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半導(dǎo)體摻雜技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

2018-03-22 11:44
電子技術(shù)與軟件工程 2018年3期
關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體器件大功率激光器

半導(dǎo)體摻雜技術(shù)是半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)之一。盡管半導(dǎo)體摻雜技術(shù)看起來好像很高深,但日常生活中用到半導(dǎo)體器件的設(shè)備卻隨處可見,比如智能手機、電視機、LED燈、激光器等。

隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小,各種量子效應(yīng)逐漸凸顯,經(jīng)典的器件設(shè)計理論將不再適用,使傳統(tǒng)半導(dǎo)體摻雜技術(shù)面臨巨大挑戰(zhàn)。

“新型半導(dǎo)體材料的摻雜機理研究是目前光電技術(shù)、凝聚態(tài)物理、新能源等領(lǐng)域的前沿?zé)狳c問題,對此我們開展了相關(guān)的基礎(chǔ)研究,試圖尋找關(guān)鍵科學(xué)問題的答案?!敝锌圃喊雽?dǎo)體研究所研究員李京波介紹。他主導(dǎo)的“新型半導(dǎo)體深能級摻雜機制研究”項目獲得了2017年度國家自然科學(xué)獎二等獎。

李京波團隊研究成果引起了國內(nèi)外學(xué)術(shù)界的關(guān)注,《自然—亞洲材料》曾將他們的研究發(fā)現(xiàn)作為“亮點”來介紹,該雜志指出:李京波及其合作者設(shè)計了一種新的方法來提高TiO2的光催化效率。

據(jù)介紹,以半導(dǎo)體激光器外延生長、摻雜技術(shù)等科學(xué)問題研究為支撐,在大功率半導(dǎo)體激光器芯片關(guān)鍵技術(shù)等方面,李京波團隊近來取得了多項創(chuàng)新成果:開發(fā)出六千瓦納秒脈沖激光器,平均功率最高達(dá)到了6000W,比目前國際上同類指標(biāo)高2000W;首次研發(fā)出大功率半導(dǎo)體激光器芯片,芯片單巴功率超過160瓦,壽命超過1萬小時。

李京波團隊已經(jīng)將此次獲獎項目的部分成果成功轉(zhuǎn)化為高功率脈沖激光器產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。他們在南昌經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的支持下,創(chuàng)辦了南昌中科創(chuàng)譜激光科技有限公司,預(yù)計2018年該公司的銷售收入將突破1億元。

“基礎(chǔ)研究是創(chuàng)新的根基,也是工業(yè)裝備升級的支撐,掌握了光纖激光器的基本原理,就可以突破大功率脈沖激光器的技術(shù)瓶頸?!崩罹┎◤娬{(diào)。

(來源:《科技日報》)

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