翟耀飛, 高 會, 郜小勇, 張 鑫
(鄭州大學(xué) 物理工程學(xué)院 河南 鄭州 450001)
一步旋涂法制備的鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜的熱穩(wěn)定性
翟耀飛, 高 會, 郜小勇, 張 鑫
(鄭州大學(xué) 物理工程學(xué)院 河南 鄭州 450001)
利用X 射線衍射譜和掃描電子顯微鏡研究了一步旋涂法制備的鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定性.同時,根據(jù)實驗結(jié)果研究了一步旋涂法制備CH3NH3PbI3薄膜的成膜機理.制備CH3NH3PbI3薄膜的最佳前熱退火溫度為100 ℃,而140 ℃是CH3NH3PbI3的臨界熱分解溫度,在250 ℃時CH3NH3PbI3就完全熱分解為PbI2.
CH3NH3PbI3薄膜; 一步旋涂法; 熱穩(wěn)定性
以甲胺基鉛碘化合物(CH3NH3PbI3)為代表的有機/無機雜化鈣鈦礦半導(dǎo)體材料是光伏領(lǐng)域的“明星”[1].作為很多光電器件的吸光層,鈣鈦礦有機/無機雜化半導(dǎo)體薄膜在可見光波段有著很高的寬帶吸收效率,其光吸收波長范圍可以擴展到800 nm.另外,雜化鈣鈦礦薄膜還是低缺陷密度的直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度約為1.50 eV[2],與太陽光譜的匹配良好.文獻[3]通過光譜數(shù)據(jù)計算認(rèn)為CH3NH3PbI3材料的缺陷密度只有5×1016cm-3,晶體質(zhì)量如此之高是相當(dāng)驚人的.
要實現(xiàn)CH3NH3PbI3鈣鈦礦材料在光伏領(lǐng)域和發(fā)光領(lǐng)域更普遍的應(yīng)用,真正的挑戰(zhàn)在于該材料本身的穩(wěn)定性問題.研究表明,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在溫度或濕度較高的環(huán)境下,其晶格易被破壞而導(dǎo)致材料的分解[4-7].對鹵素X的研究[8-9]表明,Br-的引入可以改善鈣鈦礦對于濕度的敏感性.目前,對CH3NH3PbI3熱穩(wěn)定問題的研究已有不少文獻報道,文獻[10]通過研究不同溫度對 CH3NH3PbI3鈣鈦礦材料晶體結(jié)構(gòu)和性能的影響,當(dāng)熱處理溫度為 85 ℃時,CH3NH3PbI3鈣鈦礦材料的結(jié)晶性和吸光度最優(yōu).文獻[11]采用一步溶液法制備有機/無機雜化鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜,結(jié)果表明,合適的退火溫度有助于薄膜結(jié)晶度的提高和晶粒尺寸的增大且分布均勻,有效減少晶界缺陷和晶界散射,使薄膜電導(dǎo)率大幅度提高.由于退火溫度對納米復(fù)合材料的性能有著重要的影響,基于此,本文采用一步旋涂法在玻璃襯底上制備了一系列CH3NH3PbI3薄膜,研究了前熱退火溫度(TPA)對薄膜微結(jié)構(gòu)熱穩(wěn)定性的影響,確定了制備CH3NH3PbI3薄膜的最佳TPA值和CH3NH3PbI3薄膜熱分解的臨界溫度,并研究了所制備的CH3NH3PbI3薄膜的成膜機理.其中前熱退火的作用是對溶膠進行固膠,加快溶膠中有機溶劑的揮發(fā),改善凝膠薄膜的微結(jié)構(gòu).
1.1 CH3NH3PbI3薄膜的制備
用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃片,烘干后備用.將0.159 g (0.001 mol ) CH3NH3I (純度為99.5%)和0.462 g(0.001 mol)PbI2(純度為98%)加入到裝有1 mL N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液的小燒杯中,放到磁力攪拌器上在70 ℃條件下旋轉(zhuǎn)12 h,得到黃色透明的CH3NH3PbI3旋涂液.利用勻膠機將得到的CH3NH3PbI3旋涂液滴到玻璃基底上,在低轉(zhuǎn)速(800 r/min)和高轉(zhuǎn)速(2 000 r/min)共保持30 s.然后把玻璃基底放到烤膠機上,在不同TPA下固膠30 min.
1.2 微結(jié)構(gòu)表征
采用X射線衍射儀(Philips X′Pert)和冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡(JSM-6060)表征鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜的結(jié)晶和表面形貌,測量均在室溫下進行.
