由共價(jià)鍵、范德華等作用力引起,也可由電場(chǎng)力引起,電場(chǎng)力作用范圍可達(dá)到幾十納米。1986年,Krim等人[3-5]利用石英晶體微天平(QCM)研究鉛表面和在其上流動(dòng)的氮?dú)夥肿拥慕缑婺Σ?,發(fā)現(xiàn)當(dāng)溫度到達(dá)鉛的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(Tc=7.2K)時(shí)摩擦力突然大幅降低,并由此提出了電子對(duì)于摩擦力的影響。對(duì)此他們認(rèn)為:摩擦的能量耗散形式有兩種:電子空穴對(duì)的擴(kuò)散散射和聲子激勵(lì)。在超導(dǎo)態(tài)下,材料的電阻為零,電子散射很小,摩擦系數(shù)大幅降低。2001年Kuleba等[6]研究超導(dǎo)轉(zhuǎn)變對(duì)于材料摩擦性能的影響,發(fā)現(xiàn)很多材料在超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下摩擦系數(shù)都大幅降低。
隨著電子及微電子工業(yè)的快速發(fā)展,日美等發(fā)達(dá)國(guó)家研制出了一系列高純度超細(xì)鈦酸鹽產(chǎn)品。從以前的喇叭到電容器中,基本都離不開壓電材料,鈦酸鋇晶體被廣泛應(yīng)用于超聲波儀器和水底探測(cè)器中。這些壓電材料在摩擦過(guò)程中電子耗散后會(huì)嚴(yán)重影響其使用壽命,因此對(duì)壓電材料的摩擦性能進(jìn)行研究已經(jīng)刻不容緩。
本文主要的研究工作是對(duì)鈦酸鋇使用不同型號(hào)的探針進(jìn)行粘附力的測(cè)量,同時(shí)還研究了正壓力與粘附力的關(guān)系,并且將鈦酸鋇與硅片上的摩擦力進(jìn)行對(duì)比,并且得出相關(guān)結(jié)論:鈦酸鋇上的摩擦能耗不僅僅有聲子耗散,電子耗散同樣占據(jù)重要位置且不容忽視。
1 材料
鈦酸鋇(BaTiO3)是最早發(fā)現(xiàn)的一種具有ABO3型鈣鈦礦,是具有壓電效應(yīng)的鐵電體[7_ENREF_2]。樣品購(gòu)自合肥科晶材料技術(shù)有限公司。
2.實(shí)驗(yàn)
2.1 樣品介紹
實(shí)驗(yàn)所用鈦酸鋇在z軸方向上存在電偶極矩(實(shí)驗(yàn)溫度大約在25℃),是電子陶瓷中使用最廣泛的材料之一,被譽(yù)為“電子陶瓷工業(yè)的支柱”?[8],鈦酸鋇的電容率大、非線性強(qiáng)(可調(diào)性高),但嚴(yán)重依賴于溫度和頻率。樣品形狀是5x5x0.5 mm的長(zhǎng)方體,表面粗糙度達(dá)到皮米級(jí)別。
2.2 探針的選擇
本實(shí)驗(yàn)一共選擇了兩種探針進(jìn)行對(duì)比,分別是不導(dǎo)電探針AC240TS和導(dǎo)電探針AC240TM。這兩種探針除了導(dǎo)電性不一樣,針尖半徑也相差較大,AC240TM由于鍍了金屬半徑約為30nm,AC240TS半徑約10nm。
2.3摩擦力測(cè)量方法
探針的測(cè)向靈敏度校正主要采用楔形法。本實(shí)驗(yàn)采用光柵法[9-11]進(jìn)行測(cè)量,所使用的型號(hào)為TGG01。
3.實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論
鈦酸鋇在能量耗散上面既有電子耗散也有聲子耗散。為了探究極化電荷對(duì)摩擦力的影響,我們還在硅表面進(jìn)行了不同探針的摩擦力的測(cè)量。由于硅表面也很光滑,表面粗糙度和鈦酸鋇一樣,但是不具有壓電效應(yīng),將實(shí)驗(yàn)結(jié)果和鈦酸鋇進(jìn)行對(duì)比就可得出極化電荷對(duì)摩擦力的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖1所示。
從圖1可以看出,不管使用的探針是否導(dǎo)電,具有壓電效應(yīng)的鈦酸鋇測(cè)量得到的摩擦力始終高于在硅片上測(cè)量得到的摩擦力。
圖1的結(jié)果排除了表面粗糙度等因素的影響,我們將高出來(lái)的那部分歸結(jié)為壓電效應(yīng)的影響,主要是電子的耗散引起的摩擦力的增大。并且從實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看,隨著正壓力的增加,鈦酸鋇和硅片上的摩擦力數(shù)值之差越來(lái)越大,這是因?yàn)槭┘拥耐廨d荷大了,壓電常數(shù)不變,因此表面會(huì)積聚更多的電荷,電子耗散會(huì)更多。
摩擦力-正壓力線性關(guān)系表明實(shí)驗(yàn)中針尖與樣品表面存在多個(gè)粗糙峰的接觸。Schwarz等人[12]在氬氣環(huán)境下選用無(wú)定形碳作為樣本,使用不同半徑的球型探針,測(cè)得一系列FL—FN曲線,也得出摩擦力隨著正壓力的增加呈近似線性變化的結(jié)論。摩擦力對(duì)法向載荷的依賴與其他組的實(shí)驗(yàn)結(jié)果[13-14]一致,證實(shí)我們實(shí)驗(yàn)的正確性。
