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CSAMT法在池州市某鉛鋅銀多金屬礦勘探的可行性研究

2018-02-28 03:47:12方木清
世界有色金屬 2018年23期
關(guān)鍵詞:斷面圖等值線電性

方木清

(安徽省地質(zhì)礦產(chǎn)勘查局324地質(zhì)隊(duì),安徽 池州 247000)

安徽省池州市某鉛鋅銀多金屬礦以往已進(jìn)行過多次不同程度的地質(zhì)、物化探工作,積累了一些資料,形成了一些認(rèn)識(shí)和看法,但是對(duì)礦化規(guī)律、控制因素、深部地質(zhì)信息還缺乏具體的基礎(chǔ)研究資料,找礦目標(biāo)、找礦標(biāo)志還處于探索性階段。為了進(jìn)一步深化對(duì)已取得的地質(zhì)、物化探資料的認(rèn)識(shí),了解深部隱伏巖體和礦(化)體的賦存狀況,總結(jié)成礦條件,大致查明礦化特征,為鉆探驗(yàn)證提供依據(jù),達(dá)到對(duì)本區(qū)鉛鋅銀多金屬礦做出初步評(píng)價(jià),開展了可控源音頻大地電磁測(cè)深法(CSAMT)勘查工作,并對(duì)CSAMT的應(yīng)用過程及效果進(jìn)行研究,對(duì)其成果進(jìn)行合理性評(píng)價(jià)[1]。即圍繞CSAMT在安徽省池州市某鉛鋅銀多金屬礦勘探的可行性開展研究,主要研究?jī)?nèi)容:了解深部地質(zhì)情況及隱伏巖體埋藏部位、埋深,尋找有利成礦部位;對(duì)1000m以上地層進(jìn)行初步電性(地質(zhì))分層等;選取有利成礦部位,布置深部鉆探進(jìn)行查證,分析CSAMT在該區(qū)的應(yīng)用效果,對(duì)該方法的可行性做出合理評(píng)價(jià)。

1 工區(qū)地質(zhì)和地球物理特征

本區(qū)位于長(zhǎng)江中下游鐵、銅、金硫成礦帶的貴池—銅陵成礦帶內(nèi)。區(qū)域大地構(gòu)造位置處于揚(yáng)子陸塊北緣,屬揚(yáng)子陸塊下?lián)P子前陸帶與江南隆起帶之間的過渡區(qū),查區(qū)位于江南過渡帶北側(cè),跨江南前陸反向褶沖帶和江南過渡帶兩個(gè)三級(jí)構(gòu)造單元,主要地質(zhì)特征簡(jiǎn)述如下。

勘查區(qū)出露地層為寒武系至志留系下統(tǒng)高家邊組及第四系。查區(qū)位于云山背斜內(nèi)。斷裂構(gòu)造以北東向?yàn)橹鳎螢楸北睎|向及北西向[2]。區(qū)內(nèi)以北北東向斷裂最發(fā)育,其次為北北東向及北西向。與成礦關(guān)系較密切的巖體有大塘沖、大王廟、老虎尖、灰山、低嶺巖體,它們均巖枝(脈)或巖瘤狀產(chǎn)出。測(cè)區(qū)內(nèi)主要是奧陶系灰?guī)r、石英閃長(zhǎng)巖,其電阻率值較高,呈高阻顯示,一般為n×102~n×103Ω·m。第四系覆蓋層較薄,視電阻率值較低,一般為n~n×10Ω·m。志留系頁巖的視電阻率值一般為n~n×102Ω·m,為低阻。各地層間電性均存在較大差異。通常,巖漿巖阻值顯高,沉積巖阻值顯低,而變質(zhì)巖阻值則介于兩者之間,變化較大。當(dāng)有一定規(guī)模的斷裂構(gòu)造、侵入巖體和礦(化)體等存在時(shí),地層電性還會(huì)出現(xiàn)顯著變化[3]。

2 CSAMT工作方法

可控源音頻大地電磁法(CSAMT)是一種人工源頻率域電磁測(cè)深方法,研究大地的電磁響應(yīng),探測(cè)地下電性分布及地質(zhì)構(gòu)造。由于它可以穿過高電阻薄層,有些無法用直流電法和地震法探測(cè)到的高電阻薄層下的地質(zhì)體,用CSAMT法可得到好的效果。所觀測(cè)電磁場(chǎng)的頻率、場(chǎng)強(qiáng)和方向可由人工控制。目前國(guó)內(nèi)利用CSAMT法,在尋找深部隱伏金屬礦,油氣構(gòu)造勘查,推覆體或火山巖下找煤,地?zé)豳Y源勘查和水文-工程地質(zhì)勘查等方面,皆取得了良好的地質(zhì)效果。