圖1為不同TPA下制備的薄膜樣品的XRD譜.沒經(jīng)歷前熱處理(即在室溫環(huán)境中自然晾干)薄膜的XRD譜中,在13.98°、28.44°、31.80°出現(xiàn)了明顯的鈣鈦礦CH3NH3PbI3的特征衍射峰,這表明經(jīng)過一步旋涂后已經(jīng)生成了CH3NH3PbI3.當(dāng)TPA低于100 ℃時,所測樣品的XRD譜中除了觀察到明顯的CH3NH3PbI3的特征衍射峰外,還觀察到雜質(zhì)PbI2和CH3NH3I的衍射峰,說明溶膠溶液中PbI2和CH3NH3I并沒有完全反應(yīng)生成CH3NH3PbI3,溶膠溶液中一定存在某種阻礙PbI2和CH3NH3I充分反應(yīng)的機制.在室溫下旋涂結(jié)束后,大部分DMF分子揮發(fā)到周圍的空氣中,此時得到的薄膜顏色為淺灰色,室溫下晾干得到的薄膜樣品實際上是由CH3NH3PbI3、PbI2、CH3NH3I和DMF所形成的聚合物或混合物.而經(jīng)過100 ℃熱處理后,薄膜樣品的XRD譜中雜質(zhì)PbI2和CH3NH3I的衍射峰消失了,薄膜樣品的顏色變?yōu)楹谏?,表明PbI2和CH3NH3I完全反應(yīng)為CH3NH3PbI3.100 ℃是一步旋涂法制備的鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜的最佳TPA值.值得注意的是,經(jīng)過140 ℃熱處理后,薄膜樣品的XRD譜中又開始出現(xiàn)微弱的雜質(zhì)PbI2的衍射峰,表明少量的CH3NH3PbI3在140 ℃開始熱分解為PbI2和CH3NH3I.CH3NH3I易揮發(fā),這就是在XRD譜中只觀察到PbI2的衍射峰的原因,此結(jié)果也顯示CH3NH3PbI3熱分解的臨界溫度為140 ℃.隨著TPA的繼續(xù)增加,薄膜樣品的XRD譜中PbI2的峰強相對于CH3NH3PbI3明顯增強.當(dāng)TPA增加到200 ℃時,薄膜樣品的XRD譜中PbI2的峰強就已遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于CH3NH3PbI3的峰強.特別是當(dāng)TPA為250 ℃和300 ℃時,樣品薄膜的XRD譜中只能觀察到PbI2的特征衍射峰,這顯示在250 ℃左右,CH3NH3PbI3完全熱分解為PbI2,且PbI2具有明顯的〈001〉擇優(yōu)取向,并隨著TPA的升高,PbI2〈001〉取向逐漸增強.
圖1 不同TPA下制備的薄膜樣品的XRD譜
表1 薄膜樣品的平均晶粒尺寸
(1)
PbI2+4I-→[PbI6]4-,
(2)
(3)
(4)
CH3NH3PbI3→CH3NH3I+PbI2,
(5)
CH3NH3I→CH3NH2↑+HI↑.
(6)
對XRD解譜可以得到精細(xì)的結(jié)構(gòu)參數(shù).利用衍射主峰通過謝樂公式[13]可以計算出平均晶粒尺寸為
D=0.94λ/βcosθ,
(7)
式中:λ為X射線波長;β為衍射峰的半高寬;θ為布拉格角.表1給出了不同TPA下所生成的薄膜樣品的平均晶粒尺寸(D).當(dāng)TPA≤140 ℃時,CH3NH3PbI3薄膜〈110〉方向上的平均晶粒尺寸從21.24 nm逐漸增大到38.61 nm.結(jié)合XRD的分析結(jié)果,當(dāng)TPA=200 ℃時,薄膜樣品中主要是PbI2,而當(dāng)TPA≥250 ℃時,薄膜樣品已完全變?yōu)镻bI2.PbI2具有〈001〉方向的擇優(yōu)取向,且PbI2的平均晶粒尺寸隨著TPA變化不明顯.
圖2為不同TPA下制備的薄膜樣品的表面形貌圖.可以看出,一步旋涂后在室溫下自然晾干制備的CH3NH3PbI3薄膜樣品表面的立方顆粒的尺寸較大,薄膜表面不夠致密均勻,樣品薄膜表面有較大的孔洞存在,而100 ℃前熱處理制備的CH3NH3PbI3薄膜的表面最致密且顆粒尺寸最均勻.當(dāng)TPA≥140 ℃時,CH3NH3PbI3薄膜樣品表面的的立方顆粒開始溶解,顆粒之間開始聯(lián)合,形成泥灘狀.特別是當(dāng)TPA繼續(xù)升高到200 ℃以上時,樣品薄膜表面出現(xiàn)PbI2的棒狀和花團狀納米結(jié)構(gòu).