4.總結(jié)
1. 當(dāng)探針與樣品有較長(zhǎng)時(shí)間的停留時(shí),粘附力會(huì)增大;
2. 摩擦力與正壓力呈線性關(guān)系;
3. 對(duì)于鈦酸鋇而言,電子耗散導(dǎo)致的摩擦力不容忽視。
4. 壓電材料的摩擦不僅與聲子耗散有關(guān),電子耗散也起著重要作用。
參考文獻(xiàn)
[1]J. Krim,D. H. Solina,and R. Chiarello,“NANOTRIBOLOGY OF A KR MONOLAYER - A QUARTZ-CRYSTAL MICROBALANCE STUDY OF ATOMIC-SCALE FRICTION,” Physical Review Letters,vol. 66,no. 2,pp. 181-184,Jan,1991.
[2]M. Cieplak,E. D. Smith,and M. O. Robbins,“MOLECULAR-ORIGINS OF FRICTION - THE FORCE ON ADSORBED LAYERS,” Science,vol. 265,no. 5176,pp. 1209-1212,Aug,1994.
[3]Mason B L,Winder S M,Krim J . On the current status of quartz crystal microbalance studies of superconductivity-dependent sliding friction[J]. Tribology Letters,2001,10(1-2):59-65.
[4]Krim J . Surface science and the atomic-scale origins of friction:What once was old is new again[J]. Surface Science,2002,500(1-3):741-758.
[5]Dayo A,Alnasrallah W,Krim J . Superconductivity-Dependent Sliding Friction[J]. Physical Review Letters,1998,80(8):1690-1693.
[6]Kuleba V I,Ostrovskaya Y L,Pustovalov V V . Effect of superconducting transition on tribological properties of materials[J]. Tribology International,2001,34(4):237-246.
[7]壓電鐵電物理,科學(xué)出版社,?王春雷,李吉超,趙明磊
[8]全學(xué)軍,蒲昌亮.鈦酸鋇的制備研究進(jìn)展:材料導(dǎo)報(bào),2002
[9]Ogletree D F,Carpick R W,Salmeron M . Calibration of Frictional Forces in Atomic Force Microscopy[J]. Review of Scientific Instruments,1996,67(9):3298-3306.
[10]Binnig G,Quate C F,Gerber C. Atomic force microscope[J]. Physical Review Letters,2018,56(9):930-933.
[11]Mate C M,Mcclelland G M,Erlandsson R,et al. Atomic-Scale Friction of a Tungsten Tip on a Graphite Surface[J]. Physical Review Letters,1987,59(17):1942.
[12]K?ster P. Quantitative analysis of the frictional properties of solid materials at low loads. II. Mica and germanium sulfide[J]. Physical Review B,1997,56(11):6987-6996.
[13]Corwin A D,De Boer M P. Effect of adhesion on dynamic and static friction in surface micromachining[J]. Applied Physics Letters,2004,84(13):2451-2453.
[14]Riedo E,Brune H. Young modulus dependence of nanoscopic friction coefficient in hard coatings[J]. Applied Physics L