徐太棟
(中國船舶重工集團(tuán)公司第七二四研究所,南京 211153)
隨著相控陣?yán)走_(dá)GaN類高熱流密度芯片的大范圍應(yīng)用,組件芯片熱流密度普遍達(dá)到了10 W/cm2以上,而傳統(tǒng)單通道冷板的散熱能力一般在2~10 W/cm2,難以適應(yīng)高熱流密度組件散熱要求。因此,研究新型冷板形式對(duì)高熱流密度組件的推廣應(yīng)用成為了技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)。[1]
此外,傳統(tǒng)單通道冷板多用氮?dú)獗Wo(hù)釬焊加工成型,在長期使用過程中容易造成釬料腐蝕、冷卻液泄露燒毀設(shè)備等安全問題。所以,研究采用無釬料焊接技術(shù)進(jìn)行冷板加工成型對(duì)提高雷達(dá)電子設(shè)備安全性能具有重要意義。
經(jīng)過國內(nèi)外調(diào)查研究,以單相流回路冷卻方式解決10~70 W/cm2熱流密度散熱問題的冷板形式主要包括熱管冷板、微通道冷板、熱電制冷冷板和射流沖擊冷板等。上述冷板在應(yīng)用中主要存在以下問題:
(1) 熱管冷板均溫性較好,但生產(chǎn)加工較復(fù)雜,且熱管僅能夠增強(qiáng)冷板的熱傳導(dǎo),對(duì)制約冷板熱阻最明顯的對(duì)流換熱熱阻并沒有明顯改善;
(2) 微通道冷板對(duì)機(jī)械加工與焊接的要求較高,而且存在壓損較大的缺點(diǎn),對(duì)冷卻液品質(zhì)要求較高,容易發(fā)生堵塞;
(3) 熱電制冷冷板的總制冷量有限,受限于小型化與輕量化要求,熱電制冷技術(shù)難以適應(yīng)總熱量高達(dá)數(shù)百瓦乃至上千瓦的制冷需求;
(4) 射流沖擊冷板能夠解決1 000 W/cm2級(jí)的超高熱流密度散熱問題,但結(jié)構(gòu)較復(fù)雜,可靠性低,用來解決10~70 W/cm2量級(jí)散熱問題不經(jīng)濟(jì)。
上述冷板中,結(jié)構(gòu)形式最簡(jiǎn)單的為微通道冷板。微通道冷板為單一材料加工而成,冷卻液在微通道中流動(dòng)時(shí)不再遵守宏觀流體力學(xué)的規(guī)律(尤其是無滑移壁面條件),屬于介觀流體動(dòng)力學(xué)范疇。在微通道中,摩擦系數(shù)增大[2-3],層流向湍流過渡的臨界雷諾數(shù)減小,且臨界雷諾數(shù)對(duì)實(shí)驗(yàn)條件極為敏感。[4]對(duì)于長寬比較大的微通道冷板,目前公認(rèn)能夠獲得100~400 W/cm2級(jí)的散熱能力。[5]
微通道冷板能夠獲得較高的散熱能力是因?yàn)槠鋬?nèi)部流動(dòng)狀態(tài)能夠在較小雷諾數(shù)時(shí)過渡到湍流、邊界層熱阻被破壞、散熱面積大等原因。但是,細(xì)小的通道對(duì)整個(gè)冷卻系統(tǒng)的冷卻介質(zhì)提出了較高的潔凈度要求,壓力損失大,加工、焊接0.6 mm以下的微通道槽成本較高,用來解決10~70 W/cm2量級(jí)散熱問題同樣存在不經(jīng)濟(jì)的問題。
為解決10~70 W/cm2量級(jí)散熱問題、規(guī)避微通道冷板缺點(diǎn),本文提出了小通道冷板的概念:流道由眾多的翅片與小通道組成。典型的結(jié)構(gòu)形式如圖1所示。
小通道冷板具有以下特點(diǎn):
(1) 冷板流道為2 mm左右,冷卻液流態(tài)遵守宏觀流體動(dòng)力學(xué)規(guī)律,易于采用通用流體力學(xué)軟件進(jìn)行流阻與傳熱分析、輔助冷板設(shè)計(jì);
(2) 2 mm寬的流道也易于機(jī)械加工,普通數(shù)控機(jī)床即可完成加工,加工成本低;
(3) 小通道冷板的焊接成型采用擴(kuò)散焊接技術(shù),焊接質(zhì)量好,且焊接過程中不使用釬料,避免了傳統(tǒng)單通道冷板使用過程中冷卻液腐蝕釬料造成漏液、短路燒毀設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn);
(4) 流道由眾多的翅片組成,翅片極大增大了對(duì)流換熱面積,提高了冷卻液的利用效率,與傳統(tǒng)的單通道冷板相比,小通道冷板一般能夠?qū)?duì)流換熱面積提高到10倍以上;
(5) 翅片增加了通道內(nèi)的擾流,有效地破壞邊界層熱阻,提高對(duì)流換熱系數(shù)。