(a)室溫; (b) 100 ℃;(c) 140 ℃;(d) 200 ℃; (e) 250 ℃; (f) 300 ℃圖2 不同TPA下制備的薄膜樣品的表面形貌圖
利用XRD譜和SEM圖研究了TPA對一步旋涂法制備的CH3NH3PbI3薄膜熱穩(wěn)定性的影響.當(dāng)TPA<100 ℃時,所制備的CH3NH3PbI3薄膜中存在少量的雜質(zhì)PbI2和CH3NH3I,這歸結(jié)于DMF溶劑分子對PbI2和CH3NH3I反應(yīng)的阻礙.100 ℃是一步法制備CH3NH3PbI3薄膜的最佳TPA值,140 ℃是CH3NH3PbI3的臨界熱分解溫度.在250 ℃時CH3NH3PbI3就完全熱分解為PbI2.140 ℃的臨界熱分解溫度對基于CH3NH3PbI3的光伏和發(fā)光器件而言還有點低,進一步提高鈣鈦礦CH3NH3PbI3的熱穩(wěn)定性將會成為以后研究的重點.
[1] WANG N, SI J J, JIN Y Z,et al. Solution-processed organic-inorganic hybrid perovskites:a class of dream materials beyond photovoltaic applications [J]. Acta Chim Sin, 2015, 73(3): 171-178.
[2] ZHAO Y, LI H, GUAN L L, et al. Perovskite solar cells: history and latest researches [J]. Mater Rev, 2015,29(11):17-21.
[3] XING G, MATHEWS N, LIM S S, et al. Low-temperature solution-processed wavelength-tunable perovskites for lasing [J]. Nat Mater, 2014, 13(5): 476-480.
[4] ZHANG D F, ZHENG L L, MA Y Z, et al. Factors influencing the stability of perovskite solar cells [J]. Acta Phys Sin, 2015, 64(3): 038803.
[5] LEE J W, SEOL D J, CHO A N, et al. High-efficiency perovskite solar cell based on the black polymorph of HC(NH2)2PbI3[J]. Adv Mater, 2014, 26(29): 4991-4998.
[6] EPERON G E, STRANKS S D, MENELAOU C, et al. Formamidinium lead trihalide: a broadly tunable perovskite for efficient planar heterojunction solar cells [J]. Energy Environ Sci, 2014,7(3): 982-988.
[7] CHOI H, JEONG J, KIM H B, et al. Cesium-doped methylammonium lead iodide perovskite light absorber for hybrid solar cells [J]. Nano Energy, 2014, 7(3): 80-85.
[8] KITAZAWA N, WATANABE Y, NAKAMURA Y. Optical properties of CH3NH3PbX3(X=halogen) and their mixed-halide crystals [J]. J Mater Sci, 2002, 37(17): 3585-3587.
[9] XING G, MATHEWS N, SUN S, et al. Long-range balanced electron- and hole-transport lengths in organic-inorganic CH3NH3PbI3[J]. Science, 2013, 342(6156): 344-347.
[10]楊鋒,王恩澤,張政權(quán).溫度對CH3NH3PbI3鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 粉末冶金工業(yè), 2016, 26(4): 23-26.
[11]吳亞美,楊瑞霞,田漢民,等.退火溫度對CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性的影響 [J]. 功能材料,2016, 47(7): 7192-7196.
[12]王棟,朱慧敏,周忠敏,等.溶劑對鈣鈦礦薄膜形貌和結(jié)晶性的影響研究 [J]. 物理學(xué)報, 2015, 64(3): 60-67.
[13]CULLITY B D. Elements of X-ray diffraction [M]. London: Addison-Wesley Publishing Company, 1978.
(責(zé)任編輯:孔 薇)
Thermal Stability of CH3NH3PbI3Films Fabricated byUsing One-step Spin-coating Technique
ZHAI Yaofei, GAO Hui, GAO Xiaoyong, ZHANG Xin
(SchoolofPhysicsandEngineering,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450001,China))
The thermal stability of the perovskite CH3NH3PbI3films fabricated by using the one-step spin-coating method was intensively studied by XRD and SEM analysis. The mechanism for the formation of the CH3NH3PbI3film in the one-step spin-coating processing was also proposed based on the obtained experimental results. The appropriate pre-annealing temperature for the fabrication of CH3NH3PbI3film and the critical thermal decomposition temperature of the CH3NH3PbI3film remained 100 ℃ and 140 ℃. The CH3NH3PbI3film was thermally decomposed into PbI2at pre-annealing temperature of 250 ℃.
CH3NH3PbI3film; one-step spin-coating technique; thermal stability
2016-09-08
國家自然科學(xué)基金項目(60807001).
翟耀飛(1992—), 女,河南新鄉(xiāng)人,碩士研究生,主要從事光電材料研究;通訊作者:郜小勇(1975—), 男,河南鄭州人,教授,主要從事光電材料與器件研究,E-mail: xygao@zzu.edu.cn.
O484.1
A
1671-6841(2017)01-0075-04
10.13705/j.issn.1671-6841.2016227