曲玉寧 王麗麗 嚴(yán)峰 余建國
摘 要:以本校四大化學(xué)基礎(chǔ)課程體系與教學(xué)內(nèi)容的改革為基礎(chǔ),從教學(xué)內(nèi)容、教學(xué)實踐和實驗特色等方面對《綜合化學(xué)實驗》-硫醇自組裝動力學(xué)的測定的實驗進行設(shè)計,旨在培養(yǎng)學(xué)生的分析問題和解決問題的能力,提高學(xué)生綜合素質(zhì)和創(chuàng)新能力。
關(guān)鍵詞:綜合化學(xué)實驗;動力學(xué);電化學(xué)
為了適應(yīng)社會發(fā)展對高素質(zhì)、創(chuàng)新型人才的需求,本校的化學(xué)實驗教學(xué)中心積極推進實驗教學(xué)體系改革,其中《綜合化學(xué)實驗》是物理化學(xué)實驗教學(xué)體系重要組成部分,在學(xué)生創(chuàng)新能力和綜合思維能力的培養(yǎng)起著重要作用。本文從教學(xué)內(nèi)容、教學(xué)實踐和實驗特色等方面對《綜合化學(xué)實驗》–硫醇自組裝動力學(xué)的測定的實驗設(shè)計從實驗原理、實驗步驟等方面介紹。
實驗原理
具有高度的穩(wěn)定性和有序性的特性的分子自組裝膜,自組裝膜中的分子有序排列,缺陷還少,從而在分子水平上研究自組裝膜的表面和界面現(xiàn)象。根據(jù)自組裝膜的特點可以采用近代物理和化學(xué)的表征技術(shù)研究。為考察界面體系中的分子自組裝膜的特殊相互作用和分子結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)因素對于有序分子組裝體系提供較大的設(shè)計自由因素,因此自組裝膜的可控性研究在電化學(xué)的基礎(chǔ)中廣泛的研究。
自組裝膜的研究廣泛的采用靈敏性的電化學(xué)方法進行研究,而在電化學(xué)研究方法中,循環(huán)伏安方法用的最為廣泛,它可用于考察SAM的性能。在電解質(zhì)溶液中和SAM修飾的電極之間可近似的認(rèn)為是理想的平板電容器,其界面雙層電容計算公式如公式(1):
(1)
式中:△i為充放電電流絕對值總和(?滋A);v為循環(huán)伏安的掃描速率(V/s);A為電極的面積(cm2);C為修飾電極的單位面積界面雙層電容(?滋F/cn2)。
金屬在比其熱力學(xué)電位更低處發(fā)生的電位沉積的現(xiàn)象被稱之為金屬的欠電位沉積。金屬的欠電位沉積常常發(fā)生在異體底物上的沉積。這種方法是制備精細結(jié)構(gòu)單層修飾電極所采用的廣泛的手段。在金屬的欠電位沉積方法中,通常是在貴金屬或者過渡金屬基底將金屬元素欠電位沉積,在此基礎(chǔ)上從而形成空間結(jié)構(gòu)的單原子層。
溫度一定的條件下,可以采用朗格繆爾吸附等溫式的一級吸附動力學(xué)方程來描述硫醇自組裝的過程如公式(2):
(2)
式中:?茲是已吸附的吸附位;c是硫醇的濃度;t是組裝時間;kad為吸附常數(shù);?茲也可由循環(huán)伏安法中的電容和欠電位沉積中的積分電量求得。如果利用循環(huán)伏安法求電容得公式如(3)所示:
(3)
式中:Cgold為裸金電極的電容;Ct為在t時刻該電極的電容;CSAM為硫醇單分子層組裝致密時的電容。
如果利用欠電位沉積求得如公式(4)所示:
(4)
式中:Qt是任何時間t時的積分電荷量(C/mol);Q0為初始的金電極的積分電荷量(C/mol)。
(5)
式中:n為物質(zhì)的量(mol);Z為電極反應(yīng)中的電子得失數(shù);F為法拉第常數(shù)(96485C/mol);A為電極面積(cm2)。
將(2)式整理得:
(6)
則以ln(1-?茲)為縱坐標(biāo),t為橫坐標(biāo)作圖,可以得到一條直線,由該直線的斜率可以求得硫醇自組裝的動力學(xué)常數(shù)kad。
實驗步驟
1.溶液配制
(1)制備0.2mol/LCuSO4和0.1mol/L的H2SO4溶液1L。(2)制備10半胱氨酸的乙醇溶液。(3)制備0.5mol/L的硫酸溶液。
2.金電極的處理和組裝
(1)電極的預(yù)處理:先用砂紙打磨,再用蒸餾水淋洗多次,最后進行5min的低功率的超聲清洗。
(2)電化學(xué)處理:利用循環(huán)伏安法對已處理過的金電極進行化學(xué)清洗至穩(wěn)定的循環(huán)伏安圖。電解液:每隔15min換一次0.5mol/L的硫酸電解液。
(3)測量電極表面積及表面粗糙因子
(4)選擇金電極氧化還原圖的平穩(wěn)電位區(qū)間循環(huán)掃描,得到裸金電極的充放電電流圖,電解質(zhì)是0.5mol/L的硫酸。
(5)用蒸餾水、乙醇淋洗電極,然后把電極浸入電解質(zhì)溶液中,浸泡時間一定,硫醇的乙醇溶液為電解質(zhì)溶液。
(6)取出電極,分別用乙醇和高純水分別淋洗,然后轉(zhuǎn)入電解池進行電化學(xué)測試。
3.表面覆蓋度的測定
(1)采用三電極體系,工作電極、鉑絲輔助電極和甘汞電極,0.5mol/L的硫酸為電解質(zhì)溶液,在所選的電位區(qū)間內(nèi),掃描修飾后的金電極,得其電容圖。然后用蒸餾水反復(fù)淋洗后,置于0.2mol/L CuSO4/0.1mol/LH2SO4溶液中,循環(huán)掃描得到Au的欠電位沉積的伏安圖。
(2)將電極進行電化學(xué)拋光,溶液時硫酸溶液。準(zhǔn)備下一組實驗。如果得不到完美的Au電極的CV圖,需要重新拋光電極。
結(jié)果與討論
1.從金電極在硫酸溶液中的循環(huán)伏安曲線的還原峰求電極表面積,并計算表面粗糙因子。由金電極的電容圖計算。
2.由修飾的金電極電容圖計算。由欠電位沉積結(jié)果計算。
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