功放(GaN芯片)熱量經(jīng)過其內(nèi)熱阻傳導(dǎo)到基板上,又經(jīng)過基板熱阻傳導(dǎo)到冷板表面上,在冷板內(nèi)經(jīng)過冷板傳導(dǎo)熱阻傳導(dǎo)到水道壁面,再經(jīng)過水道對(duì)流換熱熱阻傳導(dǎo)到水道內(nèi)的冷卻介質(zhì)中,最終由冷卻介質(zhì)耗散至外界環(huán)境大氣熱沉。這是芯片熱量耗散的主要途徑。實(shí)際芯片的熱量耗散是通過圖2所示熱阻網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)的。
圖2中所示的3條熱流通路中:
(1) 與冷卻液強(qiáng)迫對(duì)流換熱相比,熱輻射向環(huán)境耗散的熱量很少,并不占主導(dǎo)部分,因此可以認(rèn)為功放、蓋板表面的熱輻射效應(yīng)很弱,在熱設(shè)計(jì)時(shí)不予考慮,熱阻網(wǎng)絡(luò)中的輻射熱阻視為無限大、熱輻射支路視為斷路。
(2) T/R組件蓋板與冷板夾層內(nèi)的空氣Gr數(shù)很小,自然對(duì)流換熱效應(yīng)很弱,對(duì)流換熱效果接近空氣的熱傳導(dǎo)效果,可以視為T/R內(nèi)部空氣以熱傳導(dǎo)為主。由于空氣的熱傳導(dǎo)系數(shù)(0.0267 W/mK)非常低,因此蓋板與冷板夾層內(nèi)的空氣是較好的隔熱材料,即認(rèn)為圖2熱阻網(wǎng)絡(luò)中功放表面與蓋板內(nèi)表面對(duì)流換熱熱阻無限大、空氣對(duì)流換熱支路視為斷路。
(3) 冷卻液與冷板的強(qiáng)迫對(duì)流熱阻較小,因此該條支路可以視為通路,冷板的熱設(shè)計(jì)優(yōu)化也主要從該支路入手。
小通道的截面特征尺寸一般都滿足l≥0.002 m,則根據(jù)式(1):
(1)
式中L為冷卻介質(zhì)平均分子自由程。對(duì)于常見介質(zhì),L多在10-9~10-10m量級(jí)。對(duì)于小通道流道,Kn數(shù)顯然滿足Kn>1,可以使用無滑移壁面條件[6]。
單通道與小通道冷板流道內(nèi)的冷卻液流態(tài)一般處于層流入口段狀態(tài),需要考慮層流入口段長度效應(yīng):
x=0.05PrReD
(2)
式中,Pr為冷卻液普朗特?cái)?shù),Re為流道內(nèi)冷卻液流動(dòng)的雷諾數(shù),D為流道特征尺寸,x為層流入口效應(yīng)段長度。
層流入口段的層流邊界層較稀薄,其邊界層熱阻較充分發(fā)展層流段的邊界層熱阻明顯偏小,因此在進(jìn)行理論計(jì)算時(shí)不能直接使用充分發(fā)展的層流換熱計(jì)算公式,而應(yīng)使用層流入口段的對(duì)流換熱計(jì)算公式[7]:
(3)
式中,l為水道長度,ηf為流體平均溫度下的動(dòng)力粘度,ηw為水道壁面溫度下的冷卻液動(dòng)力粘度,Nu為表征對(duì)流換熱的無量綱數(shù)。得到Nu數(shù)后即可計(jì)算出水道內(nèi)的對(duì)流換熱系數(shù)等。由于單通道與小通道冷板均屬于宏觀流體力學(xué)范疇,因此以上計(jì)算方法適用于這兩種結(jié)構(gòu)形式的冷板。對(duì)于本文研制的某T/R組件,當(dāng)流道形式為單通道時(shí),根據(jù)式(2)、(3)其內(nèi)部對(duì)流換熱系數(shù)為
(4)
該冷板水道橫截面設(shè)計(jì)為4×7 mm,結(jié)合水道長度可以計(jì)算得到其總對(duì)流換熱面積為0.01 m2,則冷板內(nèi)壁對(duì)流換熱熱阻為
(5)
由此可知,當(dāng)功放總熱量為320 W時(shí),水道內(nèi)壁對(duì)流換熱溫升應(yīng)為32.9 ℃。功放與冷板間的接觸熱阻為6.4 ℃,冷板的傳導(dǎo)熱阻為5.2 ℃,則從入口冷卻介質(zhì)到功放的溫升應(yīng)為44.5 ℃。
為了將理論計(jì)算、數(shù)值仿真與試驗(yàn)驗(yàn)證三者結(jié)合,本文對(duì)某組件進(jìn)行了數(shù)值模擬與試驗(yàn)驗(yàn)證(入口冷卻介質(zhì)取30 ℃,流量1.6 L/min,接觸熱阻通過查表計(jì)算后添加)。數(shù)值仿真基于Fluent進(jìn)行,采用結(jié)構(gòu)與非結(jié)構(gòu)混合網(wǎng)格,質(zhì)量守恒方程、動(dòng)量守恒方程的離散采用二階迎風(fēng)格式。
