朱春燕
(西安工業(yè)大學(xué)北方信息工程學(xué)院,陜西 西安 710200)
減反射薄膜是光學(xué)薄膜中應(yīng)用最多的膜系之一,它的發(fā)展也得到了更廣泛的關(guān)注。本文對光纖端面根據(jù)光纖通信1 520~1 580 nm設(shè)計研究減反射膜的使用有著重要的實用價值[1]。本課題依據(jù)矢量作圖法與矩陣法(也稱為解析法)對鍍膜情況進(jìn)行分析計算,設(shè)計出膜系,然后通過計算機(jī)軟件得出模擬曲線。
當(dāng)激光從空氣射入光纖中時,其反射率R=4.2%,這樣的光纖端面反射會使光波在光纖傳輸時帶來一定的光能損耗,因此在光纖端面鍍光學(xué)薄膜是很有必要的。鍍單層膜時,根據(jù)矢量分析要得到零反射必須滿足兩個條件:(1)膜層的厚度為波長的1/4。(2)其折射率為基底和入射媒介折射率相乘的平方根。但是在實際情況中我們很難找到滿足此種要求的材料。一般情況選用氟化鎂(MgF2)作為減反射膜材料。利用矩陣法可得知其反射率R=0.94%,但依然達(dá)不到此次設(shè)計要求,因此需要設(shè)計雙層膜系。
目前,可以用作膜料的元素或者化合物有很多,它們適用于不同波段,不同的鍍制要求[2]。但就其穩(wěn)定性、力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)等全方位考慮,適用的材料并不是很多[3],根據(jù)薄膜材料的要求,這里列出幾種滿足要求的材料:氟化鎂(MgF2)、硫化鋅(ZnS)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鈦(TiO2)和二氧化硅(SiO2)。
我們分別用矢量法與矩陣法得出的膜系,然后通過膜系設(shè)計軟件得出模擬反射率曲線,如圖1—2所示,可以看出矩陣法得出的膜系比較精確,曲線較矢量作圖法得出的膜系曲線符合設(shè)計要求。
2.1.1 矢量法得出的膜系
基底:1.52;二氧化鋯:0.394 444 H;二氧化硅:1.266 666 L;空氣:1.0。
2.1.2 矩陣法得出的膜系
基底:1.52;二氧化鋯:0.389 933 H;二氧化硅:1.262 314 L;空氣:1.0。
圖1 矢量作圖法得出的反射率曲線
圖2 矩陣法得出的反射率曲線
其矩陣法得出的膜系,此膜系通過計算機(jī)模擬反射率曲線如圖3所示。
圖3 TiO2-SiO2模擬反射率曲線
基底:1.52;二氧化鈦:0.217 840 589 H;二氧化硅:1.336 166 2 L;空氣:1.0。
膜系如下,此膜系通過計算機(jī)模擬反射率曲線如圖4所示。
圖4 ZnS-MgF2膜系模擬反射率曲線
基底:1.52;硫化鋅:0.207 84 H;氟化鎂:1.276 99 L;空氣:1.0。
對3種方案進(jìn)行對比,首先,從上述列出的圖表數(shù)據(jù)可以看出3種方案均可以滿足要求。膜系反射率和透射率曲線方案C相匹配的膜系為最佳。方案A相匹配的膜系次之,方案B相匹配的膜系不如方案A與方案C。但由計算機(jī)模擬計算數(shù)據(jù)得出方案B與方案C的第一層低折射率層光學(xué)厚度在100 nm以下,在鍍制薄膜時用光學(xué)控制方法不容易控制。而方案A的第一層低折射率層光學(xué)厚度約為150 nm,600 nm的極值法光控鍍制比較容易實現(xiàn)。其次,對于方案C而言,由于膜有很高的張應(yīng)力所以在室溫下鍍制時非常容易破裂。因此鍍制過程中需要加溫。當(dāng)基底溫度達(dá)到250~300 ℃以上時,膜層較硬,否則它會形成軟膜,擦拭容易掉膜。而另一方面,在蒸發(fā)時會分解S,但是在凝結(jié)的過程中,又重新化合,所以仍能得到化學(xué)成分與初始材料近似一致的膜層。在常規(guī)的蒸發(fā)速率下,當(dāng)基底溫度提高時就停止凝結(jié)。由此可見,在鍍制此膜系過程中溫度不容易控制。若鍍制過程中加溫會影響與光纖連接的電子器件的性能,所以鍍制過程只能在室溫下進(jìn)行。因此,方案C不適合本課題研制。在方案B中,由于材料在真空中加熱蒸發(fā)時會分解失氧,形成高吸收的鈦的亞氧化物薄膜由此可得,選擇方案A。
通過本次設(shè)計,選擇方案A,以及討論了如何對一個膜系結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行評價。另外在膜系制備過程中,尤其要較為精確地控制膜系的敏感因子,以減少它的偏差對膜系透過率帶來的不利影響。在所有結(jié)構(gòu)偏差因子中,折射率偏差對膜系透過率的影響,并且膜系中最外層薄膜的折射率對透過率的影響最大。因而在制備膜系過程中就要注意折射率的變化,嚴(yán)密控制試驗裝置、工藝參數(shù)等來完成。