本次布置勘探剖面方位角為45°,測(cè)線的布置主要依據(jù)該區(qū)已有的地質(zhì)、物化探、鉆探等資料以及CSAMT法對(duì)施工現(xiàn)場(chǎng)的要求進(jìn)行的。剖面方向盡可能垂直地質(zhì)構(gòu)造線走向。可控源音頻大地電磁法(CSAMT)采用加拿大鳳凰公司最新研制的V8網(wǎng)絡(luò)化多功能電法系統(tǒng),該系統(tǒng)硬、軟件在當(dāng)今國(guó)際都是一流的,代表著現(xiàn)今業(yè)內(nèi)最高水平。

CSAMT法在野外工作中,總是把觀測(cè)區(qū)域布置在一個(gè)梯形面積內(nèi),梯形上底為AB發(fā)射偶極所在的位置,下底為MN測(cè)量區(qū)域即勘探區(qū)域。為了保證人工源電磁場(chǎng)在平面波區(qū)電磁場(chǎng)不發(fā)生畸變,測(cè)點(diǎn)控制在梯形面積內(nèi)。如圖1所示。

R為收發(fā)距,視供電電源功率不同,收發(fā)距可達(dá)幾至十幾公里,觀測(cè)頻率范圍0.125 Hz~9600Hz,可按勘探目標(biāo)層深設(shè)置頻率組合,保證勘探深度和垂向分辨率。該方法探測(cè)深度適中,可達(dá)1km~3km。

圖1 電性源CSAMT法標(biāo)量測(cè)量野外布置平面圖

鑒于本次物探的任務(wù)目的,設(shè)計(jì)場(chǎng)源接地偶極子長(zhǎng)度AB≥1km;設(shè)計(jì)最大收發(fā)偏移距R≤10km,最小收發(fā)偏移距R≥6km。根據(jù)具體現(xiàn)場(chǎng)地理、交通和接地的條件在滿足收發(fā)距離(R)大于5倍勘探深度且接收信號(hào)可靠的條件下,通過試驗(yàn)確定。本次工作頻率為1Hz~9600Hz,共56個(gè)頻點(diǎn),頻點(diǎn)間隔均勻分布,高、中頻段適度加密,避開了50Hz及其倍頻頻點(diǎn)。為了盡可能地提高信噪比,壓制電磁干擾噪聲,實(shí)際工作中保證了中低頻率段供電電流≥10A。

3 CSAMT數(shù)據(jù)處理

CSAMT法室內(nèi)數(shù)據(jù)處理使用V8系統(tǒng)專用處理軟件CSAMT-SW進(jìn)行。數(shù)據(jù)處理主要以測(cè)線為單位。處理過程主要包括電極點(diǎn)位坐標(biāo)偏差校正、曲線自動(dòng)圓滑、跳點(diǎn)處理、兩端壞頻段截?cái)嗵幚?、壞測(cè)點(diǎn)曲線廢棄刪除或插值利用處理、近場(chǎng)校正或剔除近場(chǎng)頻段處理、靜態(tài)位移校正處理等。通過一系列精心處理后,得到了每條測(cè)線各參數(shù)斷面圖及其數(shù)據(jù),為后期的地質(zhì)解釋提供條件。當(dāng)然,處理與解釋是相輔相成、反復(fù)交替的過程。反演處理遵循從已知到未知的原則,利用經(jīng)近場(chǎng)校正或去近場(chǎng)頻段后的Bostick反演等方法進(jìn)行。

4 CSAMT的實(shí)際應(yīng)用及可行性研究

在資料處理解釋過程中,先對(duì)資料作定性分析,結(jié)合地質(zhì)資料和不同地質(zhì)體的電性特征,建立反演計(jì)算模型,最終確定電法地質(zhì)綜合解釋剖面??煽卦匆纛l大地電磁測(cè)深法(CSAMT)判斷斷裂構(gòu)造存在的依據(jù)是在電阻率等值線斷面圖上等值線出現(xiàn)下凹彎曲、錯(cuò)動(dòng)及電阻率等值線梯級(jí)帶等。根據(jù)斷面上垂直和水平電性變化進(jìn)行電性分層,結(jié)合鉆孔和已知地質(zhì)資料再進(jìn)行相關(guān)地質(zhì)解釋進(jìn)行地質(zhì)分層、確定地層接觸帶位置以及巖體或礦(化)體空間賦存位置等。