如圖3所示,熱源安裝法蘭處的最高溫度為76.4 ℃,相對(duì)于入口冷卻介質(zhì)溫升為46.4 ℃,與理論計(jì)算結(jié)果44.5 ℃相差4.1%。
結(jié)合理論計(jì)算與數(shù)值仿真,還對(duì)該單通道T/R組件進(jìn)行了散熱試驗(yàn)(供液流量1.6 L/min,供液溫度26 ℃),采用紅外溫度熱像儀測(cè)得了功放表面的溫度分布云圖如圖4所示。試驗(yàn)表明,單通道組件熱源溫升(相對(duì)于入口冷卻介質(zhì)溫度)為46.1 ℃。
理論分析、數(shù)值仿真與試驗(yàn)三者說明單通道冷板的熱阻溫升為46.1 ℃左右,其中對(duì)流換熱熱阻導(dǎo)致的溫升達(dá)到了33 ℃。對(duì)流換熱熱阻是造成單通道冷板溫升居高不下的主要原因。
為了解決單通道冷板散熱能力不足的問題,本文針對(duì)上述組件設(shè)計(jì)、制造了小通道冷板。兩種冷板外形、材料、熱源均相同,僅內(nèi)部流道結(jié)構(gòu)形式不同。圖5所示為小通道冷板組件,其內(nèi)部水道結(jié)構(gòu)如圖6所示。
該組件內(nèi)部水道分為多條分支,每條分支內(nèi)部均有翅片將水道分隔成為小通道,在并行小通道較多處采用變截面法實(shí)現(xiàn)通道間的流量平均。小通道冷板在焊接前加工出內(nèi)部水道,然后采用擴(kuò)散焊特種焊接工藝完成焊接。
本文對(duì)于供液溫度為30 ℃的情況進(jìn)行了熱仿真,仿真結(jié)果如圖7所示。溫度最高的芯片相對(duì)于冷卻介質(zhì)溫升為34.5 ℃。
試驗(yàn)測(cè)量了功放的溫度,如表1所示(正常水流量1.6 L/min、供液壓力0.07 Mpa)。
表1 功放溫度試驗(yàn)結(jié)果(℃)
最高溫升仿真值為34.5 ℃,試驗(yàn)值為33.4 ℃。仿真與試驗(yàn)說明:
(1) 小通道冷板相對(duì)于單通道冷板,將熱源芯片的溫升從46.1 ℃降低到了33.4 ℃,降低了熱源溫升12.7 ℃,明顯改善了組件散熱效果;
(2) 基于宏觀流體力學(xué)與傳熱學(xué)的CFD仿真方法依然適用于小通道冷板的熱仿真計(jì)算。
在后續(xù)的工程實(shí)踐中,基于本文小通道冷板設(shè)計(jì)方法及改進(jìn)技術(shù),成功解決了熱流密度為30 W/cm2的T/R組件散熱問題,以及熱流密度為70 W/cm2的數(shù)字子陣單元散熱問題。上述兩個(gè)工程實(shí)例已進(jìn)行熱設(shè)計(jì)性能試驗(yàn),組件工作穩(wěn)定。試驗(yàn)結(jié)果表明小通道冷板能夠有效解決10~70 W/cm2的散熱問題,冷板散熱性能穩(wěn)定可靠。
本文通過研究、設(shè)計(jì)小通道形式的新型冷板得到了以下結(jié)論:
(1) 目前已有試驗(yàn)表明,小通道冷板能夠有效解決10~70 W/cm2的組件散熱問題(傳統(tǒng)單通道冷板散熱能力為2~10 W/cm2),顯著提高了冷板散熱性能,能夠滿足相控陣?yán)走_(dá)GaN類功放的散熱需求。
(2) 小通道冷板流道內(nèi)冷卻介質(zhì)流態(tài)服從宏觀流體力學(xué)與傳熱學(xué)規(guī)律,不需要使用介觀或微觀流體力學(xué)(滑移壁面條件[8])進(jìn)行分析計(jì)算。當(dāng)通道尺寸、流態(tài)滿足克努森數(shù)條件時(shí),無滑移壁面條件是完全適用于小通道組件仿真計(jì)算的。
(3) 相對(duì)于微通道冷板,小通道冷板具有壓力損失小、不易堵塞的優(yōu)點(diǎn),在熱流密度為10 W/cm2量級(jí)時(shí)小通道冷板相對(duì)于微通道冷板更加經(jīng)濟(jì)適用。
本文提高冷板散熱能力主要是從冷板對(duì)流換熱這條熱流通路入手的,從風(fēng)冷板到傳統(tǒng)單通道液冷板提高的是對(duì)流換熱系數(shù),從單通道冷板到小通道冷板則是通過增加對(duì)流換熱面積、增強(qiáng)冷板內(nèi)擾動(dòng)、破壞邊界層熱阻實(shí)現(xiàn)的。在后續(xù)的研究中,將著眼于降低冷板傳導(dǎo)熱阻與界面間接觸熱阻、提高小通道的翅片利用效率,以及研究小通道的截面形式[9-10]與孔隙率對(duì)散熱性能影響等方面[11]。