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一種帶鍵槽圓軸的半導體激光熔覆方法

2016-12-15 11:42
表面工程與再制造 2016年5期
關鍵詞:覆層申請?zhí)?/a>半導體

一種帶鍵槽圓軸的半導體激光熔覆方法

申請公布號:CN106011848A

申請公布日:2016.10.12

申請?zhí)枺?016105894300

申請日:2016.07.26

申請人:山西玉華再制造科技有限公司

發(fā)明人:段虎明

該發(fā)明提供了一種帶鍵槽的圓軸的半導體激光熔覆方法,既能修復失效的軸類零件,又能有效的保護鍵槽。包括以下步驟:步驟一,對圓軸和鍵槽進行預處理,所述鍵槽內(nèi)放置與所述鍵槽配套的鋁鍵,獲得表面輪廓一致的待熔覆表面;步驟二,采用半導體激光束,對所述待熔覆表面進行激光熔覆,獲得過渡層;步驟三,去除所述過渡層表面氧化物,對所述過渡層進行激光熔覆,獲得熔覆層;步驟四,從所述鍵槽中取出所述鋁鍵。

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