4.1 線剖面電性異常特征及地質(zhì)解釋

1線電阻率斷面圖清楚顯示,如圖2,整個(gè)剖面地表都為第四系覆蓋,結(jié)合地質(zhì)剖面分析:0號(hào)至600號(hào)之間-1200米以上區(qū)域的高阻體,其電阻率值在6000Ω·m至50000Ω·m之間,且向大號(hào)陡傾,推測(cè)為下奧陶統(tǒng)侖山組白云質(zhì)灰?guī)r。600號(hào)-900號(hào)之間-1200m以上區(qū)域的中高阻體,其電阻率值在1000Ω·m至6000Ω·m之間,推測(cè)為下奧陶統(tǒng)紅花園組灰?guī)r。900號(hào)-2100號(hào)之間-1200m以上區(qū)域的低阻體,其電阻率值在100Ω·m至1000Ω·m之間,推測(cè)為下志留統(tǒng)高家邊組頁巖。在600米、900米兩處電阻率等值線斷面圖上等值線出現(xiàn)下凹彎曲、錯(cuò)動(dòng),推測(cè)為斷層,產(chǎn)狀較陡。

圖2 1線CSAMT綜合剖面圖

4.2 線剖面電性異常特征及地質(zhì)解釋

圖3 2線CSAMT綜合剖面圖

2線剖面(圖3)電阻率變化較大,結(jié)合地質(zhì)剖面分析,0號(hào)至1200號(hào)之間-1200m以上區(qū)域的低阻體,其電阻率值在100Ω·m至1000Ω·m之間,且向深部陡傾,推測(cè)為下志留統(tǒng)高家邊組頁巖。1200號(hào)至2500號(hào)之間-1200m以上區(qū)域?yàn)楦咦梵w,其電阻率值在1000Ω·m至50000Ω·m之間,且向深部陡傾,推測(cè)系下奧陶統(tǒng)紅花園組灰?guī)r所致。2500號(hào)至3800號(hào)之間-1200m以上區(qū)域?yàn)橹械妥梵w,其電阻率值在100Ω·m至1000Ω·m之間,推測(cè)為下志留統(tǒng)高家邊組頁巖。

3800號(hào)至5600號(hào)之間-500m以上區(qū)域?yàn)橹械妥梵w,其電阻率值在100Ω·m至1000Ω·m之間,結(jié)合地質(zhì)剖面分析,推測(cè)為下寒武統(tǒng)黃柏嶺頁巖。3800號(hào)至5600號(hào)之間-500m以下區(qū)域?yàn)楦咦梵w,其電阻率值在1000Ω·m至50000Ω·m之間,結(jié)合地質(zhì)剖面分析,推測(cè)為下花崗巖巖體。在2500m、3800m兩處電阻率等值線斷面圖上等值線出現(xiàn)下凹彎曲、錯(cuò)動(dòng),推測(cè)為斷層。

5 結(jié)論

(1)在定性、定量分析的基礎(chǔ)上,對(duì)沿剖面方向地表下深度1200m以內(nèi)的巖性進(jìn)行了初步分層解釋,并對(duì)各地層的空間展布情況進(jìn)行了初步劃分。

(2)該區(qū)電性整體較復(fù)雜,-1200m高程以上地層較復(fù)雜,高低阻穿插現(xiàn)象普遍。高阻層(電阻率值≥1000Ω·m)主要對(duì)應(yīng)灰質(zhì)白云巖、灰?guī)r及巖體等地層。中低阻層,ρ值在100Ω·m~1000Ω·m間,對(duì)應(yīng)頁巖及構(gòu)造破碎帶等地層。

(3)對(duì)于深部構(gòu)造控制的地下隱伏礦體,CSAMT的探測(cè)能力明顯優(yōu)于常規(guī)的直流電法,通過后期鉆孔驗(yàn)證,說明了之前對(duì)CSAMT的反演電阻率斷面圖的綜合地質(zhì)解譯準(zhǔn)確合理,證明了CSAMT在復(fù)雜地質(zhì)條件下的深部勘探工作是切實(shí)可行的,可以知道該區(qū)深部的找礦勘探工作。

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