(沈陽理工大學(xué) 環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院,遼寧 沈陽110159)
鎂合金具有比強(qiáng)度高、導(dǎo)熱導(dǎo)電性好、阻尼減振、電磁屏蔽、易于機(jī)械加工等優(yōu)點,已廣泛用于汽車、航空航天、電子器件等領(lǐng)域[1-3]。鎂合金化學(xué)鍍Ni-P合金鍍層致密、無孔、耐蝕性好,在某些情況下甚至可以代替不銹鋼使用[4]。本文對試片進(jìn)行化學(xué)鍍鎳前處理,以期得到性能更加優(yōu)異的鍍層。
基體材料為AZ91 D鎂合金。試樣尺寸為20 mm×10 mm×10 mm。
采用正交試驗,以ZnCl2(A)、NaF(B)、K2CO3(C)和 K4P2O7·10H2O(D)為試驗因素,以點滴時間為評價指標(biāo),研究鎂合金化學(xué)鍍鎳前處理的最佳工藝條件。選取的試驗因素和水平如表1所示。
表1 正交試驗因素水平表
(1)采用3%的CuSO4溶液作為點滴液,測試鍍層的點滴時間。
(2)采用GX60-DS型金相顯微鏡觀察鍍層的表面形貌。
(3)采用上海辰華CHI660E型電化學(xué)工作站進(jìn)行極化曲線測試,工作電極為試片,參比電極為飽和甘汞電極(SCE),輔助電極為鉑電極。電解液采用3.5%的NaCl溶液,溫度為(25±5)℃。極化曲線的掃描速率為1 m V/s,掃描范圍為1 cm2。
表2為正交試驗結(jié)果。
表2 正交試驗結(jié)果
四個因素的極差大小為A>C>D>B,即四個因素對試驗結(jié)果的影響順序為ZnCl2>K2CO3>K4P2O7·10 H2O> NaF。
通過四個因素對點滴時間的影響,可以得出鎂合金化學(xué)鍍鎳的最優(yōu)前處理工藝為A2C2D1B2,即ZnCl230 g/L,K2CO34 g/L,K4P2O7·10 H2O 90 g/L,NaF 5 g/L。
由正交試驗結(jié)果可知,ZnCl2是影響鍍層點滴時間的最主要因素。當(dāng)ZnCl2的質(zhì)量濃度較低時,鍍層的點滴時間較短;當(dāng)ZnCl2的質(zhì)量濃度增加時,鍍層的點滴時間明顯延長;到達(dá)峰值后,鍍層的點滴時間隨ZnCl2的質(zhì)量濃度的增加反而變短。因此,需要進(jìn)一步確定ZnCl2的質(zhì)量濃度。
2.2.1 范圍確定
在 K2CO34 g/L、K4P2O7·10H2O 90 g/L、NaF 5 g/L的條件下,研究ZnCl2的質(zhì)量濃度對鍍層點滴時間的影響,結(jié)果如圖1所示。由圖1可知:隨著ZnCl2的質(zhì)量濃度的增加,點滴時間先延長后縮短;當(dāng)ZnCl2的質(zhì)量濃度達(dá)到28 g/L時,點滴時間最長。另外,當(dāng)ZnCl2的質(zhì)量濃度為28~30 g/L時,點滴時間的變化較小,在此范圍內(nèi)點滴時間相對較長。為了確定ZnCl2的最佳質(zhì)量濃度,進(jìn)一步進(jìn)行實驗。
圖1 ZnCl2的質(zhì)量濃度對鍍層點滴時間的影響
2.2.2 質(zhì)量濃度的確定
不改變其他藥品量,將ZnCl2的質(zhì)量濃度分別控制為28.0 g/L、28.5 g/L、29.0 g/L、29.5 g/L、30.0 g/L,所得鍍層的點滴時間如圖2所示。由圖2可知:當(dāng)ZnCl2的質(zhì)量濃度為28.5 g/L時,鍍層的點滴時間最長(為71 s),此時鍍層的耐蝕性最好。
圖3為最佳配方下試樣的金相圖。由圖3可知:鍍層表面均勻、平整,無孔隙和裂痕出現(xiàn),基體表面被均勻覆蓋。
圖2 ZnCl2的質(zhì)量濃度為28.0~30.0 g/L時鍍層的點滴時間
圖3 最佳配方下試樣的金相圖
圖4為鎂合金基體、普通化學(xué)鍍鎳層及前處理后的化學(xué)鍍鎳層的極化曲線。表3為極化曲線的擬合結(jié)果。
圖4 極化曲線
由圖4和表3可知:對鎂合金基體表面進(jìn)行處理,可以增加自腐蝕電位、減小自腐蝕電流密度。普通化學(xué)鍍鎳、前處理后化學(xué)鍍鎳均可以提高基體的耐蝕性,而且前處理后的化學(xué)鍍鎳層的自腐蝕電位高達(dá)-0.551 V,耐蝕性大大增強(qiáng)。另外,前處理后的化學(xué)鍍鎳層的自腐蝕電流密度為2.213×10-6A/cm2,與普通化學(xué)鍍鎳層的自腐蝕電流密度十分接近,均比鎂合金基體的自腐蝕電流密度降低了1個數(shù)量級??梢?,前處理后化學(xué)鍍鎳的鎂合金表面更耐腐蝕,化學(xué)鍍鎳可以有效保護(hù)鎂合金基體。
表3 極化曲線的擬合結(jié)果
通過實驗,得到最佳的鎂合金化學(xué)鍍鎳前處理工藝條件:ZnCl228.5 g/L,K2CO34 g/L,K4P2O7·10 H2O 90 g/L,NaF 5 g/L。此時,鍍層的自腐蝕電流密度為2.213×10-6A/cm2,自腐蝕電位為-0.551 V,自腐蝕電流密度較基體的降低了1個數(shù)量級,自腐蝕電位正移了0.943 V,耐蝕性大大提高。另外,鍍層平整、光滑,均勻覆蓋基體。