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IGBT應(yīng)用中特別關(guān)注的事項(xiàng)

2018-08-24 22:24:38徐建軍
科學(xué)與財(cái)富 2018年24期
關(guān)鍵詞:集成電路

徐建軍

摘 要:IGBT是一種場控器件,作為現(xiàn)代功率半導(dǎo)體的一個重要分支,已經(jīng)得到廣泛的研究和應(yīng)用。由于IGBT這類場控器件的開關(guān)特性和安全工作區(qū)是跟隨門極驅(qū)動電路的變化而變化,因此如果驅(qū)動線路性能不好,將直接影響到IGBT正常工作,甚至?xí)?dǎo)致它的損壞。

關(guān)鍵詞:電力電子分立元件;IGBT;集成電路;驅(qū)動線路

20世紀(jì)80年代以前,電力電子與集成電路本互不相干,電力電子需要靠分立元件組成的電路來實(shí)現(xiàn),那時該領(lǐng)域的主要研究方向是有更大處理容量的功率半導(dǎo)體器件。到20世紀(jì)80年代中期,出現(xiàn)了一類新型的可控MOS器件,像IGBT,MODFET等。這些器件因?yàn)橛休^高的輸入阻抗,較低的門極輸入電流要求,使得門極驅(qū)動電路的元件尺寸大幅地減少,因而易于集成,從而使得系統(tǒng)中的分立元件數(shù)大大降低,并由此帶來系統(tǒng)的成本降低,尺寸減少,重量減輕,可靠性增加。這些特點(diǎn)使得功率集成電路給電力電子的應(yīng)用帶來新的活力,開辟了驅(qū)動集成電路廣泛應(yīng)用的一個嶄新的時代

IGBT作為現(xiàn)代集成的功率半導(dǎo)體器件中的一個重要分支,已經(jīng)得到廣泛的研究和應(yīng)用。它是一種場控器件,它的開通和關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極之間電壓決定,當(dāng)柵極電壓為正且大于開啟電壓時,器件內(nèi)部形成導(dǎo)通溝道并為PNP晶體管提供基極電流,進(jìn)而使IGBT導(dǎo)通;當(dāng)柵極和發(fā)射極之間不加電壓或加反向電壓時,該器件內(nèi)溝道消失,PNP晶體管的基極電流被切斷,IGBT關(guān)斷。以上是IGBT的工作特點(diǎn)。由于它的開關(guān)特性和安全工作區(qū)是隨著門極驅(qū)動電路特性的變化而變化,因此,驅(qū)動電路性能好壞,將直接影響IGBT的正常工作。在IGBT的應(yīng)用中,要特別關(guān)注以下問題。

1,IGBT的開通和關(guān)斷應(yīng)快速響應(yīng),這就要求門極驅(qū)動電路電壓脈沖的上升沿和下降沿很陡,響應(yīng)時間最短。IGBT開通時,觸發(fā)電壓快速加到門極和發(fā)射極之間,使得IGBT快速導(dǎo)通。在IGBT關(guān)斷時,門極觸發(fā)電壓快速為零,并給IGBT提供一個反向,負(fù)偏的電壓。這樣使得IGBT快速關(guān)斷,減少關(guān)斷損耗。

2,IGBT導(dǎo)通后,為維持其功率輸出總處于飽和狀態(tài),門極觸發(fā)電路應(yīng)提供足夠大的電壓和電流。若發(fā)生IGBT瞬時過載,驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率足以保證IGBT不退出飽和區(qū)而損壞。

3,IGBT門極驅(qū)動電壓不是越高越好,其輸出級晶體管的導(dǎo)通壓降和開通損耗將隨著電壓升高而下降,但其集電極電流隨著電壓增加而增加,使得IGBT承受短路損壞的脈沖寬度變窄。因此在實(shí)際使用中,其正向驅(qū)動電壓應(yīng)取其需要的最小值。

IGBT開通的的柵極射極間驅(qū)動電壓易選15V---20V。

在IGBT關(guān)斷過程中需要提供反向偏壓,但 反向偏壓取值要合適,過大的反向偏壓會造成IGBT門極發(fā)射極的反向擊穿。關(guān)斷的反向偏壓易選—5V --- —15 V。

4,在大電感負(fù)載的情況下,IGBT的開通和關(guān)斷不易過快。其值取舍應(yīng)根據(jù)IGBT的電壓變化率參數(shù)和電路中所有組件的變化率參數(shù)來確定。因?yàn)镮GBT的快速開通和關(guān)斷將會在大負(fù)載電感的電路產(chǎn)生高頻率,高幅值的尖峰電壓,其脈沖寬度很窄。由于在電路中常規(guī)過壓保護(hù)吸收不了這樣的尖峰電壓,易造成IGBT損壞。參考器件選型手冊。

5,在IGBT內(nèi)部有寄生的集體管和寄生電容,寄生電容大約有數(shù)千皮法,使得驅(qū)動電路與IGBT損壞時的脈沖寬度產(chǎn)生密切關(guān)系,門極信號也會受到流過IGBT晶體管集電極電流的影響,在設(shè)計(jì)驅(qū)動電路時要上述影響,合理地處理這些關(guān)系。

6,對于IGBT應(yīng)用在高壓場合時,驅(qū)動電路應(yīng)該與控制電路采用電壓隔離,IGBT的門極驅(qū)動電路應(yīng)該簡單、實(shí)用,有抗干擾能力,自身帶有對被驅(qū)動的IGBT的完整保護(hù),它的輸出阻抗應(yīng)選最低,到IGBT的模塊的引線要短,應(yīng)采用絞線或者同軸電纜屏蔽線。

參考文獻(xiàn):

[1]《電力電子技術(shù)》 徐德鴻,馬皓??茖W(xué)出版社,2006年

[2]《電力電子電路》林渭勛等,浙江大學(xué)出版社,1986年

[3]《電力電子技術(shù)基礎(chǔ)》應(yīng)建平,林渭勛等,機(jī)械工業(yè)出版社 2003年

[4]《電力電子學(xué)—電力電子變換和控制技術(shù)》陳堅(jiān) 高等教育出版社 2002年

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