近日，重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司12英寸功率半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目試生產(chǎn)啟動(dòng)儀式舉行。重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司由美國(guó)AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金和重慶兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金共同出資組建，是全球第一家集芯片制造及封裝測(cè)試的12英寸功率半導(dǎo)體企業(yè)，項(xiàng)目總投資10億美元。

該項(xiàng)目包括晶圓制造與封裝測(cè)試兩大部分，2017年2月12口開工建設(shè)，2018年1月22口封測(cè)廠開始搬入設(shè)備并裝機(jī)，3月15口晶圓廠開始搬入設(shè)備并裝機(jī)。目前封測(cè)開始進(jìn)入試生產(chǎn)階段，晶圓廠亦將于第三季度試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年底，所有工程將全而完工、開始投產(chǎn)。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)每月生產(chǎn)2萬(wàn)片芯片、封裝測(cè)試5億顆芯片，年產(chǎn)值將達(dá)4億美元;二期預(yù)計(jì)每月生產(chǎn)5萬(wàn)片芯片、封裝測(cè)試12.5億顆半導(dǎo)體芯片，年產(chǎn)值將達(dá)10億美元。

AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體董事長(zhǎng)、CEO、重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體董事長(zhǎng)張復(fù)興在致辭中表示，重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體12英寸功率半導(dǎo)體芯片及封裝測(cè)試項(xiàng)目從2017年2月12日開工，歷時(shí)16個(gè)月。經(jīng)團(tuán)隊(duì)通力合作，發(fā)揚(yáng)創(chuàng)新精神，今天迎來(lái)了項(xiàng)目的試生產(chǎn)。憑借AOS優(yōu)越的技術(shù)與成熟的產(chǎn)品，重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體建設(shè)成為世界一流的功率半導(dǎo)體企業(yè)。

同期，AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體還在重慶舉辦了“AOS技術(shù)交流高峰論壇”。張復(fù)興在主題演講中對(duì)功率半導(dǎo)體在綠色節(jié)能產(chǎn)業(yè)中所發(fā)揮的作用進(jìn)行了詳細(xì)介紹，同時(shí)表示AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體將承擔(dān)起企業(yè)社會(huì)責(zé)任，推進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。IGBT發(fā)明人B.Jayant Baliga教授、美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院終身教授T.Paul Chow，受到組委會(huì)特別邀請(qǐng)出席論壇，發(fā)表專題演講。Baliga教授以“IGBT的前生和未來(lái)”為題，分享了IGBT的起源，展望未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。Chow教授的演講題目為“寬禁帶應(yīng)用技術(shù)”，探究隨著智能化、集成化和小型化的發(fā)展趨勢(shì)，未來(lái)功率半導(dǎo)體的發(fā)展方向以及發(fā)展機(jī)遇。此外，萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體的高管團(tuán)隊(duì)還就最新的技術(shù)進(jìn)展與現(xiàn)場(chǎng)嘉賓進(jìn)行了深入探討。

AOS成立于2000年9月，總部位于美國(guó)加州硅谷，是全球從事功率半導(dǎo)體研發(fā)、應(yīng)用、設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試為一體的IDM高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有全球授權(quán)專利近1500項(xiàng)。根據(jù)IHS發(fā)布的全球功率MOSFET廠商排名，AOS排名第七位。

近年來(lái)，隨著綠色節(jié)能經(jīng)濟(jì)理念不斷深入人心，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求持續(xù)提高。IC Insights指出，歷經(jīng)2015年短暫下調(diào)后，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)重新回到持續(xù)提升的軌道之上，市場(chǎng)需要不斷擴(kuò)大。而在各類功率元件中，最具成長(zhǎng)性的產(chǎn)品是高壓MOSFET（超過(guò)200V）與IGBT模組，兩類產(chǎn)品在2015年至2020年期間的復(fù)合年成長(zhǎng)率（CAGR）預(yù)估分別為4.7%與4.0%。從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)看，功率半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)以微細(xì)加工和MOS工藝為基礎(chǔ)，因此也使得功率半導(dǎo)體得以模塊化、集成化，促進(jìn)了功率模塊（IPM）和功率IC的迅速發(fā)展。

（來(lái)源：電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)）